Вивчено УФ спектри поглинання у зневодненому ДМСО похідних гуаніну m⁹Gua, m₂^2,9Gua, m¹Gua, m₂^1,7Gua, G, dG, m₁G, m²G, m⁷G, а також його аналога isoGua. Досліджено та інтерпретовано зміну УФ поглинання похідних Gua в присутності похідних амінокислот, що містять нейтральну карбоксильну групу ac-Asp, ac-Glu, ac-Gly, ac-Asp-Ome та f-GlyONA і NaAc з депротонованою карбоксильною групою. Показано, що m¹Gua та m⁷Gua у зневодненому ДМСО існують як таутомери N9H. Встановлено, що переважна більшість досліджених похідних Gua взаємодіє лише з депротонованою карбоксильною групою, за винятком m⁷G, isoGua та m³Gua, здатних утворювати комплекси також із нейтральною карбоксильною групою. Розраховано енергетичні характеристики прототропних таутомерів Gua та їх комплексів з карбоксилат-іоном напівемпіричним методом MNDO/H у вакуумному наближенні.

In the paper we present the results of the ac susceptibility measurements of two newly discovered superconducting diboride - MgB2.

Magnetization, ac initial magnetic susceptibility, resistance, magnetoresistance, thermal expansion and magnetostriction measurements were performed for R_{1 - x}Sr_xMnO₃ (R = Sm, x = 0,33, 0,40, 0,45; R = Nd, x = 0,33, 0,45) compounds. For all compounds in the T_C region we have observed a large volume contraction DELTA V / V approx 0,1 % and unusual behavior of the volume magnetostriction w, namely, a peak of anomalous magnitude of negative volume magnetostriction on the w(T) curve. We have obtained a giant negative volume magnetostriction ~ 5 ^. 10^-4 at a relatively low magnetic field B = 0,9T and ~ 10^-3 at a high magnetic field B = 13T for Sm samples. The magnetostriction of Nd compounds is one order of magnitude less. For all compounds the giant magnetostriction is accompanied by colossal negative magnetoresistance equal to 78, 72, and 44 % at B = 0,9T for Sm compounds with x = 0,33, 0,40, and 0,45, respectively. All of the observed properties are explained in the framework of an electronic phase separation model.

The small nonmonotonic changes of the lattice parameters upon the substitution of Mn for Fe in Ce₂Fe₁₇ lead to significant changes of the magnetic properties. In order to determine the role of the volume, we made ac susceptibility and thermal expansion measurements on the polycrystalline compounds Ce₂Fe_16,65Mn_0,35 and Ce₂Fe₁₆Mn₁ under hydrostatic pressure up to 10 kbar in the temperature range 10 - 300 K. The substitution of Mn for Fe leads to significant narrowing of the range of stability of the low-temperature ferromagnetic phase characterized by Q_T = 48 K (x = 0,35) in comparison with binary Ce₂Fe₁₇, where Q_T = 94 K. Applying a relatively small pressure of 1,5 kbar leads to suppression of both the ferromagnetic order and large positive spontaneous volume magnetostriction in Ce₂Fe_16,5Mn_0,35. The pressure effect on Q_T is significant, dQ_T / dp = -30 K/k^-. The effect of pressure on the Neel temperature is moderate and slightly increases with increasing Mn content (dT_N / dp = -2,2 K/k^- for Ce₂Fe_16,65Mn_0,35). No ferromagnetic order was observed in Ce₂Fe₁₆Mn₁ at ambient pressure, but an unexpected reentering increase of the ac susceptibility was detected at pressures higher than 1,5 k^- below 50 K. It indicates the existence of a pressure-induced ferromagnetic phase at low temperature.

The results show not only a strong correlation between the magnetic properties and the lattice volume but also a significant role of the Mn content.

Measurements of the electrical response of granular Sn-Ge thin films below the superconducting transition temperature are reported. Addition of an external noise to the magnetic field applied to the sample is found to increase the sample voltage response to a small externally applied ac signal. The gain coefficient for this signal as well as the signal-to-noise ratio displays clear maxima at particular noise levels. We interpret these observations as a stochastic resonance in the percolative Josephson media that occurs close to the percolation threshold.

Исследованы статическая намагниченность <$E M sub N> и динамическая магнитная восприимчивость <$E chi sub ac> поликристаллического манганита <$E roman {La sub 0,66 Ba sub 0,34 MnO sub 3}> в интервале температур <$E 5~roman К~<<~T~<<~350~roman К>. Измерения проведены на образце с размагничивающим фактором N = 5,4 в статических магнитных полях H в интервале 0 - 120 Э и на тороидальном образце с N = 0 в полях частотой 120 и 1000 Гц и амплитудой <$E 8^cdot^10 sup -3~-~4,1> Э. В области <$E 5~roman К~~<<~T~<<~270~roman К> исследовано влияние одноосного давления P = 0,1 кбар на статическую восприимчивость <$E chi sub N~=~M sub N "/" H>. Обнаружено, что в магнитоупорядоченном состоянии (ниже 314 К) <$E chi sub ac> не зависит от амплитуды поля в интервале 1,5 - 4,1 Э и температуры между 250 и 302 К. При температуре <$E T sub p~=~250> К обнаружен фазовый переход 2-го рода (разрыв производной <$Edel chi sub ac "/" del T>), при <$E T sub i~=~177,5> К - фазовый переход 1-го рода (разрыв зависимости <$E chi sub ac ( T )>). Одноосное давление приводит к аномальному понижению восприимчивости в области 160 - 250 К с острым минимумом при 200 К. Температурная и полевая зависимости магнитной восприимчивости вне области фазовых переходов интерпретированы в рамках представлений об образовании в системе в слабых полях при температуре ниже 302 К геликоидальной магнитной структуры.

Исследованы температурные зависимости комплексной магнитной восприимчивости <$Echi prime~+~chi symbol Т> ряда YBCO пленок при различных амплитудах возбуждающего поля <$E H sub ac>. На зависимости температуры <$E T sub m>, при которой наблюдается максимум на зависимости <$E chi symbol Т ( T )>, от <$E H sub ac sup alpha> (параметр <$Ealpha~=~1>, 1/2, 2/3 и определяется характером связей между кристаллитами) обнаружен излом при некотором поле <$E Н sub ac~=~H sub 1 sup *>. Предполагается, что температура <$E T sub c1>, полученная экстраполяцией зависимости <$E T sub m ( H sub ac sup {2 "/" 3})> из области больших полей к нулевому полю, является температурой перехода Березинского - Костерлица - Таулесса (<$E Т sub ВКТ>). Это предположение основано на сопоставлении полученных результатов с литературными данными по исследованию комплексной восприимчивости монокристалла <$E roman {GdBa sub 2 Cu sub 3 O sub 6,75}> при направлениях <$E Н sub ас> параллельно с оси монокристалла и вдоль ab-плоскости, а также совпадении расчетных величин некоторых характерных температур вблизи БКТ перехода с полученными экспериментально.

Исследованы температурные зависимости комплексной магнитной восприимчивости <$Echi prime~+~chi symbol Т> ряда YBCO пленок при различных амплитудах возбуждающего поля <$E H sub ac>. На зависимости температуры <$E T sub m>, при которой наблюдается максимум на зависимости <$E chi symbol Т ( T )>, от <$E H sub ac sup alpha> (параметр <$Ealpha~=~1>, 1/2, 2/3 и определяется характером связей между кристаллитами), обнаружен излом при некотором поле <$E Н sub ac~=~H sub 1 sup *>. Предполагается, что температура <$E T sub c1>, полученная экстраполяцией зависимости <$E T sub m ( H sub ac sup {2 "/" 3})> из области больших полей к нулевому полю, является температурой перехода Березинского - Костерлица - Таулесса (<$E Т sub ВКТ>). Это предположение основано на сопоставлении полученных результатов с литературными данными по исследованию комплексной восприимчивости монокристалла <$E roman {GdBa sub 2 Cu sub 3 O sub 6,75}> при направлениях <$E Н sub ас> параллельно с оси монокристалла и вдоль ab-плоскости, а также совпадении расчетных величин некоторых характерных температур вблизи БКТ перехода с полученными экспериментально.

Изучено явление квантового туннелирования намагниченности в соединении Mn12О12(CH3СОО)16(Н2О)4. Исследования проведены с точки зрения изучения влияния давления на поведение намагниченности при температурах ниже температуры блокировки в режимах field cooling (FC) и zero field cooling (ZFC). В эксперименте были измерены температурные и полевые зависимости намагниченности в интервале температур 300 - 2 К и магнитных полей 0 - 5 Т. Показано, что на кривых намагничивания наблюдаются скачки, связанные с туннелированием. Эти скачки отчетливо проявляются как при нулевом, так и при отличном от нуля давлениях. В рамках модели, учитывающей спин-фононную связь и поперечное магнитное поле, проведена оценка микроскопических параметров взаимодействия. Получено качественное и количественное согласование результатов теории и эксперимента.

For certain orientations of Josephson junctions between two <$E p sub x>-wave or two <$E d>-wave superconductors, the subgap Andreev bound states produce a <$E 4 pi>-periodic relation between the Josephson current <$E I> and the phase difference <$E phi :~I~inf~sin ( phi "/" 2)>. Consequently, the ac Josephson current has the fractional frequency <$E eV "/" h bar> where <$E V> is the dc voltage. In the tunneling limit, the Josephson current is proportional to the first power (not square) of the electron tunneling amplitude. Thus, the Josephson current between unconventional superconductors is carried by single electrons, rather than by Cooper pairs. The fractional ac Josephson effect can be observed experimentally by measuring frequency spectrum of microwave radiation from the junction.

The nonlinear response to an ac magnetic field with and without parametric pumping was studied experimentally on a rod-like beryllium single crystal at low temperatures in a quantizing magnetic field applied parallel to the hexagonal axis. At low temperatures (<$E symbol Г~3> К) giant parametric amplification of the nonlinear response is observed in narrow windows near de Haas - van Alphen (dHvA) beating antinodes where the amplitude of the magnetic oscillations is maximal. This effect is of threshold character with respect to the amplitude of the dHvA oscillations and occurs as a result of a diamagnetic phase transition of a strongly correlated electron gas into nonuniform state with formation of Condon domain structure. It is shown that the nonuniform phase appears periodically in a magnetic field. The components of rectified signal field reproduce the envelope of H - T critical curves and can be used for reconstruction of diamagnetic phase diagrams.

Знайдено рівноважні розподіли намагніченості в доменній межі (ДМ) ab- і ac-типу в слабких феромагнетиках, що знаходяться в змінному магнітному полі (ЗМП). Визначено закон розвороту вектора намагніченості в такій ДМ, поверхневу енергію ДМ та умови стійкості кожної ДМ. Передвіщено можливість переходу ДМ ab-типу <$E symbol М vec> ДМ ac-типу під дією ЗМП.

Recently developed ac ZnS-powder electroluminescence devices have flexibility (thickness is about 60 <$E mu>m) and can be multisegment, multicolor, as well as rolled and bent. All colors (white, blue, blue-green, green, and orange) have been investigated for improvement of their operational characteristics. Many factors including the type of phosphor, formation method, contacts, initial input power (peak voltage and frequency), type of input power, and environment safety which define the panel's properties are discussed.

The frequency dispersion of the loss tangent (tg<$E delta>) and the ac conductivity (<$E sigma sub roman ac>) of amorphous films prepared by evaporation of TlInS2 has been investigated at frequencies <$E f~=~5~cdot~10 sup 4~-~3,5~cdot~10 sup 7> Hz. It is shown that, at <$E f~>>~10 sup 6> Hz, relaxation losses take place. It is established that the hopping conduction near the Fermi level occurs in TlInS2 amorphous films at frequencies up to <$E 3~cdot~10 sup 6> Hz. The density of localized states at the Fermi level, the mean time for phonon-assisted tunneling, and the hopping distance have been evaluated for polymorphic TlInS2 films. For frequencies above <$E 10 sup 7> Hz, <$E sigma sub roman ac (f)> ~ <$E f sup 2>. Such a behavior is caused by optical transitions in TlInS2 amorphous films.

The electromagnetic response of the superconducting ferromagnets RuSr2Gd1,5Ce0,5Cu2O10 (Ru - 1222 Gd) in an ac magnetic field of finite amplitude is investigated. Taking into account weak links between granules and magnetization of the magnetic sublattice, it is shown that the response of a sample in a superconducting state with the fundamental frequency and frequency of the 3rd harmonic can be described by the nonlinear equation for the macroscopic field. Generation of the harmonic at temperatures above superconducting transition corresponds to Rayleigh's mechanism. Using various regimes of a sample cooling, the internal magnetic field determined by the magnetic sublattice was measured. This is direct evidence of the coexistence of ferromagnetic and superconductive order parameters in high-<$E T sub c> ruthenocuprates.

A magnetic nanoparticle in a vortex state is a promising candidate for the information storage. One bit of information corresponds to the upward or downward magnetization of the vortex core (vortex polarity). Generic properties of the vortex polarity switching are insensitive of the way how the vortex dynamics was excited: by an ac magnetic field, or by an electrical current. We study theoretically the switching process and describe in detail its mechanism, which involves the creation and annihilation of an intermediate vortex-antivortex pair.

New special formules for the mean current, effective voltage, and power in the ac curcuit with controlled diodes are deduced.

Показано, что вольт-фарадные характеристики, имеющие участки крутого падения, в частности вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур GaAs, могут быть измерены при умеренно малых амплитудах переменного напряжения (порядка 100амВ) за счет проведения измерения на двух различных амплитудах. Данный вывод подтвержден результатами численного расчета кажущейся емкости эпитаксиальных структур GaAs.

Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характеристики тонкоплівкових структур GaAs, можуть бути виміряні за помірно малих амплітудах змінної напруги (порядку 100амВ) за рахунок проведення вимірювань на двох різних амплітудах. Цей висновок підтверджено результатами числового розрахунку позірної ємності епітаксіальних структур GaAs.

It is shown that capacitance-voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring ac voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures.

Розглянуто проблеми прямого синтезу, досліджено будову та властивості комплексів Cu(II)/Cr(III). За результатами вивчення взаємодії порошку металічної міді з сіллю Рейнеке у неводних розчинах (метанол, ДМСО, ДМФА, ацетонітрил) N-донорних лігандів (у присутності ацентону у випадку прямого темплатного синтезу) запропоновано новий метод прямого синтезу, за яким одержано 24 нові комплекси. Встановлено, що умови прямого синтезу сприяють перебігу реакцій конденсації ацетону з первинними амінами або ацетону з первинними амінами й аміаком, що призводить до утворення відкритоланцюгових основ Шиффа enac, trienac, dmenac, dme<$Eroman n sub 2>ac, dienac, trenac (утворення чотирьох останніх спостерігалось вперше). Проведено рентгеноструктурний аналіз 18-ти нових різнометалічних координаційних сполук. Комплекси охарактеризовано методами ІЧ-, електронної, ЕПР-спектроскопії, мас-спектрометрії, магнетохімії та термічного аналізу. Показано, що синтезовані сполуки проявляють активність у каталізі обриву ланцюгів окиснення гексаметаполу молекулярним киснем, виявляють фотопровідність у полімерних композитах, а також антифітовірусну активність.