Представлены экспериментальные результаты по исследованию в интервале температур 77 - 773 К основных параметров и характеристик карбид-кремниевых p-i-n-диодов. Показана работоспособность p-i-n-диода до температуры <$E500 symbol Р roman С> в составе полоскового модулятора.

Наведено експериментальні результати з дослідження в інтервалі температур 77 - 773 К основних параметрів і характеристик карбід-кремнієвих p-i-n-діодів. Показано працездатність p-i-n-діода до температури <$E500 symbol Р roman С> у складі полоскового модулятора.

The experimental results of investigation of the principal parameters and characteristics of silicon carbide p-i-n-diodes in the 77 - 773 K temperature range are presented. The functionality of p-i-n-diode included into a strip modulator at temperature below <$E500 symbol Р roman С> is demonstrated.

Исследована температурная зависимость напряжения пробоя карбид-кремниевых диодов с барьером Шоттки <$Eroman {Au-Tі-n-n sup +}>-6H-SiC в интервале температур 77 - 573 К. Показано, что в этом температурном интервале температурный коэффициент напряжения отрицательный, что предположительно, обусловлено влиянием на пробой глубоких уровней в области пространственного заряда.

Досліджено температурну залежність напруги пробою карбід-кремнієвих діодів з бар'єром Шотткі <$Eroman {Au-Tі-n-n sup +}>-6H-SiC в інтервалі температур 77 - 573 К. Показано, що в цьому температурному інтервалі температурний коефіцієнт напруги є негативним, що, можливо, зумовлено впливом на пробій глибоких рівнів в області просторового заряду.

The article describes the research on temperature dependence of breakdown voltage in silicon carbide Schottky barrier diodes, <$Eroman {Au-Tі-n-n sup +}>-6H-SiC, in the 77 - 573 K temperature range. It is shown that temperature coefficient of breakdown voltage is negative in the above temperature range. This seems to be caused by the effect of deep levels in the space-charge region on the breakdown.

Подано логічно структурований комплексний виклад теоретичних основ гарантовано захищених інформаційних систем і технологій згідно з загальними підходами та вимогами нормативних документів, що регламентують питання забезпечення безпеки зазначених систем і технологій в Україні та в усьому світі. Розглянуто формалізовані моделі безпеки та принципи їх використання в інформаційних системах і технологіях. Проаналізовано відомі архітектури захищених комп'ютерних систем. Подано стандартизовані моделі опису сучасних інформаційних технологій і методи оцінювання їх ефективності.

Надано результати розробки й дослідження кремнієвих швидкодіючих перемикальних p-і-n діодів міліметрового діапазону в безкорпусному виконанні з балковими виводами. Діоди виготовлені за мембранною технологією й можуть застосовуватися в смугових і хвилевідно-щілинних лініях передач на частотах до 100 ГГц.

Даны результаты разработки и исследования кремниевых быстродействующих переключательных p-і-n-диодов миллиметрового диапазона в бескорпусном исполнении с балочными выводами. Диоды изготавливались по мембранной технологии и могут применяться в полосковых и волноводно-щелевых линиях передач на частотах до 100 ГГц.

The development and research results of Si high speed switch MM-wave beam-lead pЦiЦn-diodes are presented. Diodes were made on diaphragm technology and can be used in the microstrip and fin-line components up to 100 GHz.

Представлены результаты исследования параметров фазовращателя со сдвигом фазы от 0 до <$Epi> на основе двух СВЧ 4HSiC p-i-n-диодов. Диоды имеют пробивное напряжение 500 - 700 В при обратном токе 20 мкА, сопротивление 2,5 - 3,0 Ом при прямом токе 100 мА, емкость 0,3 пФ при обратном напряжении 40 В и время переключения c прямого тока 100 мА на обратное напряжение 15 В, равное 20 нс. Потери фазовращателя в диапазоне частот 2,4 - 2,6 ГГц при сдвиге фазы <$E0 symbol Р roman С> составляют 0,8 - 1,3 дБ, при сдвиге фазы 175 - 179, <$E5 symbol Р roman С> составляют 1,7 - 2,5 дБ.

Наведено результати дослідження параметрів фазообертача зі зсувом фази від 0 до <$Epi> на основі двох НВЧ 4HSiC p-i-n-діодів. Діоди мають пробивну напругу 500 - 700 В за зворотного струму 20 мкА, опір 2,5 - 3,0 Ом за прямого струму 100 мА, ємність 0,3 пФ за зворотної напруги 40 В та час перемикання діода з прямого струму 100 мА на зворотню напругу 15 В - 20 нс. Втрати фазообертача в діапазоні частот 2,4 - 2,6 ГГц при зсуві фази <$E0 symbol Р roman С> становлять 0,8 - 1,3 дБ, за зсуву фази 175 - 179, <$E5 symbol Р roman С> становлять 1,7 - 2,5 дБ.

The paper presents the results of studying the parameters of the phase shifter with a phase shift from 0 to <$Epi> on the basis of two microwave 4HSiC p-i-n-diodes. Diodes have a breakdown voltage of 500 - 700 V at 20 mA reverse current, the resistance of 2,5 - 3,0 ohms at forward current of 100 mA, capacity of 0,3 pF at reverse voltage of 40 V and switching time from direct current of 100 mA to reverse voltage 15 V - 20 ns. In the frequency range of 2,4 - 2,6 GHz the phase shifter loss with a phase shift of <$E0 symbol Р roman С> are 0,8-1,3 dB, and with a phase shift 175-179, <$E5 symbol Р roman С> are 1,7-2,5 dB.

Викладено результати порівняльних розрахунків когенераційних установок із газовими турбінами та контактними економайзерами для генерації гарячої води шляхом прямого використання теплоти відхідних газів. Наведено результати кількісних оцінок теплової ефективності когенераційних установок з вприском води та пари в камеру згоряння.

Рассмотрены особенности синтеза изображения на шкальном индикаторе и построение аппаратных средств, решающих задачу синтеза. Предложено оптимизировать такие технические решения по критерию минимума обобщенной стоимости изменением числа шин в матрице элементов индикатора. Определено, что минимизированное дискретно-аналоговое устройство отображения информации строится на основе шкалы, которая электрически выполнена в виде матрицы с соотношением сторон, обратно пропорциональным отношению обобщенной стоимости схем управления одной шиной этих сторон.

Висвітлено загальні принципи управління телекомунікаційними мережами за умов переходу до мереж нового покоління. Обгрунтовано теоретичні засади багатокритеріальної оптимізації систем управління даними мережами, наведено головні положення інформаційно-ентропійного методу розрахунку пропускної здатності каналів таких систем, розкрито можливості побудови ефективного цифрового каналу передачі управляючої інформації. Запропоновано методику визначення затримки управляючої інформації та методи моделювання систем управління. Розглянуто теоретичні основи оптимізації мережової структурно-логічної архітектури й управління потоками транспортних телекомунікаційних систем. Доведено економічну ефективність застосування оригінального пристрою тактової синхронізації первинної мережі.

Освещены общие принципы управления телекоммуникационными сетями в условиях перехода к сетям нового поколения. Раскрыты теоретические основы многокритериальной оптимизации систем управления данными сетями, приведены главные положения информационно-энтропийного метода расчета пропускной способности каналов таких систем, раскрыты возможности построения эффективного цифрового канала передачи управляющей информации. Предложены методика определения задержки управляющей информации и методы моделирования систем управления. Рассмотрены теоретические основы оптимизации сетевой структурно-логической архитектуры и управления потоками транспортных телекоммуникационных систем. Доказана экономическая эффективность применения оригинального устройства тактовой синхронизации первичной сети.

Рассмотрена математическая модель дискретного канала, которая показала хорошие результаты при исследовании эффективности работы цифровых фильтров и цифровых корректоров.

Викладено основи цифрових систем комутації, описано особливості побудови гнучкого комутатора Softwitch, протоколи та пристрої мережної сигналізації, способи комутації в інформаційних мережах. Розкрито мережні аспекти IP-телефонії, забезпечення якості послуг у мережах NGN, протоколи міжмережної взаємодії H.323, SIP і RAS на основі аналізу конвергенції телекомунікаційних мереж (ТКМ) та процесів переходу до мереж нового покоління NGN. Увагу приділено методам розрахунку параметрів сучасних ТКМ та методиці визначення середньої затримки інформатизації в мережах з комутацією пакетів.

Изложены основы цифровых систем коммутации, описаны особенности построения гибкого коммутатора Softwitch, протоколы и устройства сетевой сигнализации, способы коммутации в информационных сетях. Раскрыты сетевые аспекты IP-телефонии, обеспечения качества услуг в сетях NGN, протоколы междусетевого взаимодействия H.323, SIP и RAS на основе анализа конвергенции телекоммуникационных сетей (ТКС) и процессов перехода к сетям нового поколения NGN. Внимание уделено методам расчёта параметров современных ТКС и методике определения средней задержки информатизации в сетях с коммутацией пакетов.

Висвітлено концепції, методи моделювання та основи побудови систем управління сучасними телекомунікаційними мережами, методи розв'язання задач оптимізації в процесі проектування систем і мереж зв'язку. Визначено показники ефективності системи управління мережами телекомунікацій із застосуванням методу експертних оцінок. Розглянуто питання використання керуючих обчислювальних машин для реалізації системи управління, зокрема на підприємствах поштового зв'язку.

Освещены концепции, методы моделирования и основы построения систем управления современными телекоммуникационными сетями, методы решения задач оптимизации в процессе проектирования систем и сетей связи. Определены показатели эффективности системы управления сетями телекоммуникаций с применением метода экспертных оценок. Рассмотрены вопросы использования управляющих вычислительных машин для реализации системы управления, в частности на предприятиях почтовой связи.

Розглянуто головні аспекти стратегії розвитку інфокомунікаційних мереж майбутнього з висвітленням проблем їх упровадження на ринку України. Значну увагу приділено застосуванню новітніх технологій у системах управління мережами, а також питанням забезпечення якості обслуговування та надання нових послуг. Проаналізовано модель побудови інфокомунікаційної мережі нового покоління на основі концепції накладеної мережі. Проведено аналіз створюючих чинників, які впливають на якість передавання мови в пакетних мережах.

Рассмотрены вопросы разработки устройств цифровой микросхемотехники, освещены особенности их применения и приведены рекомендации по их использованию при проектировании цифровых автоматов. Представлены классификации триггерных устройств и генераторов импульсов.

Розкрито принципи організації мереж радіозв'язку й основні технічні характеристики інтерфейсів та обладнання сучасних радіотехнологій, систем і стандартів радіозв'язку. Увагу приділено фізичному рівню, на якому формується пропускна здатність, кількість каналів радіозв'язку, завадостійкість і завадозахищеність. Розглянуто основні методи забезпечення модуляції, розширення спектра, кодування сигналів. Описано основи системного проектування мереж цифрового радіозв'язку. Розглянуто основні методи вимірювання параметрів радіовимірювання. Визначено перспективні технології й особливості реалізації цифрових систем радіозв'язку наступного покоління.

Построены математические модели традиционных систем фазовой автоподстройки (ФАП) и фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ) с принципом управления по отклонению, выполнен анализ динамических характеристик этих систем. Исследована устойчивость, определены динамическое, среднеквадратические ошибки и показатели качества переходных процессов. Показана возможность повышения показателей качества систем традиционных ФАП и ФАПЧ путем введения разомкнутых компенсационных связей по задающему воздействию (построения комбинированных систем) и дифференциальных связей.

Висвітлено головні принципи управління використанням радіочастотного ресурсу (РЧР), наведено діапазони спектра електромагнітних коливань, основні Положення Регламенту радіозв'язку, відомості щодо національних та міжнародних органів регулювання (управління) у сфері використання РЧР. Розглянуто канали передавання радіосигналу, наведено розрахунки енергетичних характеристик радіоліній, методи визначення захисного відношення, особливості, способи та моделі поширення радіохвиль різних діапазонів. Акцентовано на проблемі електромагнітної сумісності (ЕМС) технічних засобів, подано класифікацію радіозавад та технічних засобів за показниками сумісності. Розкрито теоретичні засади аналізу ЕМС радіелектронних засобів (РЕЗ), описано технічні засоби забезпечення ЕМС РЕЗ у разі впливу різних завад у системах зв'язку. Охарактеризовано критерії ЕМС РЕЗ та особливості їх застосування. Значну увагу приділено висітленню основ управління РЧР, видачі дозволів на використання частот і обладнання, ліцензування діяльності користувачів та процедури сертифікації РЕЗ. Наведено структуру сучасної системи радіочастотного моніторингу.