Розглянуто теоретичні та експериментальні обгрунтування технологічних процесів металізації друкованих плат і підкладок мікрозборок щодо концепції автоматичної лінії та запропоновано конструктивні рішення автоматичної лінії для металізації плоских деталей.

Рассмотрены теоретические и экспериментальные обоснования технологических процессов металлизации печатных плат и подложек микросборок относительно концепции автоматической линии и предложены конструктивные решения автоматической линии для металлизации плоских деталей.

Theoretical and experimental substantiation of the technological processes of the printed boards and microfittings metallization are considered with respect to the automatic line concept and the automatic line constructive solutions for the plane details metallization are offered.

Изложена технология монтажа бескорпусных кристаллов с объемными выводами и компонентов в мини-корпусах на кремниевую плату. Рассмотрено несколько конструктивно-технологических вариантов монтажа кремниевой микросборки на металлическое основание.

Methods for interconnection of bare beam-lead chips and micropackaged components on a silicon carrier are discussed. Several structural/technological alternatives for assembly of a silicon micromodule on a metal mount are considered.

На основе анализа некоторых конструктивно-технологических вариантов рассмотрены перспективы повышения интеграции тонкопленочных микросборок с подложкой из ситалла, поликора, сапфира, кремния. Изложена технология изготовления резисторов из хрома на кремнии. Дана оценка плотности упаковки печатных и кремниевых плат.

On the basis of analysis of some structurally/technological alternatives the perspectives of integration increase of the thin-film micromodules on a substrate from glass ceramics, ceramics, sapphire and silicon are discussed. The production process for manufacture of chromium resistors on silicon is stated. The packing denseness of printed/silicon cards is evaluated.

Доказана эффективность использования уникального аналитического оборудования на крупном предприятии по разработке и производству изделий микроэлектроники. Отмечено, что аналитические средства обеспечивают входной контроль количественного состава примесей на уровне <$E>>> 1013 ат/см<^>3 в монокристаллическом кремнии, полупроводниковых структурах, а также контроль геометрических размеров элементов изделий, толщин тонких (<$E>>> 1,0 нм) пленок диэлектриков, металлов и полупроводников.

Показана целесообразность поэтапного внедрения технологии поверхностного монтажа на действующих и возрождающихся производствах электронной аппаратуры Украины. Приведены характеристики имеющегося технологического оборудования и рекомендации по его использованию в зависимости от объема производства (до 5 тыс. печатных узлов в месяц, 20 тыс. и более, крупносерийное производство)

The expediency of stage-by-stege introduction of technology of super ficial installation on working and reviwing manufactures of the electronic equipment of Ukraine is shown. Characteristics of the available process equipment and the recommendation for use are given o volume of manufacture (up to 5 thousand printed units per one month, 20 thousand and more, a large-lot production)

С целью повышения эффективности охлаждения пластин при получении оснований из анодированного алюминия предложено производить процесс толстослойного анодирования при непрерывном движении пластин. На этом принципе создана установка динамического анодирования, которая обеспечивает получение оксидных слоев толщиной до 0,4 мм на основаниях размерами от <$E48~ times ~60~ roman мм> до <$E100~ times ~100~ roman мм> и подложек из свободного анодного оксида толщиной до 1 мм с высокими физико-механическими свойствами без разрыхления оксида.

As a rule, in the devices used for obtaining bases out of anodized aluminium the deprivation of the plates of Joule heat during anodizing is carried out by a static electrolyte. That, however, doesn't necessarily lead to plates' overheating and etching of the oxide layer. In order to increase the efficiency of plates' coding it is proposed to carry out thick-wall anodizing parallel with their continuous motion. This principle is laid into basis of a dynamic anodizing device,which provides oxide layers up to 0,4 mm thick and having dimensions from 48?60 up to 100?100 mm, as well as the base plates up to 1 mm thick, having strong and weak mechanical properties, causing no oxide loosening.

Представлены результаты практической работы по изготовлению ряда изделий для специальной аппаратуры КВЧ-диапазона с применением метода многослойной гальванопластики с элементами гальванопластического монтажа. Показано, что предлагаемая принципиально новая технология позволяет изготовить практически квазимонолитные многофункциональные устройства для систем связи и навигации.

The article reports the results of work on making a number of products for special millimeter-wave facilities using multilayer electroforming in combination with electroforming assembly. The proposed radically new technology is shown to be capable of making near-monolithic multifunctional devices for communication and navigation systems. Photos of some products made by this technology are presented.

У ході розробки оптимального режиму формування склопокриттів на сталі з розчинів здійснено комплексний підхід, враховуючи всі параметри нанесення суспензії і обтоплення продуктів термоосаду на поверхні.

Предложено описание автоматизированной системы, посредством которой по описанию топологии микроэлектронных схем подготавливается входная информация для устройств, изготавливающих фотошаблоны. Входная информация представляет собой описание последовательности прямоугольников. Выбор этой последовательности во многом определяет производительность этих устройств и качество получаемых фотошаблонов. Приведено описание задач, решаемых системой, а также ее структура.

Рассмотрена проблема покрытия многоугольников прямоугольниками, которая имеет место при подготовке входной информации для устройств, выполняющих изготовление фотошаблонов. Входная информация представляет собой описание последовательности прямоугольников. Выбор этой последовательности во многом определяет производительность этих устройств и качество получаемых фотошаблонов. Прямоугольники должны лежать полностью внутри многоугольника, и число их должно быть минимальным или близким к минимальному. Предложен простой эвристический алгоритм, основанный на использовании диаграммы Вороного, который покрывает многоугольник без дыр с острыми внутренними углами при помощи прямоугольников.

Выполнена постановка задачи оптимизации режимов настройки технологических процессов при управлении многономенклатурным производством изделий микроэлектроники с условиями ограничений на интенсивность использования центров настройки. Предложен метод решения поставленной задачи и на основе вычислительных экспериментов проанализированы результаты ее решения.

Исследован процесс электромиграционного извлечения меди из твердых отходов при очистке сточных вод производства печатных плат. Определены условия, позволяющие при наложении внешнего электрического поля на увлажненную дисперсию шлама извлекать >> 80 % содержащейся в шламе меди, с выходом меди по току >> 50 % и расходом электроэнергии от 5 до 10 <$E roman {кВт~cdot~ч}> на 1 кг извлеченной меди при напряжении на аппарате 3 - 10 В.

Запропоновано та досліджено метод окиснення у плазмі магнетрону постійного струму за створення високоякісного тунельного бар'єра у надпровідникових переходів Nb/Al-AlO _x/Nb. Підвищення якості бар'єра, на відміну від зарубіжних технологій, забезпечується відсутністю бомбардування вирощуваного оксиду високоенергетичними електронами та відсутністю зереннограничної дифузії кисню під час тривалого термічного окислення. Надано математичну модель перехідного шару двошарової тонкоплівкової структури й обгрунтовано застосування методу профілів анодування для кількісної оцінки його товщини. Метод профілів анодування знайшов подальший розвиток за побудови тривимірної залежності розподілу товщин напилюваних плівок і визначення області однорідності товщин. Показано, що тонкоплівкова Al/Nb технологія, оснащена методом профілів анодування, дозволяє створення хвилеводних сенсорів з металевим підшаром на основі плівок Al-Nb ₂O ₅.

Вперше проведено визначення параметрів дифузії (коефіцієнт дифузії й енергія активації) для системи алюміній-галій за температур 50 °С, 140 °С та 250 °С методом молекулярної динаміки з використанням програми VMB. Створено тривимірну модель динаміки руху атомів галію в кристалічній гратці алюмінію та візуалізацію температурно-часової динаміки зміни кристалічної гратки системи алюміній-галій. Теоретичною основою моделювання є ствердження, що механізм дифузії галію в алюміній пов'язаний із наближенням розмірів атомів Ga і Al, що сприяє дифузії галію по вакансіям алюмінію. По діаграмах рівноважного стану вперше спрогнозовано багатостадійний процес формування метастабільних фаз з компонентів алюмінієвого сплаву AMг5 з галієм. В результаті дифузії в зазорі та прилеглому об'ємі (у бік АМг5) утворюються гомогенний шар твердого розчину й інтерметалідні фази Al₅Ga₂, Ga₂Mg, Ga₂Zn.

Уперше проведено визначення параметрів дифузії (коефіцієнт дифузії та енергія активації) для системи алюміній - галій за температур 50 ℃, 140 ℃ та 250 ℃ методом молекулярної динаміки з використанням програми VMD. Створено тривимірну модель динаміки руху атомів галію в кристалічній гратці алюмінію та візуалізацію температурно-часової динаміки зміни кристалічної гратки системи алюміній - галій. За діаграмами рівноважного стану вперше спрогнозовано багатостадійний процес формування метастабільних фаз із компонентів алюмінієвого сплаву АМг5 з галієм. З'ясовано, що в результаті дифузії в зазорі та прилеглому об'ємі (у бік АМг5) утворюються гомогенний шар твердого розчину та інтерметалідні фази Al₅Ga₂, Ga₂Nig, Ga₂Zn.

Проаналізовано шляхи підвищення ефективності контролю й керування плазмохімічними процесами в мікроелектронній технології за рахунок впровадження нових підходів у реалізації контролю на підставі сучасних досягнень у цій області, а також побудови систем керування в реальному часі, розробки сучасних контролерів на базі використання моделі процесу з використанням сучасних сенсорів у колі зворотного зв'язку, розробки нових типів контролерів керування.

Визначено конвергенцію незвичайних фізичних явищ у мікромініатюрних виробах з урахуванням зменшення лінійних розмірів компонентів і зміни співвідношень дії різних видів сил, що дозволяє створити принципово нові технічні рішення для покращання електрофізичних характеристик мікрокомпонентів і техніко-економічних показників їх виробництва. Вперше запропоновано метод і технологію створення мікроелектромеханічних систем (МЕМС) багатозондових підмикальних пристроїв (БПП) для контролю електричних параметрів багатошарових комутаційних структур, а також вихідного та функціонального контролю електронних компонентів із матричними кульковими виводами, які засновані на поєднанні технологій гнучких полімерних шлейфів, матричних кулькових виводів і пресування з повітряною подушкою, що забезпечує підвищення щільності розміщення зондів на площині, надійність контактування та інтелектуальні властивості, виключає помилки контролю. Набув подальшого розвитку метод проектування МЕМС шляхом використання узагальнених сил, маси, координат та врахування мініатюризації механічних та електричних компонентів, що дозволяє скласти єдину систему рівнянь для статичного та динамічного режиму роботи МЕМС. Розглянуто математичні моделі чутливих елементів на основі балок складної конструкції, резонаторів у вигляді зустрічно-штирьових систем, п'єзоперетворювачів механічної енергії в електричну, що дозволяє покращити електро-фізичні властивості компонентів. Висвітлено метод управління електрофізичними параметрами компонентів, за різних поєднань діючих у МЕМС сил, що дозволяє підвищити швидкодію механічних і теплових актюаторів і датчиків, чутливість і добротність мікромеханічних резонансних систем. Розглянуто положення теорії байєсівських статистичних рішень, які об’єднують експертні оцінки та результати експериментів, що забезпечує вибір кращого варіанта ТП серед альтернативних. Розвинуто положення теорії рекурентних методів прийняття рішень у стохастичних процесах з прибутками, що дозволяє оптимізувати стратегії моніторингу складних технологічних процесів. Проаналізовано метод прогнозування та розрахунку виходу придатних компонентів МЕМС на основі базових елементів конструкції, який дозволяє враховувати вплив технологій виготовлення, конструкцій, матеріалів, обладнання та організаційних вимог виробництва на вихід придатних.