Виміряно спектри поглинання, фотомодульованого відбиття та фото-ерс плівок SnCl2-фталоціаніну, одержаних вакуумною сублімацією на підкладки з різною температурою. Визначено енергії екситонів із переносом заряду (1,35; 1,52 і 2,05 еВ) і довжину дифузії екситонів Френкеля ((<$E 130~symbol С~30>) нм) у них. Фоточутливість плівок SnCl2-фталоціаніну за величиною порівнянна з фоточутливістю шарів n-типу периленових похідних (МРР) і приблизно у 5 разів є більшою за фоточутливість термічно напилених шарів C60 n-типу.

Досліджено морфологію, оптичні та фотовольтаїчні властивості полікристалічних плівок CuInSe2, виготовлених за допомогою методу імпульсного напилення. Встановлено зміни форми кристалітів, величини та спектральної залежності фотоерс і додаткового поглинання (в порівнянні зі спектрами поглинання монокристалів CuInSe2) залежно від температури підкладок, на яких вирощено плівки. Ці особливості пояснено формуванням у плівках CuInSe2 домішок інших селенідів, ефективність створення яких залежить від температури підкладок. Зростання фотоерс зі зростанням температури підкладок до 720 - 770 K сягає трьох порядків. Одержані результати можна використовувати під час розробки фоточутливих структур на основі CuInSe2.

Розраховано залежність спектрів екситонів від магнітного поля у квантових ямах <$E {roman Cd} sub 1-x {roman Mn} sub x roman {Te "/" CdTe "/" Cd} sub 1-x {roman Mn} sub x roman Te>, опромінених високоенергетичними частинками. Показано, що в опромінених зразках має місце суттєве збільшення розщеплення екситонних рівнів у магнітному полі у квантовій ямі. Збільшення розщеплення обумовлене зростанням ролі обмінної взаємодії екситонів із магнітними іонами марганцю, що проникають у шар квантової ями під дією опромінення. Досліджено величину ефекту залежно від дози опромінення та ширини квантової ями.

Досліджено екситонні властивості наноструктур на базі напівмагнітних напівпровідників. Розраховано магнітну залежність основного та першого збудженого екситонних рівнів у напівмагнітних квантових ямах і квантових дротах. Показано, що розщеплення екситонних рівнів у зовнішньому магнітному полі у квантовому дроті значно перевищує відповідне розщеплення у квантовій ямі. Досліджено розсіяння екситонів на флуктуаціях концентрації та проекції спінів магнітних домішок, яке призводить до значного розширення екситонних смуг у квантових ямах з напівмагнітних напівпровідників. Встановлено, що ширина смуг істотно залежить від зовнішнього магнітного поля, причому характер залежності різний для sigma^-- та sigma⁺-компонент екситонного переходу. Зростання напруженості поля призводить до розширення смуг sigma^--переходу та звуження смуг sigma⁺-переходу. Запропоновано модель для розрахунку парамагнітного посилення гігантського спінового розщеплення екситонних станів у квантових ямах Cd_{1 - x}Mn_xTe/CdTe/Cd_{1 - x}Mn_xTe.

Досліджено розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках (КТ) у бінарних напівпровідниках і зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Розмиття відбувається внаслідок перерозподілу атомів різного сорту між бар'єром і КТ завдяки радіаційно-прискореній дифузії. Показано, що в напівмагнітних напівпровідниках (наприклад, у CdTe/(Cd, Mn)Te), в яких існує ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів, перерозподіл іонів марганцю під дією опромінення призводить до суттєвого збільшення розщеплення електронних рівнів у магнітному полі у КТ.

Теоретично досліджено залежність ефекту підсилення поглинання світла від взаємного розташування срібної нанооболонки та периферичного LH2 комплексу фотосинтетичних бактерій в гібридній світлозбиральній структурі. Ефект підсилення поглинання світла у смузі В850 зумовлений сильною взаємодією екситонів LH2-кільця та поверхневих плазмонів нанооболонки. Визначено діапазон параметрів гібридної структури, для яких присутність срібної нанооболонки веде до підвищення ефективності процесів фотосинтезу.

Простежено тенденції розвитку нового напряму матеріалознавства, пов'язаного з дослідженням органічних молекулярних матеріалів, проаналізовано перспективи їх застосування у різних галузях електроніки.