За допомогою методу хімічного осадження з водного розчину одержано тонкі плівки CuIn(S,Se2). Установлено елементний склад, морфологію поверхні та оптичні властивості одержаних покриттів.

Одержано тонкі плівки CdS із водних розчинів кадмій ацетату хімічним поверхневим осадженням. Розроблено методику контролю процесу осадження за допомогою методу інверсійної вольтамперометрії.

Одержано тонкі плівки CdSe із водних розчинів кадмій хлориду хімічним поверхневим осадженням. Розроблено методику контролю процесу осадження за допомогою методу інверсійної вольтамперометрії.

Розроблено технологію хімічного поверхневого осадження та одержано тонкі плівки CdS на підкладках p-CdTe. Вивчено склад і структуру одержаних покриттів. Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів n-СdS/p-CdTe. Показано можливість застосування методу хімічного поверхневого осадження для створення тонкоплівкових сонячних елементів на основі n-СdS/p-CdTe.

Розвинуто науковий напрям синтезу тонких плівок кадмій сульфіду та кадмій селеніду методом хімічного поверхневого осадження з водних розчинів кадмійвмісних солей: хлориду, нітрату, сульфату, ацетату, йодиду. Вивчено вплив природи вихідної солі, температури, тривалості осадження, концентрацій солей, тіосечовини та натрій селеносульфату на оптичні, морфологічні, електричні властивості плівок CdS і CdSe та ступінь їх кристалічності. Розроблено та захищено патентом України на корисну модель спосіб одержання тонких плівок кадмій селеніду. Вперше використано метод інверсійної вольтамперометрії для визначення концентрації іонів кадмію у тонких плівках кадмій сульфіду та кадмій селеніду. На основі одержаних даних запропоновано нову методику оцінювання товщини плівок. Розроблено та захищено патентом України на корисну модель спосіб визначення вмісту іонів кадмію. Вперше створено математичну модель процесу хімічного поверхневого осадження плівок CdS та CdSe для збільшення ефективності проведення досліджень і зниження затрат на їх організацію. Вперше доведено можливість застосування хімічного поверхневого осадження плівок кадмій сульфіду та кадмій селеніду для виготовлення тривимірних фоточутливих гетероструктур CdS/Si та CdSe/Si як ефективних перетворювачів сонячного випромінювання.

Синтезовано плівки ZnS за допомогою методу хімічного поверхневого осадження з водного розчину солі цинк сульфату на скляні підкладки. Досліджено оптичні властивості, морфологію поверхні, ступінь кристалічності плівок ZnS залежно від умов осадження.

Розглянуто та проаналізовано основні аспекти синтезу тонких плівок індій сульфіду методом хімічного осадження. Звернено увагу на вибір методу хімічного осадження у зв'язку з його перевагами. Проаналізовано основні умови синтезу плівок (природа і концентрація реагуючих речовин робочого розчину, температура, час осадження, природа підкладки, умови відпалу) та розглянуто їхній вплив на фазовий склад, оптичні та морфологічні властивості плівок. Підсумовано результати досліджень фізико-хімічних властивостей плівок. Виділено оптимальні умови хімічного осадження плівок індій сульфіду залежно від природи підкладки і способу її попередньої підготовки. Увагу приділено аналізу, порівнянню фізико-хімічних властивостей плівок залежно від умов синтезу.