Проведен анализ микросейсмического мониторинга толщи горного массива, примыкающей к ранее выработанному пространству и разделенного межлавным целиком. Показано, что полную защиту региональной зоны разгрузки можно обеспечить только предохранительной полосой угля, ширина которой должна устанавливаться в зависимости от конкретных условий.

Розглянуто питання взаємозв'язків понять системного дослідження. Особливу увагу приділено проблемі місця комунікації в його апараті.

Методом 4-зондових вимірювань питомого електроопору досліджено вплив домішки олова на генерацію й відпал термодонорів у n-кремнії за 450 °C (ТД-450). З'ясовано, що наявність у монокристалах домішки Sn із концентраціями N_Sn = 1,74 ^. 10¹⁸ і 6,51 ^. 10¹⁸ см^-3 сповільнює генерацію ТД-450. За даних умов ступінь сповільнення корелює з концентрацією домішки Sn. Виявлено зменшення енергії активації відпалу E_a термодонорів у кремнії, легованому оловом. Зменшення E_a пояснено збільшенням внутрішніх пружних напружень у кристалі внаслідок введення ізовалентної домішки з великим ковалентним радіусом. Запропоновано теоретичну модель механізму впливу Sn на кінетику генерації кисневмісних термодонорів (КТД) у Si. Передбачається, що сповільнення генерації КТД у Si відбувається за рахунок утворення "віртуальних" комплексів OSn.

Методом ємнісної спектроскопії глибоких рівнів досліджено вплив домішки олова на дефектоутворення в n-Si, вирощеного методом Чохральського (Cz) за умови опромінення протонами з енергією 61 МеВ. Проведено порівняння зі спектрами глибоких рівнів опромінених p⁺-n-діодів, виготовлених на основі n-Si зонної плавки (FZ) без домішки Sn. Виявлено, що в легованому Sn матеріалі додатково утворюються два радіаційні електронні рівні з енергіями (0,29 +- 0,01) і (0,61 +- 0,02) еВ нижчими за дно зони провідності. Встановлено, що ці центри відпалюються за температури 120 °C. Крім того, встановлено, що швидкості введення киснево-вакансійних комплексів (A-центрів) і дивакансій (V₂) значно нижчі в Si з домішкою Sn.

Проведены натурные наблюдения за устойчивостью выработок в сложных горногеологических условиях. На их основе проведено математическое моделирование с обоснованием рациональной планировки горных работ.

Методом 4-зондових вимірювань питомого електроопору досліджено вплив термообробки при 800 °C (ТО-800) на кінетику накопичення та відпалу кисневих термодонорів (КТД), що утворюються при 450 °C в монокристалах Si. Виявлено суттєве збільшення енергії активації КТД після ТО-800. Експериментальні результати проаналізовано з урахуванням ролі різних фазових станів кисню у вихідному Si. Запропонована інтерпретація враховує вплив внутрішніх пружних напружень кристалічної гратки Si, утворених мікрофлуктуаціями (МФ) концентрації кисню та КТД на дифузію атомів кисню. Кількісна оцінка розмірів МФ дає величину порядку сотен ангстремів.

Досліджено вплив електронного (1 МеВ) опромінення на ефективність генерації кисневмісних термодонорів (КТД) у кремнії за температури 450 <$E symbol Р>C. Температура зразків (450 <$E symbol Р>C) встановлювалася за рахунок розігрівання електронним потоком. Виявлено, що "гаряче" електронне опромінення прискорює генерацію КТД. Зростання темпу генерації термодонорів за одночасного опромінення n-Si можна пояснити як проявом радіаційно-стимульованої дифузії домішки кисню в кристалах кремнію, так і збільшенням радіуса захоплення атомів кисню зародками термодонорів або дією обох факторів одночасно. Виявлено, що в n-Si за "гарячого" електронного опромінення утворюються радіаційні дефекти акцепторного типу. Зокрема, ефективність генерації таких дефектів, які утворилися за температури 450 <$E symbol Р>C, становить приблизно <$E 3~cdot~10 sup -3~roman см sup -1 >.

Исследована динамика обрушений кровли вслед за движущимся очистным забоем. Разработана геомеханическая модель для прогнозирования динамики обрушений и напряженного состояния массива в окрестности движущегося очистного забоя.

Індекс рубрикатора НБУВ: Р457.365.110.8

Рубрики:

Пошкодження серця, серцевої сумки і магістральних судин

Шифр НБУВ: Ж26838 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Р457.465.204.66

Рубрики:

Перфоративні виразки

Шифр НБУВ: Ж26838 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено кінетику утворення та відпалу A-центрів у зразках кремнію n-типу провідності, вирощеного за допомогою методу Чохральського (Cz n-Si), які опромінено електронами з енергією 1 МеВ, у двох серіях експериментів: опромінювання за кімнатної температури (КТ) із наступним відпалом за температури 360 <$E symbol Р>C; опромінювання за температури 360 <$E symbol Р>C. Показано, що відмінність у кінетиці A-центрів пов'язана з різницею умов накопичення та відпалу дефектів. Механізм відпалу A-центрів не змінюється під дією опромінювання. Причиною цього може бути недостатній ступінь збудження електронної підсистеми кристала в порівнянні з концентрацією рівноважних носіїв заряду. Встановлено, що зі збільшенням температури опромінювання від КТ до 360 <$E symbol Р>C швидкість генерації вільних вакансій <$E lambda sub V> практично не змінюється на відміну від діапазону 100 K - КТ, в якому <$E lambda sub V> зростає зі збільшенням температури.

Описано заходи, спрямовані на зменшення енерговитрат у процесі видобутку нафти газліфтним і глибинонасосним способами експлуатації та під час проведення ремонтних робіт у свердловинах із застосуванням колтюбінгової установки. Розглянуто застосовувані технології інтенсифікації припливу вуглеводнів, серед яких найефективнішими є кислотні обробки, потужні гідророзриви пласта, обробки поверхнево-активними речовинами і міцелярними розчинами. Наведено дані про економію енергоресурсів і ефективність технологій.

Рассмотрен процесс построения нечеткой нейросетевой классифицирующей модели (ННМ) на основе имеющихся числовых значений признаков. В связи с необходимостью построения ННМ, обладающей достаточной степенью интерпретируемости при сохранении точности классификации, предложено использовать трехэтапный подход к генерированию набора нечетких классифицирующих правил.

Досліджено зміну рекомбінаційних властивостей опроміненого <$E gamma>-квантами <$E ~sup 60 roman Co> кремнію n-типу провідності, вирощеного за допомогою методу Чохральського (Cz n-Si), у разі відпалу його у діапазоні температур 20 - 350 <$E symbol Р>C, а також в результаті опромінювання електронами з енергією 1 МеВ у цьому ж температурному діапазоні. Встановлено, що зменшення часу життя <$E tau> нерівноважних носіїв заряду (ННЗ) після відпалу у діапазоні 200 - 300 <$E symbol Р>C ("від'ємний" відпал) зумовлено утворенням V2O комплексів (<$E roman {V sub 2~+~O~symbol О~V sub 2 O}>). У процесі утворення V2O час життя ННЗ зменшується внаслідок того, що переріз захоплення дірок цими дефектами є значно більшим, ніж дефектами V2. Показано, що утворення і відпал комплексів V2O відбувається з енергіями активації 1,35 і 1,6 еВ відповідно, а поперечний переріз захоплення дірок цими комплексами <$E sigma sub p~=~3~cdot~10 sup -13~roman см sup 2>.

Показаны принципы проведения практических занятий по клинической фармакологии на медицинском факультете. Дан комментарий отдельным этапам занятия: самостоятельной работе, практической части, контролю итогового уровня знаний, тестовому контролю знаний, курации больных и оформлению протокола эффективности и безопасности лекарственной терапии.

Показаны принципы проведения практических занятий по клинической фармакологии на медицинском факультете. Дан комментарий отдельным этапам занятия: введению и контролю исходного уровня знаний.

Експериментально одержано температурну залежність ефективності генерації вільних вакансій (частини пар Френкеля (ПФ), які розпались на незалежні компоненти - вакансії та міжвузловинні атоми) в n-Si у процесі його опромінення електронами з енергією 1 МеВ у діапазоні температур 100 - 633 K. Установлено, що ця залежність є зростаючою функцією в діапазоні 100 - 300 K із тенденцією до насичення за умови <$E T~>>~300> K. Показано, що зміна ефективності генерації вільних вакансій визначається функцією розподілу ПФ за відстанями між компонентами, крутість якої зростає зі збільшенням температури зразків у процесі опромінення. Показано також, що зміна крутості функції розподілу ПФ спричинена додатковим розсіянням "гарячих" міжвузловинних атомів, які утворюються в процесі опромінення, фононними коливаннями гратки.

Предложено использовать температурное кодирование непрерывных количественных и порядковых входных переменных для получения интерпретируемых моделей на основе нейронных сетей.

Показана роль клинической фармации в формировании у студентов фармацевтического факультета умения выбора эффективных и безопасных лекарственных средств для рекомендации врачам.

Наведено результати експериментального порівняння рекомбінаційних властивостей та ефективностей утворення (ЕУ) A- і E-центрів в опроміненому <$E gamma>-квантами <$E ~sup 60 roman Co> n-Si, в якому для створення n-типу провідності застосовано хімічні донори (фосфор, <$E n- roman {Si symbol ... P symbol ъ}>) або кисневі термодонори (<$E n- roman {Si symbol ... ТД symbol ъ}>). Заміна Р на ТД, які не є чутливими до дії радіації, дозволяє одержати n-Si, в якому під дією опромінення не утворюються E-центри. Показано, що A-центри є домінуючими радіаційними дефектами з майже однаковими значеннями ЕУ і основними центрами рекомбінації в обох видах n-Si зі ступенем легування донорами ~ <$E 10 sup 14~symbol Ш~10 sup 16~roman см sup -3>. У цьому разі одержано, що значення поперечного перерізу захоплення дірок A-центрами <$E sigma sub A~=~(2,5~symbol С~0,3)~cdot~10 sup -13~roman см sup 2>, а для E-центрів <$E sigma sub E> не повинно перевищувати <$E 1~cdot~10 sup -14~roman см sup 2>.