Навчальний посібник складається з двох розділів: техніка і технологія напилення тонких плівок та техніка і технологія фотолітографії. В першому розкрита суть та зміст тонкоплівкової технології створення на поверхні одно- або багатошарових структур струмоведучих контактів і доріжок, діелектричних прокладок та ін. У другому розділі розглядається технологія фотолітографії, суть якої полягає в створенні по поверхні підкладки захисного шару необхідної конфігурації.

Рассмотрены физико-технологические и организационные основы механической сборки, сборочно-монтажные, регулировочные и испытательные процессы. Показана реализация производственных технологий сборки и монтажа на основе использования современного автоматизированного технологического оборудования. Освещены физико-технологические основы сборки и монтажа электронных средств в тесной связи с организацией сборочно-монтажных процессов. На основании теоретических расчетов обоснована экономическая целесообразность процессов контроля и регулировки.

Розглянуто теоретичні та експериментальні обгрунтування технологічних процесів металізації друкованих плат і підкладок мікрозборок щодо концепції автоматичної лінії та запропоновано конструктивні рішення автоматичної лінії для металізації плоских деталей.

Рассмотрены теоретические и экспериментальные обоснования технологических процессов металлизации печатных плат и подложек микросборок относительно концепции автоматической линии и предложены конструктивные решения автоматической линии для металлизации плоских деталей.

Theoretical and experimental substantiation of the technological processes of the printed boards and microfittings metallization are considered with respect to the automatic line concept and the automatic line constructive solutions for the plane details metallization are offered.

Изложена технология монтажа бескорпусных кристаллов с объемными выводами и компонентов в мини-корпусах на кремниевую плату. Рассмотрено несколько конструктивно-технологических вариантов монтажа кремниевой микросборки на металлическое основание.

Methods for interconnection of bare beam-lead chips and micropackaged components on a silicon carrier are discussed. Several structural/technological alternatives for assembly of a silicon micromodule on a metal mount are considered.

На основе анализа некоторых конструктивно-технологических вариантов рассмотрены перспективы повышения интеграции тонкопленочных микросборок с подложкой из ситалла, поликора, сапфира, кремния. Изложена технология изготовления резисторов из хрома на кремнии. Дана оценка плотности упаковки печатных и кремниевых плат.

On the basis of analysis of some structurally/technological alternatives the perspectives of integration increase of the thin-film micromodules on a substrate from glass ceramics, ceramics, sapphire and silicon are discussed. The production process for manufacture of chromium resistors on silicon is stated. The packing denseness of printed/silicon cards is evaluated.

Доказана эффективность использования уникального аналитического оборудования на крупном предприятии по разработке и производству изделий микроэлектроники. Отмечено, что аналитические средства обеспечивают входной контроль количественного состава примесей на уровне <$E>>> 1013 ат/см<^>3 в монокристаллическом кремнии, полупроводниковых структурах, а также контроль геометрических размеров элементов изделий, толщин тонких (<$E>>> 1,0 нм) пленок диэлектриков, металлов и полупроводников.

Показана целесообразность поэтапного внедрения технологии поверхностного монтажа на действующих и возрождающихся производствах электронной аппаратуры Украины. Приведены характеристики имеющегося технологического оборудования и рекомендации по его использованию в зависимости от объема производства (до 5 тыс. печатных узлов в месяц, 20 тыс. и более, крупносерийное производство)

The expediency of stage-by-stege introduction of technology of super ficial installation on working and reviwing manufactures of the electronic equipment of Ukraine is shown. Characteristics of the available process equipment and the recommendation for use are given o volume of manufacture (up to 5 thousand printed units per one month, 20 thousand and more, a large-lot production)

С целью повышения эффективности охлаждения пластин при получении оснований из анодированного алюминия предложено производить процесс толстослойного анодирования при непрерывном движении пластин. На этом принципе создана установка динамического анодирования, которая обеспечивает получение оксидных слоев толщиной до 0,4 мм на основаниях размерами от <$E48~ times ~60~ roman мм> до <$E100~ times ~100~ roman мм> и подложек из свободного анодного оксида толщиной до 1 мм с высокими физико-механическими свойствами без разрыхления оксида.

As a rule, in the devices used for obtaining bases out of anodized aluminium the deprivation of the plates of Joule heat during anodizing is carried out by a static electrolyte. That, however, doesn't necessarily lead to plates' overheating and etching of the oxide layer. In order to increase the efficiency of plates' coding it is proposed to carry out thick-wall anodizing parallel with their continuous motion. This principle is laid into basis of a dynamic anodizing device,which provides oxide layers up to 0,4 mm thick and having dimensions from 48?60 up to 100?100 mm, as well as the base plates up to 1 mm thick, having strong and weak mechanical properties, causing no oxide loosening.

Рассмотрены модель возникновения дефектов в виде пятен на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе на основе фтороводородной кислоты, а также модель удаления этих дефектов в растворах химикатов. Исследовано влияние на количество дефектов скорости вращения центрифуги во время сушки и рельефа структур, создаваемых на пластине. Показана возможность удаления дефектов методом химической обработки в перекисно-аммиачных растворах (ПАР) или при помощи последовательности операции химической очистки в смеси Каро и в ПАР, а также травления <$Eroman SiO sub 2>.

An origin model for spot defects upon the polysilicon surface after the the wet etch of semiconductor wafers in diluted hydrofluoric acid and a removal model of these defects are examined. The cause of the spots occurrence is hydrophobic behavior of the polysilicon surface after HF etch. The spots consist of silicon oxide produced through the reaction of polysilicon with oxygen dissolved in water droplets upon the wafer surface. The wafer rotation speed during spin during and aspect ratio of patterned structures formed on polysilicon surface are factors which influence the spot defects number. These sports can be removed with the wet immersion processing in ammonia-hydrogen peroxide mixtures (APM) or with the wet spray processing sequence using a sulfuric-peroxide mixture (SPM), APM and <$Eroman SiO sub 2> etch.

Представлены результаты практической работы по изготовлению ряда изделий для специальной аппаратуры КВЧ-диапазона с применением метода многослойной гальванопластики с элементами гальванопластического монтажа. Показано, что предлагаемая принципиально новая технология позволяет изготовить практически квазимонолитные многофункциональные устройства для систем связи и навигации.

The article reports the results of work on making a number of products for special millimeter-wave facilities using multilayer electroforming in combination with electroforming assembly. The proposed radically new technology is shown to be capable of making near-monolithic multifunctional devices for communication and navigation systems. Photos of some products made by this technology are presented.

Розглянуто класифікацію радіоелектронної апаратури, описано технологічні процеси слюсарно-складальних і електромонтажних робіт у процесі її виробництва. Особливу увагу приділено внутрішньо- та міжблоковому монтажу, сучасній технології монтажу на друковані плати. Наведено основні відомості щодо допусків і технічних вимірювань, видів складальних з'єднань, засад матеріалознавства та методів захисту від корозії. Визначено умови організації безпечної роботи з електро- та пневмоінструментами.

Рассмотрена классификация радиоэлектронной аппаратуры, описаны технологические процессы слесарно-сборочных и электромонтажных работ в процессе ее производства. Особое внимание уделено внутри- и межблоковому монтажу, современной технологии монтажа на печатные платы. Приведены основные сведения о допусках и технических измерениях, видах сборочных соединений, основах материаловедения и методах защиты от коррозии. Определены условия организации безопасной работы с электро- и пневмоинструментами.

Висвітлено етапи та напрямки розвитку монтажу. Викладено питання технології поверхневого монтажу в виробництві радіоелектронних засобів. Розглянуто конструкторські та технологічні особливості методів друкованого монтажу, види і типорозміри компонентів поверхневого монтажу (дискретні, інтегральні схеми), особливості конструювання друкованих плат. Охарактеризовано матеріали, інструмент, устаткування, які використовуються для монтажу та пайки. Визначено параметри паяльних паст і клеїв, описано методи їх нанесення.

Освещены этапы и направления развития монтажа. Изложены вопросы технологии поверхностного монтажа в производстве радиоэлектронных средств. Рассмотрены конструкторские и технологические особенности методов печатного монтажа (дискретные, интегральные схемы), особенности конструирования печатных плат. Охарактеризованы материалы, инструмент, оборудование, которые используются для монтажа и пайки. Определены параметры паяльных паст и клеев, описаны методы их нанесения.

Висвітлено теоретичні засади деяких технологічних хімічних процесів, які широко застосовуються в сучасній мікроелектроніці. Розкрито методи одержання діелектричних покриттів з дрібнодисперсних матеріалів. Увагу приділено питанням фотолітографії, зокрема, планарній технології, особливостям травлення діелектричних і металевих плівок.

Освещены теоретические основы некоторых технологических химических процессов, широко применяемых в современной микроэлектронике. Раскрыты методы получения диэлектрических покрытий из мелкодисперсных материалов. Уделено внимание вопросам фотолитографии, в частности, планарной технологии, особенностям травления диэлектрических и металлических пленок.

Показано перспективність застосування технології гнучких носіїв типу алюміній-поліімід для детекторів різного призначення, в т. ч. кремнієвих мікрострипових детекторів. Описано реальні конструкції та збірки різних вузлів детекторів з використанням технології гнучких носіїв, зокрема мікрокабелів, адаптерів, шлейфів, міжз'єднань. Розглянуто переваги даної технології у порівнянні з дротяними з'єднаннями детекторів з великою кількістю виводів і малим кроком.

Показана перспективность применения технологии гибких носителей типа алюминий-полиимид для сборки детекторов различного назначения, в т. ч. кремниевых микростриповых детекторов. Приведены реальные конструкции и примеры сборки различных узлов детекторов с использованием технологии гибких носителей, в частности микрокабелей, адаптеров, шлейфов, межсоединений. Рассмотрены преимущества данной технологии в сравнении с проволочными соединениями детекторов с большим количеством выводов и малым шагом.

Perspective of aluminium-poliimide flexible carrier technology usage for assembling of different purpose detectors, including Si microstripe detectors is shown. Real constructs and assembly examples of different detector units with usage of flexible carrier technology, in particular microcables, adapters, cables, interconnections etc., are shown. Advantages of this technology are considered in comparison with ordinary wire connections in case of comparatively large amount of outlets and small step.

У ході розробки оптимального режиму формування склопокриттів на сталі з розчинів здійснено комплексний підхід, враховуючи всі параметри нанесення суспензії і обтоплення продуктів термоосаду на поверхні.

Рассмотрена возможность создания стеклоприпоев с низким коэффициентом линейного расширения и температурой наплавления для спаивания деталей микроэлектроники с высоким содержанием кремния. Установлены области стеклообразования в системе PbO - B2O3 - Al2O3 - ZrO2 - SiO2, синтезированы стекла, исследованы их свойства и получены образцы стеклоприпоев.

Предложено описание автоматизированной системы, посредством которой по описанию топологии микроэлектронных схем подготавливается входная информация для устройств, изготавливающих фотошаблоны. Входная информация представляет собой описание последовательности прямоугольников. Выбор этой последовательности во многом определяет производительность этих устройств и качество получаемых фотошаблонов. Приведено описание задач, решаемых системой, а также ее структура.

Зазначено, що надійність мікроелектронних приладів, виготовлених, зокрема, за допомогою фліп-чіп технології, залежить від поведінки припійних (прилюткових) кульок і металевих з'єднань. Середній час до відмови визначається як процесами зародження, росту й огрубіння на з'єднаннях кульок з інтерконектами, так і процесами зародження, росту, міграції, взаємодії пор у кульках і з'єднаннях. Наведено наступні одержані результати: синергія дифузії, росту зерен і коалесценції в реакції мідь - рідкий прилюток; синергія масоперенесення та еволюції структур у двофазових прилюткових кульках під дією різких температурних градієнтів; феноменологічні та Монте-Карло моделі нещодавно відкритого нового механізму відмов шляхом міграції нанопор уздовж інтерфейсів; індуковане електроміграцією обертання зерен.

Розглянуто завдання побудови системи інтелектуальної підтримки прийняття рішень під час керування багатономенклатурним технологічним процесом магнетронного напилювання. Висвітлено особливості багатономенклатурного виробництва, на підставі яких сформовано базу теоретичних знань про об'єкт і систему керування та базу емпіричних знань на підставі статистичного аналізу параметрів процесу магнетронного напилювання. Описано математичні моделі для керування центрами настроювання технологічного процесу. Доведено теореми для встановлення достатніх умов існування розв'язання поставленого задачі, на основі яких створено базу алгоритмів. Проаналізовано ефективність реструктуризації центрів настроювання технологічного процесу. Розроблено систему інтелектуальної підтримки прийняття рішень, що розпізнає типові ситуації, які виникають під час керування технологічним процесом для вибору та підтримки стабільних технологічних режимів.

Вперше теоретично обгрунтовано та експериментально підтверджено умови стабільно стійкого режиму процесу функціонального електроосадження металів. Запропоновано узагальнений механізм електродних процесів на основі дослідження макрокінетики розряду аргентуму(I) та ауруму(I),(III), з їх координаційних сполук, з використанням теорії визначення ЕАК. Одержано нові дані про кореляційний взаємозв'язок між електрохімічною кінетикою та електроосадженням. Встановлено умови найбільш сприятливої енергетики росту граней кристалів для формування строго певної структури металу для формування покриттів зі стабільним набором характеристик. Сформульовано та здійснено на практиці принципи спрямованого підбору компонентів електроліту та режиму електроосадження.