We have measured the temperature dependence of gap features revealed by Andreev reflection (<$EDELTA sub s>) and by tunneling (<$EDELTA>) in the ab-plane of optimally and slightly overdoped microcrystals of <$E roman {( BiPb ) sub 2 Sr sub 2 Ca sub 2 Cu sub 3 O sub 10+delta~( Bi2223 ) }> with critical temperature <$E T sub c~=~110~-~115> K, and <$E roman {Bi sub 2 Sr sub 2 CaCu sub 2 O sub 8+delta~( Bi2212 ) }> with <$E T sub c~=~80~-~84> K. The tunneling conductance of a Bi2223-insulator-Bi2223 junction shows peaks at the <$E 2 DELTA> gap voltage, as well as dips and broad humps at other voltages. In Bi2223, similarly to the well-known Bi2212 spectra, the energies corresponding to <$E 2 DELTA>, to the dip, and to the hump structure are in the ratio 2:3:4. This confirms that the dip and hump features are generic to the high-temperature superconductors, irrespective of the number of <$E roman CuO sub 2> layers or the BiO superstructure. On the other hand, in both compounds the <$E DELTA ( T )> and <$E DELTA sub s ( T )> dependences are completely different, and we conclude that the two entities are of different natures.

The effect of the fluctuation paraconductivity in optimal oxygen-doped <$E roman {ReBa sub 2 Cu sub 3 O} sub {7~-~delta}> (Re = Y, Ho) single crystals has been investigated. The results indicate that the theoretical model of Aslamazov - Larkin describes the temperature dependence of fluctuation paraconductivity near the critical temperature (Tc). At temperatures above the temperature of the 2D - 3D crossover this dependence is appropriately described by the Lawrence - Doniach theory. The extended linear dependence of <$E rho sub ab ( T )>, in the crystal with the minimum critical temperature indicates that we have a high defect concentration in this sample. This in turn causes negative processes into forming fluctuation pairs.

Зазначено, що колективна динаміка у рідкій воді активно досліджується за допомогою експериментальних, теоретичних методів та комп'ютерними симуляціями. Наведено моделювання за допомогою методу першопринципної молекулярної динаміки для важкої та звичайної води за температури 323,15 K, чи 50 <^>oC. Моделювання для важкої води проведено з і без дисперсійних поправок. Одержано, що дисперсійні поправки (DFT-D3) суттєво змінюють релаксацію часових кореляційних функцій густина-густина з повільної, яка є типовою для переохолодженого стану, до експоненційного спаду як для звичайних рідин. Це означає суттєве зменшення точки плавлення льоду для моделювання з DFT-D3. Аналіз повздовжних (L) і поперечних (T) спектральних функцій потоків надав можливість визначити дисперсії акустичних та оптичних збуджень і спостерігати ефект L-T змішування. Дисперсійні поправки D3 зсувають до нижчих частот L і T оптичні (O) моди та призводять до меншої на майже 30 процентів щілини між LO та TO довгохвильовими збудженнями, що може бути наслідком більшої високочастотної діелектричної проникності в моделюванні з дисперсійними поправками. Моделювання для звичайної води з дисперсійними поправками дає вищі частоти оптичних збуджень, ніж для D2O, та щілину LO-TO порядку 24 пс<^>-1 (127 см<^>-1) у довгохвильовій межі.

Структурні, електронні, механічні і теплові властивості сплавів Ir_1-xRh_x систематично досліджено з використанням ab initio теорії функціоналу густини за різних концентрацій (x = 0,00, 0,25, 0,50, 0,75, 1,00). Використано метод спеціальної квазівипадкової структури для моделювання сплавів, що мають структуру FCC з чотирма атомами на одиничну комірку. Обчислено властивості основного стану, такі як постійна гратки та об'ємний модуль пружності, для того, щоб знайти рівноважні положення атомів для стійких сплавів. Обчислені властивості основного стану добре узгоджуються з експериментальними та іншими раніше одержаними теоретичними даними. З метою вивчення електронних властивостей цих сплавів за різних концентрацій обчислено електронну зонну структуру та густину станів. Електронні властивості обгрунтовують металічну поведінку сплавів. Для обчислення теплових характеристик використано першопринципну теорію збурень функціоналу густини, імплементовану у квазігармонічне наближення. Обчислено такі теплові характеристики, як температура Дебая, енергія коливань, ентропія, питома теплоємність за постійного об'єму та внутрішня енергія. Використано ab initio метод лінійного відгуку для обчислення густини станів фононів.

Проведено ab initio розрахунок взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами азоту в надкомірці з 180 атомів кремнію. Розрахунок проведено за допомогою методу функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні. Одержано криву взаємодії домішкових атомів азоту з крайовою дислокацією в кремнії. Встановлено рівноважне положення домішкових атомів поблизу ядра дислокації, обраховано енергії зв'язку домішкових атомів азоту з крайовою дислокацією. Наведено та проаналізовано електронні спектри обраної надкомірки за різних положень домішок. Результати розрахункiв проаналізовано з точки зору можливості виникнення зонного магнетизму.

За допомогою квантово-хімічних розрахунків (метод ab-initio) досліджено процес адсорбції цезію та стронцію на поверхні алюмосилікатів. Показано, що ці поверхні адсорбують <$E roman {Cs sup + ,~Sr sup 2+}>, також одержано детальну інформацію про розподіл зарядів і відстаней між атомами адсорбату та сорбента, розраховано сили зв'язку.

Досліджено провідність в базисній площині оптимально допованих монокристалів YBaCuO до та після тривалої витримки (aging) в атмосфері повітря. Показано, що тривала витримка призводить до зростання числа ефективних центрів розсіювання нормальних носіїв. Надлишкова провідність досліджених зразків у широкому інтервалі температур підкоряється експоненціальній температурній залежності, поблизу Tc задовільно описується теоретичною моделлю Асламазова - Ларкина. При цьому тривала витримка сприяє значному розширенню температурного інтервалу реалізації псевдощілинного стану та суттєвому звуженню температурного інтервалу лінійної залежності <$Erho sub ab (T)>.

Проведено исследование структурных, электронных и энергетических свойств чистого циркония с изолированными вакансиями и вакансионными кластерами. Установлены значения параметра решетки чистого циркония с различной концентрацией изолированных вакансий и с би- и тривакансиями различной конфигурации. Проанализирована устойчивость малых вакансионных кластеров, содержащих бивакансии, которые характеризуются различными расстояниями между двумя вакансиями, и тривакансии различной конфигурации. Показано, что с увеличением концентрации изолированных вакансий параметр решетки уменьшается, в то время как значение энергии формирования одиночной вакансии увеличивается. Последнее указывает на то, что изолированные вакансии при увеличении их концентрации будут, как правило, образовывать кластеры. При изучении устойчивости малых кластеров вакансий, которые содержат би- и тривакансии, показано, что в случае, когда расстояние между вакансиями в кластере не превышает значение радиуса первой координационной сферы, соответствующий вакансионный кластер будет устойчивым. В противоположном случае взаимодействие между вакансиями в бивакансии приведет к формированию изолированных вакансий, в то время как тривакансии распадаются на бивакансию и изолированную вакансию либо три изолированных вакансии в зависимости от расстояния между вакансиями в тривакансии. Проведено детальное изучение распределения электронной плотности и плотности состояний для чистого циркония с одной вакансией и наиболее устойчивыми конфигурациями би- и тривакансий.

The gyromagnetic factors of the Cu²⁺ monomer in Tl-2223 superconductor are quantitatively investigated from the perturbation formulas of these factors for a 3d⁹ ion in a tetragonally elongated octahedron. The local tetragonal distortion of the system is attributable to the axial elongation along c axis, corresponding to the five-fold coordinated Cu²⁺ (2) site with almost 30 % longer Cu - O bond length for the apical oxygen as compared to the four planar ones. The significant anisotropic behaviors of the EPR spectra perpendicular to and parallel with the ab (CuO₂) layers are analyzed on the basis of the local tetragonal elongation.

Досліджено вплив кута розорієнтації між напрямком постійного магнітного поля H = 15 кЕ і напрямком базисної ab-площини <$E alpha~=~symbol <176> ( bold roman H , ab) > на температурні залежності надлишкової провідності в області переходів у надпровідний стан роздвійникованих монокристалів <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub {7- delta}}> з малим відхиленням від кисневої стехіометрії. Встановлено, що за температур <$E T~>>~T sub c> температурні залежності надлишкової парапровідності інтерпретуються в межах теоретичної моделі флуктуаційної провідності Асламазова - Ларкіна для шаруватих надпровідних систем. Розглянуто причини появи низькотемпературних "хвостів" (паракогерентних переходів) на резистивних переходах, що відповідають різним режимам фазового стану вихорової матерії.

This work presents theoretical studying the neutral divacancy, i.e., the Ky5 center that is one of the dominant defects in 3C-SiC bulk crystals subjected to relatively high dose of neutron irradiation. Being the paramagnetic center, the extended defect Ky5 shows the value of the zero field splitting (ZFS) in the electron paramagnetic resonance (EPR) signal <$ED~=~443~cdot~10 sup -4> cm<^>-1 and <$E454~cdot~10 sup -4> cm<^>-1 in two modifications. To understand the ZFS value, relativistic ab initio calculation has been carried out for obtaining the electron structure of 3C-SiC crystal containing the defect Ky5. Using the WIEN program package, the self-consisting values of the electron density <$Erho> and controlling <$Erho> potential V have been found. Based on the obtained values <$Erho> and V, the contributions in ZFS from dipole-dipole and spin-orbit interactions have been found. It has been shown that the main contribution stems from the dipole-dipole interaction. Spin-orbit interaction gives a negligible contribution to ZFS. Due to the relativistic approach, spin-up and spin-down values of the electron density have been obtained, which permits to calculate the hyperfine fields at the nuclei in environment of the di vacancy in 3C-SiC.

За допомогою методів молекулярної динаміки Кара-Паррінелло вивчено гідратну оболонку іонної пари <$E roman {Na sup +~-~Cl sup -}>. Досліджено медійований водою та контактний стан іонної пари. Знайдено, що перша гідратна оболонка іона <$E roman Na sup +> є виражено октаедричною в обох станах. У контактному стані має місце заміщення однієї з молекул води іоном хлору. Перша гідратна оболонка іона <$E roman Cl sup -> є менш структурованою та на неї сильніше впливає близькість іона натрію у контактній парі. Кисневі координаційні числа іонів натрію та хлору дорівнюють 4,9 та 5,6 для медійованого водою стану, та 3,6 і 6,4 для контактного стану іонної пари. Відповідні водневі координаційні числа становлять 10,9 і 5,2 та 9,2 і 3,9.

A recently developed non-conventional tight-binding method was applied in combination with molecular dynamics to compute the geometric structures and cohesion energies of small stable pure Si clusters containing from 3 to 8 atoms, in neutral, positive and negative charge states. The influence of the charge state on the cluster configuration and cohesion energy is considered. The Anderson U(-) effect is observed in Si3 - Si5 clusters. Doubly positively charged states are found to be the most energetically stable form for all clusters considered. The results computed with this semiempirical approach are compared to predictions from state-of-the-art ab initio methods.

Виміряно температурні залежності поздовжньої і поперечної провідності монокристалів <$E {roman Y} sub 1-z {roman Pr} sub z roman {Ba sub 2 Cu sub 3 O sub {7- delta}}> з різним вмістом празеодиму. Показано, що збільшення концентрації празеодиму призводить до посилення ефектів локалізації та пригнічення надпровідного стану. У цьому разі, на відміну від монокристалів <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub {7- delta}}>, анізотропія нормального електроопору <$E rho sub c "/" rho sub ab (T)> добре описується за допомогою універсального "закону 1/2" для термоактиваційної стрибкової провідності.

Досліджено провідність керамік <$Eroman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub 7-delta }>, легованих Hf. Показано, що внесення домішки Hf призводить до зростання числа ефективних центрів розсіювання нормальних носіїв. Надлишкова провідність досліджених зразків у широкому інтервалі температур підпорядковується експоненційній температурній залежності, поблизу Tc задовільно описується теоретичною моделлю Асламазова - Ларкіна. При цьому домішка Hf призводить до значного розширення температурного інтервалу існування псевдощілинної аномалії в ab-площині.

Зауважено, що останнім часом представлено декілька досліджень щодо наявності кисню в алмазі, наприклад теоретично та експериментально призначена модель для N3 EPR створена з комплексу заміщувального азоту та заміщувального кисню як найближчих сусідів. Запропоновано ab initio обчислення заміщувального кисню в алмазі з огляду на стійкість, електронні структури, геометрію та надтонку взаємодію та показано, що заміщувальний кисень з C_2v, S = 1 є конфігурацією основного стану. Встановлено, що кисень продукує або ж донорний, або акцепторний рівень pалежно від положення Фермі рівня.

We present the investigation results of the in-plane rho(T) resistivity tensor at the temperature range 0,4 - 40 K in magnetic fields up to 90 kOe (H || c, J || ab) for electron-doped Nd_2-xCe_xCuO_4+delta with different degree of disorder near antiferromagnetic-superconducting phase boundary. We have experimentally found that for optimally doped compound both the upper critical field slope and the critical temperature decrease with increasing of the disorder parameter (d-wave pairing) while in the case of the underdoped system the critical temperature remains constant and dH_c2/dT increases with increasing of the disorder (s-wave pairing). These features suggest a possible implementation of the complex mixture state as the s+id pairing.

Досліджено еволюцію надлишкової провідності монокристалів <$Eroman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub {7- delta } }> за опромінення електронами. Показано, що опромінення електронами призводить до значного розширення температурного інтервалу існування надлишкової провідності, тим самим, звужуючи область лінійної залежності <$Erho (T)> в ab-площині. Встановлено, що надлишкова провідність <$EDELTA sigma (T)> монокристалів <$Eroman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub {7- delta } }> в широкому інтервалі температур <$ET sub f ~<<~T~<<~T sup *> підкоряється експоненціальній температурній залежності. Описання надлишкової провідності може бути інтерпретовано у термінах теорії середнього поля, де T<^>* представлено як середньопольову температуру переходу у ПЩ-стан, а температурна залежність псевдощілини задовільно описується у межах теорії кросовера БКШ-БЕК. Величина поперечної довжини когерентності <$Exi sub c (0)> збільшується в 1,4 разу і зміщується за температурою точка 2D-3D кросовера.

Досліджено вплив високого гідростатичного тиску до 17 кбар на провідність у базисній ab-площині слабо допованих празеодимом (x = 0,05) монокристалічних зразків <$E{ roman Y} sub 7-x { roman Pr} sub x roman {Ba sub 2 Cu sub 3 O} sub {7- delta }> з системою односпрямованих двійникових меж. Виявлено, що, на відміну від бездомішкових зразків <$Eroman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub {7- delta }>, прикладання високого тиску призводить до суттєвого зростання величини баричних похідних dTc/dP і <$Ed xi sub c>/dP і зміщення за температурою точки 2D-3D кросовера. Обговорено можливі механізми впливу високого тиску на критичну температуру і довжину когерентності в об'ємі експериментального зразка у межах моделі, що передбачає наявність сингулярностей в електронному спектрі носіїв заряду, який характерний для решіток з сильним зв'язком. Встановлено, що надлишкова провідність <$EDELTA sigma (T)> монокристалів <$Eroman {Y sub 0,95 Pr sub 0,05 Ba sub 2 Cu sub 3 O} sub {7- delta }> у широкому інтервалі температур Tf << T << Т<^>* підпорядковується експоненційній температурній залежності. При цьому опис надлишкової провідності за допомогою співвідношення <$EDELTA sigma> ~ (1 - T/T<^>*)exp(<$EDELTA sub ab sup * "/" T>) може бути інтерпретовано у термінах теорії середнього поля, де T<^>* представлена як середньопольова температура надпровідного переходу, а температурна залежність псевдощілини задовільно описується у межах теорії кросовера БКШ-БЕК. Збільшення тиску, що прикладається, призводить до ефекту звуження температурного інтервалу реалізації ПЩ-режиму, тим самим розширюючи область лінійної залежності <$Erho (T)> в ab-площині.