Враховуючи результати вимірювань швидкості поширення об'ємних ультразвукових хвиль (upsilon_L, upsilon_S) та літературні дані для пружних модулів C_ij в CdTe та Cd_xHg_{1 - x}Te, проведено уточнення останніх. Отримані значення C_ij використано для розрахунку анізотропії upsilon_L, upsilon_S та анізотропії швидкості поверхневої хвилі Релея upsilon_R для основних кристалографічних площин (100), (110) і (111). Проведено порівняльний аналіз анізотропії пружних властивостей досліджуваних кристалів, визначено кристалографічні напрямки їх максимальної пружної спорідненості.

Проведено експериментальну перевірку методики адаптивного інтерферометра для діагностики амплітуди ультразвукових (УЗ) деформацій в типових пластинах кремнію. Для динамічного голографічного середовища активного інтерферометра використано кристал CdTe:Ge, який має найбільший електрооптичний коефіцієнт серед фоторефрактивних напівпровідникових матеріалів. Для збудження УЗ-коливань (радіальні та об'ємні поздовжні) використовувалися п'єзокерамічні диски з ЦТС-19 та пластини кристала LiNbO3. Вимірювалися електричні амплітудно-частотні характеристики системи п'єзоперетворювач - кремній та оптичний відгук залежно від УЗ-амплітуди та частоти. За даними експерименту розраховано амплітуду зміщень поверхні кремнію <$E delta> залежно від ВЧ-напруги <$E U sub TR> на п'єзоперетворювачі.

Встановлено, що домінантним механізмом переносу заряду в фотодіодах, сформованих на епітаксійних шарах <$Eroman {Cd sub x Hg sub (1-x) Te} > (x = 0,28) за T = 78 K, є тунелювання через рекомбінаційні центри <$E E sub t = E sub v + 0,16> eB. Виявлено, що внаслідок дифузійного зсуву p-n переходу вглиб епітаксійного шару та досягнення цього переходу інтерфейсної межі з великою густиною дислокацій у фотодіодах <$Eroman {Cd sub x Hg sub (1-x) Te} > (x = 0,22) в інтервалі температур 78 - 110 K виникають тунельні струми вздовж дислокацій. Розраховано, збуджено й ідентифіковано хвилі Лемба в пластинах <$Eroman {Cd sub 0,2 Hg sub 0,8 Te} > та проведено оцінювання відносної ефективності їх збудження. Виявлено температурні піки коефіцієнта затухання ультразвуку релаксаційного типу в області температур 200 - 270 K і частот 10 - 55 МГц в <$Eroman {Cd sub 0,2 Hg sub 0,8 Te} >.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22-01

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: РА381300 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Надано результати дії серії послідовних низькотемпературних відпалів (70, 80, 90, 100 °C тривалістю 10 годин) на розподіл струму в фотодіодних лінійках ІЧ діапазону (8 - 12 мкм), сформованих на епітаксійних плівках КРТ. Моделювання ВАХ фотодіода з урахуванням рівняння балансу носіїв заряду показало, що концентрації рекомбінаційних центрів зменшуються, а час життя неосновних носіїв заряду збільшується. Висунуто припущення, що деградація фотодіодів після відпалу з температурою 100 °C зумовлена малою товщиною епітаксійної плівки, а p - n перехід після відпалу досягає інтерфейсної межі.

Приведено результати робіт зі створення багатоелементних фотоприймальних пристроїв інфрачервоного діапазону на основі CdHgTe. Запропоновано ряд оригінальних технологічних рішень, з урахуванням механічних та електрофізичних особливостей тонкоплівкового CdHgTe, зокрема: пасивація поверхні епітаксійних плівок CdHgTe, модифікація режимів фотолітографічних процесів, багатошарова металізація та прецизійна гібридизація. За допомогою розробленої технології сформовано матриці фотоприймачів формату <$E 128~times~128> елементів.

Вперше наведено результати експериментального дослідження температурної (150 - 300 К) залежності поглинання ультразвукових (УЗ) хвиль у об'ємних кристалах p-Cd0,2Hg0,8Te, які не містять малокутових меж, у частотному діапазоні 10 - 55 МГц. Виявлено, що за збільшення частоти УЗ спостерігається збільшення максимального значення коефіцієнта поглинання та його зсув у бік високих температур. Показано, що експериментальні результати задовільно пояснюються в межах моделі Брейсфолда, яка розглядає поглинання УЗ хвилі за рахунок коливання термоактивованих дислокаційних перегинів. Визначено характерні параметри даної моделі для p-Cd0,2Hg0,8Te, а саме частотний фактор (<$E 6~cdot~10 sup 9> Гц) та активаційну енергію руху перегинів (0,11 еВ), та проведено оцінку густини дислокацій (<$E 2~cdot~10 sup 10> м<^>-2), яка узгоджується з даними, одержаними за допомогою методу селективного травлення (<$E 0,7~cdot~10 sup 10> м<^>-2).