Уперше експериментально реалізовано унікальну одновимірну систему, яка складається з лінійних електронних ланцюжків на поверхні рідкого гелію. Для реалізації системи використовано скривлення поверхні рідкого гелію, що покривав профільовану діелектричну підлогу, і притискуюче електричне поле, яке затримувало електрони на дні утворених рідких каналів. Виміряно рухливість носіїв в лінійних електронних ланцюжках в області температур 0,5-1,8 К в притискуючих електричних полях до 1 кВ/см. Показано, що рухливість електронів залежить від чистоти та ступеня зарядженості підкладки. Для підкладок з малою кількістю локалізованих зарядів рухливість в усій області досліджених температур збільшується із зменшенням температури. Результати знаходяться в добрій згоді з існуючою теорією.

Предложен обобщенный подход к описанию нелинейных электронных объектов на основе оператора переходной реакции. Получены соответствующие операторные выражения и отдельные аналитические представления в виде специальных рядов. Показано, что частным случаем этих описаний являются известные операторы.

Рассмотрены технологическая последовательность операций, а также режимы пайки и исправления дефектов литья в вакуумных печах и посредством локального нагрева дуговым разрядом с полым катодом.

Предложен подход к обеспечению стабильности электронных устройств на базе термофункционального макромоделирования с использованием специальных термокомпенсирующих кругов.

Запропоновано підхід до опису функціональних властивостей нелінійних електронних об'єктів з урахуванням впливу часу старіння - гіпермоделювання, на базі якого можна оцінити та підвищити часовий запас їх працездатності.

Виміряно рухливість носіїв у близькій до одновимірної електронної системи над рідким гелієм. Одновимірні провідні канали утворено з використанням кривини поверхні рідкого гелію, що покривав профільовану діелектричну підкладку, і притискуючого електричного поля, яке утримувало електрони на дні рідких "жолобків". Вимірювання проведено в області температур 0,5 - 1,6 К в інтервалі лінійних густин (0,5 - 2,5) ^. 10⁴ см^-1 за умови напруги генератора 2 - 200 мВ. Показано, що для чистої підкладки рухливість електронів визначається їх взаємодією з атомами гелію в парі та риплонами. Для підкладок із зарядом або дефектами на поверхні рухливість електронів зменшується у порівнянні з чистою підкладкою. Частота плазмових коливань, які розповсюджуються в системі провідних каналів, зростає зі зменшенням рухливості електронів. Спостережені ефекти можна пояснити локалізацією в одновимірній електронній системі на випадковому потенціалі та дифузним рухом носіїв з перескоками з одного локалізованого стану в інший.

Экспериментально исследован магнитоперенос в невырожденной квазиодномерной электронной системе над сверхтекучим гелием. Измерения проведены в перпендикулярных магнитных полях <$E roman B~symbol Г~2,6> Тл в температурном интервале 0,48 - 2,05 K при ширине проводящих каналов 100 - 400 нм. Как в области рассеяния носителей на атомах гелия в паре (<$E roman T~>>~0,9> K), так и в области рассеяния электронов на риплонах (<$E roman T~<<~0,9> K) продольная компонента магнитосопротивления <$E rho sub x> проводящих каналов преимущественно увеличивается с ростом B. Экспериментальные данные в области рассеяния носителей на атомах гелия в паре согласуются с классическим законом Друде, а в квантовом режиме переноса при <$E omega sub roman c tau~>>~1> (<$E omega sub roman c> - циклотронная частота, <$E tau> - время релаксации электронной системы) качественно описано теорией самосогласованного борновского приближения для <$E 2D> электронной системы над гелием. Предположено, что количественные различия экспериментальных и теоретических данных связаны с различием специфик исследуемой и теоретически анализируемой систем. Экспериментальные значения подвижностей электронов при низких температурах и малых магнитных полях совпадают с теоретическим расчетом, выполненным для квазиодномерной системы. Отрицательное магнитосопротивление проводящих каналов, которое наблюдали в области газового и риплонного рассеяния носителей, объясняется слабой локализацией носителей в исследуемой электронной системе.

Предложен метод краткой кривой, позволяющий аппроксимировать характеристики гипермоделей нелинейных электронных объектов с ограниченными погрешностью и кривизной получаемого аналитического описания.

Розглянуто основні напрямки зниження енергетичних витрат у процесах нафтопереробки, за допомогою яких енергоспоживання установок може бути зменшено на 25 - 30 %. Подальше зменшення витрат енергоресурсів можливе в разі створення енерготехнологічних установок з когенерацією електроенергії. Наведено основні характеристики установок первинної переробки нафти та каталітичного риформінгу з надбудовою печей газотурбінними двигунами у порівнянні з роздільним спалюванням палива на нафтопереробних установках і на ТЕС економія енергії на комбінованих енерготехнологічних установках складає орієнтовно 10 - 20 %.

На підставі аналізу різних варіантів беззалишкової переробки нафти та маловідходних енергетичних установок запропоновано схему нафтоенергетичного комплексу з випуском екологічно чистих нафтопродуктів і генерацією електроенергії. Надано опис процесу. Наведено розрахунки основних техніко-економічних показників комплексу. Запропоновано на першому етапі реалізації цього проекту побудувати на базі вітчизняного устаткування на одному з українських НПЗ демонстраційну установку з газифікацією нафтових залишків.

Измерена проводимость <$E sigma> в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в интервале температур 0,5 - 1,7 К в широкой области плотностей электронов n. Показано, что величина <$E sigma "/" ne> (е - заряд электрона) вначале увеличивается с понижением температуры, а затем, пройдя максимум, при <$E T~symbol Ы~1~roman К> начинает понижаться. В этой области температур величина <$E sigma "/" ne>, начиная с некоторого значения дрейфового потенциала <$E V sub d>, уменьшается с ростом <$E V sub d>. Предположено, что обнаруженный аномальный перенос заряда обусловлен либо пространственным упорядочением электронов в квазиодномерных каналах, либо образованием многоэлектронных поляронов в неоднородном потенциале вдоль каналов.

Предлагаются два подхода к обеспечению функциональных свойств проектируемых электронных модулей различного назначения с учетом влияния паразитных элементов их конструкторской реализации. В первом из них используется итеративный процесс корректировки конструкции на базе схемотехнического анализа в среде СхСАПР. Во втором подходе предварительно вырабатываются конструктивные ограничения на основе такого анализа. Возможен также вариант сочетания обоих подходов.

While divers appointing electronic modules designing offers two approaches to guaranteeing of their functional properties with taking into account parasite elements of their designer realization. In first of them the iterative construction correction process based on schematic analysis in CAD medium is used. And in second approach in advance produce the constructive limitations on base of such analysis. Also is possible a combination variant of both approaches

Проаналізовано якість вітчизняних автомобільних бензинів, дизельних палив у порівнянні з якісними характеристиками російських нафтопродуктів і загальноєвропейськими вимогами до моторних палив. Визначено пріоритетні технологічні напрямки підвищення якості автомобільних бензинів, дизельних палив.

Відзначено, що під час переробки сірчистої нафти з метою зниження шкідливих викидів в атмосферу треба відмовитися від спалювання високосірчистих рідких палив і переходити на безсірчистий газ, одержаний з малоцінних нафтових залишків. Розроблено технологічну схему комбінованої установки одержання синтез-газів різного складу з нафтових залишків для використання їх в парогазових установках і як паливо для нафтопереробних заводів. Вона дозволяє одержувати синтез-газ низької, середньої та високої теплотвірної здатності та сірчистий газ, який використовується для одержання сірки. Така переробка нафти економічно доцільна та призводить до суттєвого зниження шкідливих викидів у довкілля.

Предложена методика обеспечения заданных вариационных свойств конденсаторов переменной емкости, которая позволяет определить форму пластин их ротора, статора или ротора и статора в зависимости от структуры селективных схем их приложения.

Предложена методика проектирования проволочных переменных резисторов, которая позволяет определить форму их каркаса при соответствующих параметрах, заданной функциональной характеристике электронного устройства, а также для известной схемы их использования.

Приведены результаты исследований по применению у детей, больных железодефицитной анемией, препарата "Ферумбо", содержащего железо в виде полимальтозного комплекса гидроксида трехвалентного железа. Высокая терапевтическая эффективность, хорошая переносимость сиропа "Ферумбо", выявленная в исследовании, позволяют рекомендовать его для широкого применения в лечении детей с железодефицитной анемией.

Проаналізовано сучасний стан нафтопереробної промисловості України у порівнянні з нафтопереробкою інших країн. Розглянуто рівні виробництва, пріоритети розвитку українських нафтопереробних заводів із застосуванням прогресивних технологій. Запропоновано шляхи вирішення проблем, що стоять перед нафтопереробними заводами.

Экспериментально исследован продольный магнитотранспорт в невырожденной системе электронных полосок над сверхтекучим гелием в поперечном магнитном поле (МП) В. Измерения выполнены в МП до 2,6 Т в температурном интервале 0,48 - 2,05 К при ширине электронных полосок в 35 мкм и ~ 80 нм. Плотность электронов составляла <$E 1,5~cdot~10 sup 12~roman м sup -2> и <$E 10 sup 9~roman м sup -2>, соответственно. Величина продольного магнитоcопротивления <$E rho sub xx> преимущественно растет с ростом МП как следствие магниторезистивного эффекта. В газовой и риплонной области рассеяния носителей имеет место отрицательное магнитосопротивление, вызванное слабой локализацией электронов на атомах гелия в паре при высокой температуре и на риплонах или на неоднородностях подложки при низкой температуре.

Предложено и обосновано применение метода ломаной кривой для компактного и гибкого представления характеристик преобразователей параметров плазмы. Рассмотрен пример применения метода к данным, полученным из преобразователя параметров плазмы типа зонд с запирающим потенциалом.