Исследованы терморезистивные и термоэлектрические характеристики сильнолегированных нитевидных кристаллов Si - Ge, на основе которых создан датчик для измерения криогенных температур, работоспособный в условиях действия магнитных полей.

Thermoresistive and thermoelectric performances of heavily doped Si-Ge whiskers were studied. On the base of the whiskers sensors for cryogenic temperature measurement operating at magnetic field action were designed.

Розглянуто питання фінансів, зокрема, їх сутність, передумови виникнення, функції, організаційну структуру фінансової системи. Розкрито сутність фінансової політики як важливої сфери діяльності держави, а також суть понять фінансових механізму, ресурсів і планування, податків, основних і оборотних фондів, бюджетних системи, устрою та процесу, дефіциту Державного бюджету, місцевих фінансів, платіжного балансу, державних боргу та кредиту, соціального страхування, фінансового та кредитного ринків, ринку цінних паперів. Охарактеризовано принципи організації та побудови податкової системи.

Рассмотрены вопросы финансов, в частности, их сущность, предпосылки возникновения, функции, организационная структура финансовой системы. Раскрыты сущность финансовой политики как одной из важных сфер деятельности государства, а также содержание понятий финансовых механизма, ресурсов и планирования, налогов, основных и оборотных средств, бюджетных системы, устройства и процесса, дефицита Государственного бюджета, местных финансов, платежного баланса, государственных долга и кредита, социального страхования, финансового и кредитного рынков, рынка ценных бумаг. Охарактеризованы принципы организации и построения налоговой системы, предложена бюджетная классификация Украины.

Досліджено вплив деформації та магнітного поля на поведінку електропровідності ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-xGex (x = 0,01 - 0,05) з концентрацією бору (<$E 1~-~4)~ times ~10 sup 18~ roman см sup -3> за низьких температур 4,2 - 50 К. У кристалах встановлено негативний магнітоопір та максимум коефіцієнта тензочутливості за температур T = 15 - 18 К. Виявлені ефекти пояснюються особливостями стрибкової провідності по делокалізованих станах верхньої зони Хаббарда.

Досліджено залежності провідності ниткоподібних кристалів твердого розчину Si - Ge <$E <<~В ,~Pt~>> > від температури (4,2 - 250 К). На підставі врахування механізмів розсіювання носіїв заряду у кристалах визначено енергію активації та концентрації легуючих домішок.

Розглянуто особливості ефекту п'єзо-Зеєбека в ниткоподібних кристалах (НК) твердого розчину <$E {roman Si} sub 1-x {roman Ge} sub x> (<$E x~=~0,01~symbol Ш~0,03>) з концентрацією домішок поблизу переходу метал - діелектрик в інтервалі температур 4,2 - 300 K з метою використання цього ефекту для створення сенсорів температури. Показано, що в температурній області <$E T~>>~30> К спостерігається класична поведінка п'єзо-термоерс - збільшення <$E alpha> при розтягу <$E ( epsilon~=~0~symbol Ш~+ 4,7~times~10 sup -4 )> та зменшення при стиску <$E ( epsilon~=~0~symbol Ш~-4,3~times~10 sup -3 )>. В області низьких температур <$E T~<<~30> K спостерігається аномальний ефект - збільшення коефіцієнта Зеєбека незалежно від знака деформації. Цей ефект ймовірно пов'язаний з істотною зміною густини станів домішкової зони (верхньої та нижньої зон Хаббарда) під впливом деформації. Комбінація класичної та некласичної поведінки п'єзо-термоерс при деформації стиску забезпечує незалежність коефіцієнта Зеєбека НК від температури в широкому температурному інтервалі 20 - 120 К, що може бути використане під час створення сенсора для вимірювання різниці температур.

Досліджено залежності опору та магнітоопору ниткоподібних кристалів твердого розчину SiGe <> від температури (30 - 300 K) та магнітного поля (0 - 14 Тл). Показано, що за низьких температур (30 - 50 K) розсіювання носіїв заряду відбувається на іонізованих домішках, а за умов підвищення температури - на акустичних фононах. Визначено енергію активації та концентрації домішок у кристалах.

Досліджено польові залежності намагніченості та магнітної сприйнятливості субмікронних (0,3 - 0,9 мкм) ниткоподібних кристалів (НК) <$E roman {Si sub 0,95 Ge sub 0,05 <<~B~>> }> за фіксованих температур та в діапазоні температур 4,2 - 300 K за напруженості магнітного поля 4 кЕ. Одержані експериментальні дані свідчать про магнітну взаємодію центрів в НК, яка, ймовірно, пов'язана з наявністю обірваних зв'язків у пористій оболонці кристалів.

Вивчено термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів (НК) <$E {roman Si} sub 1-x {roman Ge} sub x> <$E (х~=~0,01~symbol Ш~0,11)> у діапазоні температур <$E 4,2~symbol Ш~500> К. Виміряно характеристики НК з концентрацією бору поблизу переходу метал - діелектрик з діелектричного боку переходу. Досліджено температурні залежності коефіцієнта Зеєбека для НК з різним питомим опором (<$E rho~=~0,01~symbol Ш~0,05~roman {Ом~cdot~см}>). Встановлено, що коефіцієнт Зеєбека переважно слабко зростає з ростом температури. Кутовий коефіцієнт <$E alpha (T)> залежить від рівня легування НК. Величина <$E alpha> становить майже 1 мВ/К, що перспективно для застосування їх як чутливих елементів сенсорів температури. Для оцінки ефективності такого сенсора оцінено термоелектричну добротність Z НК. Залежно від рівня легування термоелектрична добротність НК в досліджуваному інтервалі температур становить ~ <$E (1~symbol Ш~2)~cdot~10 sup -4~roman K sup -1>. Таким чином, одержані результати дають можливість зробити висновок, що сильно леговані НК Si - Ge (<$E x~=~0,01~symbol Ш~0,1>) можна використовувати для виготовлення сенсорів кріогенних та вищих за кімнатну температур.

Установлено основні кінетичні закономірності емульсійної та блочної полімеризації гідрофобних вінілових мономерів за присутності полівінілпіролідону або його кополімерів. Емульсійною полімеризацією метилметакрилату та стиролу синтезовано активні полімерні матриці, які використано для проведення з високою швидкістю блочної полімеризації метилметакрилату без використання додаткових ініціюючих систем із досягненням високого граничного ступеня конверсії мономера.

Сформовано основні методичні положення оцінювання бізнес-процесів підприємства, що базуються на використанні методів функціонально-вартісного, матричного та таксономічного аналізу. Основними критеріями оцінювання окремих бізнес-процесів виступають важливість, надлишок витрат та якість. Якість бізнес-процесів оцінено окремо: через якість процесу й якість його результату. Обгрунтовано, що якість результату бізнес-процесу оцінюється показниками результативності та задоволеності споживача, а якість процесу - коефіцієнтами актуалізації, зосередження, функціональних можливостей (гнучкості), сумісності.

Розроблено методи створення та прогнозування характеристик сенсорів теплових величин для широкого інтервалу температур на основі ниткуватих кристалів (НК) твердого розчину <$E{ roman Si} sub {1~-~x } { roman Ge} sub x> (x = 0,01 - 0,1) p-типу провідності, легованих домішками , , до концентрації з діелектричного боку переходу метал - діелектрик. Наведено результати досліджень терморезистивних і термоелектричних властивостей НК <$E{ roman Si} sub {1~-~x } { roman Ge} sub x> в інтервалі низьких і підвищених температур під дією деформування та магнітного поля, визначено механізми транспорту носіїв заряду в широкому інтервалі температур і степенів легування напівпровідника. Проведено дослідження магнітних властивостей НК і дестабілізувального впливу зовнішніх магнітних полів на термометричні характеристики НК <$E{ roman Si} sub {1~-~x } {roman Ge} sub x>. Розраховано основні термоелектричні та термометичні параметри НК й обгрунтовано можливості їх використання у сенсорах теплових величин для кріогенних і підвищених температур. На базі НК <$E{ roman Si} sub {1~-~x } { roman Ge} sub x> створено високочутливі малоінерційні сенсори температури та різниці температур для інтервалів кріогенних (20 - 120 К) і підвищених (300 - 550 К) температур, а також визначення працездатності за умов дії достатньо сильних зовнішніх магнітних полів.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З322-5

Рубрики:

Вимірювання температури (термометрія)

Шифр НБУВ: РА362734 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано методи вирощування мікро- та нанорозмірних ниткоподібних кристалів (НПК) Si, Ge та їх твердих розчинів (ТР). Наведено результати дослідження електропровідності, магнето- та п'єзоопору, коефіцієнта Зеєбека НПК Si, Ge та <$Eroman {Si sub 1 - x~ Ge sub x}> у широкому інтервалі температур за впливу сильних магнетних полів і деформацій, для створення сенсорів механічних і теплових величин на їх основі. Розкрито конструктивні особливості та методи покращання вимірювальних характеристик сенсорів механічних і теплових величин на основі НПК кремнію, германію та ТР <$Eroman {Si sub 1 - x~ Ge sub x}>.

Проанализированы методы выращивания микро- и наноразмерных нитеобразных кристаллов (НОК) Si, Ge и их твердых растворов (ТР). Приведены результаты исследования электропроводимости, магнето- и пьезосопротивления, коэффициента Зеебека НОК Si, Ge и <$Eroman {Si sub 1 - x~ Ge sub x}> в широком интервале температур при влиянии сильных магнетических полей и деформаций, для создания сенсоров механических и тепловых величин на их основе. Раскрыты конструктивные особенности и методы улучшения измеряемых характеристик сенсоров механических и тепловых величин на основе НОК кремния, германия и ТР <$Eroman {Si sub 1 - x~ Ge sub x}>.

Розроблено науково-методичні рекомендації з реалізації менеджменту бізнес-процесів автотранспортних підприємств на підставі обгрунтування основних положень їх оцінювання й удосконалення моделі реінжинірингу.

Удосконалено існуючі теоретичні положення та розроблено науково-методичні рекомендації щодо формування та реалізації менеджменту бізнес-процесів автотранспортних підприємств (АТП). Уточнено поняття "бізнес-процес" і "менеджмент бізнес-процесів". Запропоновано класифікацію процесів автотранспортних підприємств шляхом виокремлення у їх складі бізнес-процесів, які декомпоновано на процеси формування послуг, надання основних і додаткових послуг. Сформовано систему менеджменту бізнес-процесів АТП у вигляді дворівневої ієрархічної структури з виділенням відповідних контурів управління окремими видами процесів. Вдосконалено методичний підхід до оцінки бізнес-процесів АТП, що передбачає їх оцінювання на узагальненому та деталізованому рівнях. На узагальненому рівні встановлено рівень функціонування бізнес-процесів методом рангової кореляції. Деталізований рівень призначений для оцінки бізнес-процесів з процесів за показниками важливість, якість та ефективність використання витрат. Розроблено науково-методичні рекомендації щодо реалізації менеджменту бізнес-процесів АТП, які включають формування процесу їх покращання, реалізацію відповідних методів і формування організаційної структури підприємства, орієнтованої на менеджмент бізнес-процесів.

Створено багатофункціональну вимірювальну систему з використанням сенсорів деформації, тиску та температури на основі структур кремній-на-ізоляторі та ниткоподібних кристалів твердого розчину <$E {roman Si} sub x {roman Ge} sub 1-x>. Запропоновано схемне вирішення об'єднання їх в мережу ETHERNET з використанням програмно-апаратних засобів.

Доведено необхідність розмежування понять "процес" та "бізнес-процес" в межах процесно-орієнтованого управління. Уточнено поняття "бізнес-процес", відмінностями якого у порівнянні з існуючими є: розділення споживачів бізнес-процесу на внутрішніх і зовнішніх; доповнення якісної характеристики бізнес-процесу "послідовність" (як ознаки базового поняття "процес"); ємність визначення. Обгрунтовано підхід до класифікації процесів підприємства, що передбачає їх розділення на бізнес-процеси та процеси функціонування і управління підприємством. Розроблено модель бізнес-процесів АТП, що на відміну від існуючих, грунтується на концепції створення безпосередньої споживчої цінності та передбачає побудування ланцюжка бізнес-процесів підприємства, які класифікуються на основні та забезпечуючі.

Досліджено фотолюмінесценцію та поглинання стекол системи Er2Se3 - Ga2Se3 - GeSe2. Піки розташовані близько 805, 980, (1506 - 1528) нм в спектрах поглинання пов'язані з переходами на внутрішній 4f оболонці в іонах <$E roman Er sup 3+> з <$E nothing sup 4 roman I sub {15 "/" 2}> рівня на <$E nothing sup 4 roman I sub {9 "/" 2}>, <$E nothing sup 4 roman I sub {11 "/" 2}>, <$E nothing sup 4 roman I sub {13 "/" 2}> рівні, відповідно. В склоподібних сплавах за <$E roman {Er sub 2 Se sub 3}~symbol У~1> мол. % утворюються кластери, які зменшують ефективність фотолюмінесценції.

Обгрунтовано місце системи менеджменту бізнес-процесів АТП в загальній системі менеджменту підприємства. Виділено підсистеми стратегічного менеджменту, менеджменту бізнес-процесів стратегічної спрямованості і поточної діяльності та менеджменту процесів функціонування підприємства. Сформовано систему менеджменту бізнес-процесів АТП, що на відміну від існуючих, грунтується на системно-кібернетичному підході і є дворівневою ієрархічною структурою, в межах якої визначено контури управління виділеними бізнес-процесами АТП та встановлено їх взаємозв'язок.

Досліджено температурні залежності коефіцієнта Зеєбека ниткоподібних кристалів <$E {roman Ge} sub x {roman Si} sub 1-x> (<$E 0~<<~х~<<~0,05>) в інтервалі температур 4,2 - 200 К. Показано можливість створення та прогнозування характеристик сенсорів температури та різниці температур, дієздатних в інтервалі низьких (4,2 - 77 К) температур.

Обгрунтовано доцільність використання процесного підходу за сучасних умов функціонування підприємств. Проаналізовано поняття "процесний підхід", "процесно-орієнтоване управління", "менеджмент бізнес-процесів" та розкрито їх сутність. Уточнено поняття "менеджмент бізнес-процесів", відмінностями якого, у порівнянні з існуючими, є: визначення менеджменту бізнес-процесів як цілеспрямованої скоординованої діяльності; акцентування уваги на узгодженості всіх аспектів функціонування бізнес-процесів підприємства для задоволення вимог споживачів.