Исследованы электрофизические и люминесцентные свойства нанокомпозитов на основе островковых пленок золота и слоев эффективных органических люминофоров (оксихинолина алюминия и полиэпоксипропилкарбазола), нанесенных термическим испарением в вакууме. Химический состав напыленных слоев органических веществ был идентифицирован с помощью методов фотолюминесценции и ИК-спектроскопии. С помощью сканирующей туннельной микроскопии изучена их структура (морфология) и исследованы локальные вольт-амперные характеристики туннельного тока с нанометрового участка отдельной гранулы органической пленки.

За допомогою методу сканувальної тунельної мікро- та спектроскопії досліджено структуру та локальні вольт-амперні характеристики тунельного струму з нанометрових ділянок тонких плівок поліепоксіпропілкарбазолу (ПЕПК), одержаних за допомогою методу вакуумного напорошення або осадженням з розчину тетрадекану на полікристалічні та реконструйовані поверхні Au(111). Хімічний склад нанесених шарів визначено за допомогою ІЧ-спектроскопії. Проаналізовано особливості формування молекулярно-впорядкованих структур ПЕПК на атомно-гладкій поверхні. Показано, що реконструкція поверхні Au(111) є необхідною умовою самоорганізації молекул для одержання добре впорядкованих шарів фізично адсорбованих молекул ПЕПК.

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.26

Рубрики:

Тонкі шари металів

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методу молекулярно-променевої епітаксії на обладнанні "Катунь-8" виготовлено гетероструктури Ge/Si(111) з квантовими нитками та квантовими точками (штучними атомами) Ge. Завдяки нанесенню буферного підшару GexSi1-x одержано нанокластери Ge на Si(111) висотою 3 - 6 нм без дислокацій невідповідності. Нанокластери (квантові точки) Ge мають вигляд зрізаних пірамід зі згладженими верхівками, їх поверхнева концентрація становила ~ <$E 10 sup 10~ roman см sup -2>. Одержано стабільну, протягом десятків годин, польову електронну емісію з нанокластерів Ge на Si(111) за середнього макроскопічного електричного поля ~ <$E 10 sup 5~ roman {В "/" см}>. Зареєстрований пік струму на вольтамперній характеристиці польової емісії, який інтерпретований як ефект резонансного тунелювання електронів крізь нанокластери Ge.

За умови середніх електричних полів <$E roman {E~<<~10 sup 5~B "/" см}> одержано і досліджено стаціонарну холодну електронну емісію зі зразків SiO2, який має досить високу п'єзоелектричну активність. Емісія стабільна навіть у разі <$E roman {p~>>~10 sup -5 Top}> і відрізняється високою <$E j~>>~10 roman {A "/" см} sup 2> густиною струму. У випадку неп'єзоактивних зразків з плавкого кварцу та сапфіру емісію не зареєстровано, навіть за <$E roman {E~>>~10 sup 6~B "/" см}>. Результати пояснено великим (>> 100) підсиленням електричного поля біля торців плівок п'єзоелектриків, внаслідок чого внутрішні поля в приповерхневій області досягають значень ~<$E 10 sup 7~roman {B "/" см}>, достатніх для розвитку ефекту Зінера.

Методами дифракции медленных электронов, сканирующей туннельной микроскопии, контактной разности потенциалов и оже-электронной спектроскопии установлено образование поверхностных сплавов при отжиге монослоев Dy, Gd, Si, Be, адсорбированных на поверхности Mo(112). В пленках Dy и Sr поверхностные сплавы формируются в виде нанодисперсной системы олигомерных кластеров, а в пленках Be и Gd - в виде сплошного покрытия. Показано, что пленки Dy, в которых в результате отжига образуется поверхностный сплав Dy - Mo, при последующем охлаждении (закалке) до низких температур переходят в состояние двумерного стекла, а поверхностные сплавы Be и Gd с Mo формируются в кристаллическом состоянии.

Охарактеризованы наноструктурные состояния в металлических порошках и их роль в интенсификации технологических процессов порошковой металлургии. Исследовано взаимодействие коллоидных квантовых точек СdS с молекулами метиленового голубого в гибридном ассоциате методом ИК-спектроскопии. Разработаны и усовершенствованы наноструктурированные керамические имплантаты для хирургии кости. Изучено влияние темплатной фазы на функциональные свойства нанооболочки проводящего полимера. Предложен новый метод моделирования геометрии наноструктур. Определена роль совместных структур в поверхностной диффузии в двухкомпонентных системах с отталкивающим взаимодействием. Проанализированы структурные отличия галлоизитных алюмосиликатных нанотрубок разных месторождений. Произведен расчет взаимодействия электронной и фононной подсистем из первых принципов в монокристалле диборида гафния. Представлены спектральные особенности гибридной ассоциации метиленового голубого с квантовыми точками CdS/ZnS. Рассмотрен новый оптический метод определения размеров полупроводниковых квантовых точек.

Приведен обзор действующей в Великобритании системы организации и поддержки фундаментальных научных исследований и инновационной деятельности. Обзор подготовлен на основании информации, полученной группой ученых из России, Украины, Казахстана, Беларуси, Грузии, Армении и Узбекистана в ходе ознакомительной поездки, которая была организована британской стороной в рамках Программы партнерства закрытых ядерных центров.

Освещена эволюция международного сотрудничества ученых Украины с зарубежными исследователями. Продемонстрировано огромное влияние стажировки отечественных ученых в крупнейших научных центрах мира, совместных исследований с зарубежными исследователями для становления науки в Украине, развития сети научных учреждений и высших учебных заведений. Охарактеризованы основные тенденции международного сотрудничества ученых Национальной академии наук и миграции научных работников в последние десятилетия.