Проведено теоретичний аналіз механізмів, які призводять до просторового перерозподілу компонентів твердотільної мішені під дією іонного бомбардування. Виконано моделювання впливу іонно-променевого перемішування (ion-beam mixing), форми кратера розпилення та шорсткості поверхні на результати мас-спектрометричних вимірювань залежно від енергії розпилюючих іонів. Показано, що в діапазоні енергій іонів 200 - 400 еВ вплив згаданих факторів є мінімальним для розпилення багатошарових нанорозмірних періодичних структур Mo/Si, виготовлених за допомогою методу магнетронного напилення шарів молібдену та кремнію. Експериментальні дослідження профілів розподілу домішок і порівняння їх з результатами моделювання надало змогу встановити оптимальні режими мас-спектрометричного аналізу, досягти роздільної здатності по глибині краще 1 нм та одержати профілі розподілу домішок, максимально наближені до реальних.

Проаналізовано правові та організаційні засади інформаційного суспільства, історико-теоретичні та методичні засади використання Інтернету в інформаційному просторі світу й України. Висвітлено актуальні проблеми національної безпеки України, пов'язані з впровадженням в різні галузі освіти, науки і практики новітніх інформаційних технологій. Наведено загальну характеристику комп'ютерної злочинності в світі та її моніторинг. Розглянуто новий напрямок в криміналістиці - комп'ютерну криміналістику, міжнародно-правові засади протидії комп'ютерній злочинності, а також пріоритетні напрямки наукових досліджень у даній галузі знань, які базуються на концептуальних положеннях Конституції України (1996 р.) та сучасних засадах нового Кримінального кодексу України (2001 р.).

Індекс рубрикатора НБУВ: Р733.418.11-3

Рубрики:

Хвороби кісток у дітей

Шифр НБУВ: Ж22335 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено порівняльний аналіз дослідження складу злочину захоплення заручників і деяких злочинів проти безпеки руху та експлуатації транспорту, які можуть одночасно здійснюватися захоплювачами людей і використовуватися як спосіб здійснення цього злочину. У процесі дослідження визначено основні проблеми правової регламентації цих складів злочинів, звернено увагу на певні труднощі при кваліфікації. Сформовано пропозиції щодо вирішення виявлених проблем і подальшому розвитку кримінального і кримінально-процесуального законодавства України.

Розглянуто історичні, психологічні та соціальні аспекти тероризму, розкрито сутність цього небезпечного явища сучасності. Проаналізовано та охарактеризовано ісламський, етно-сепаратистський, праворадикальний та інші види тероризму, найбільш відомі терористичні організації, їх лідерів, керівників та вчинені ними злочини. Запропоновано кримінально-правове обгрунтування тероризму, визначено його поняття.

Рассмотрены исторические, психологические и социальные аспекты терроризма, раскрыта сущность этого небезопасного явления современности. Проанализированы и охарактеризованы исламский, этно-сепаратистский, праворадикальный и другие виды терроризма, наиболее известные террористические организации, их лидеры, руководители и содеянные ими злодеяния. Предложено криминально-правовое обоснование терроризма, определены его понятия.

Досліджено питання відповідальності за корупційні злочини, їх місце у системі Особливої частини КК України. Особливу увагу звернено на те, що закінчені корупційні злочини можуть являти собою стадію готування до інших, можливо більш тяжких злочинів. Зокрема, це може бути навіть готуванням до таких злочинів як посягання на життя державного чи громадського діяча (ст. 112 КК України), диверсії (ст. 113 КК України), умисного вбивства (ст. 115 КК України) та інших злочинів проти життя та здоров'я особи. Але на це, як показав аналіз юридичної літератури, ще не звертається належна увага науковців. Визначено перелік норм кримінального законодавства, вчиненню яких можуть передувати корупційні діяння. Систематизовано ряд недоліків правового регулювання корупційних злочинів. Визначено їх місце в системі активних дій як готування до вчинення інших злочинів. Визначено шляхи подальшого удосконалення норм, що передбачають відповідальність за корупційні злочини. Запропоновано додати до їх переліку декілька злочинів, метою яких є також одержання неправомірної вигоди. Обговорено проблеми норм кримінального законодавства, що регулює готування до злочинів та корупційні правовідносини.

Розглянуто дослідження місця і ролі правових норм, що регулюють функціонування транспорту, в правовій системі України. В процесі дослідження визначено основні проблеми правової регламентації відповідальності за злочини проти безпеки руху чи експлуатації транспорту, а також сформульовано пропозиції щодо вирішення виявлених проблем і подальшого розвитку законодавства про транспорт в Україні.

Висвітлено історичні передумови виникнення та становлення судової влади в Україні, основні засади організації системи прокурорського нагляду. Охарактеризовано систему органів внутрішніх справ України, податкову та митну служби, органи юстиції, а також воєнізовані правоохоронні органи спеціального призначення.

Освещены исторические предусловия возникновения и становления судебной власти в Украине, основные принципы организации системи прокурорского надсмотра. Охарактеризованы система органов внутренних дел Украины, налоговая и таможенная службы, органы юстиции, а также военизированные правохранительные органы специального назначения.

Розкрито сутність сфери високих інформаційних технологій, описано види злочинних дій у даній сфері, зокрема, використання електронно-обчислювальних машин (комп'ютерів), систем та комп'ютерних мереж і мереж електрозв'язку, платіжних карток. Висвітлено міжнародний досвід організації протидії злочинам у зазначеній сфері.

З використанням методів мас-спектрометрії нейтральних частинок з пошаровим аналізом і спектроскопії поверхневої фотоелектрорушійної сили досліджено процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалітному (крупнозернистому полікристалічному) кремнії. Використано швидкий термічний відпал (the rapid thermal annealing (RTA)) в ізохронному й ізотермічному режимах. Дозовані концентрації домішок заліза та міді введено в зразки шляхом іонної імплантації. Гетерний шар формувався на тильному боці зразка та складався з шару алюмінію, напиленого на модифіковану хімічним травленням розвинуту поверхню Si. Оцінено енергії активації та коефіцієнти дифузії міді та заліза в імплантованих зразках, підданих RTA. Запропоновано оптимальні температури та час RTA для одержання гетеруючого ефекту. Спостережено прискорену (аномальну) дифузію заліза в гетерний шар, у той час як коефіцієнт дифузії міді був близький до літературних даних для монокристалічного кремнію. Обговорено можливі механізми виявлених ефектів.

Досліджено вплив in situ ультразвукового опромінення зразків під час імплантації іонів <$E roman Si sup +> та <$E roman N sup +> на формування Si-нанокластерів в шарах SiO2. Для аналізу синтезованих структур використано методи фотолюмінесценції та мас-спектрометрії вторинних іонів. Спостережено зсув максимуму фотолюмінесцентного випромінення в область коротких довжин хвиль та підвищення його інтенсивності в зразках, імплантованих під дією ультразвукової обробки. Цей ефект є обумовленим формуванням під дією УЗ вакансійних кластерів в області імплантації іонів, які впливають на кінетику кластеризації кремнію. Формування оксинітридної фази на межі поділу Si-нанокристал - SiO2 після додаткової імплантації іонів азоту призводить до підвищення інтенсивності та зсуву максимуму смуги фотолюмінесцентного випромінення у короткохвильову область.

Досліджено спектральні характеристики кремнієвих сенсорів видимого та ультрафіолетового (УФ) випромінювання. Показано, що фоточутливість сенсорів, виготовлених за допомогою методу акустостимульованої імплантації іонів B та As, в ближній УФ області спектра на порядок перевищує чутливість аналогічних сенсорів, виготовлених без ультразвукової обробки. Дослідження профілів залягання імплантованих домішок показують, що у випадку домішки B даний ефект пояснюється зменшенням глибини p - n переходу, а у випадку As - зменшенням концентрації рекомбінаційно-активних центрів в області емітера та/або збільшенням електричної активації домішки. Запропоновано пояснення фізичних механізмів спостережуваних ефектів.

Вивчено особливості трансформації системи точкових дефектів і пружних деформацій у приповерхневих шарах кремнію, підданих імплантації іонами <$E roman B sup +> і <$E roman As sup +> за одночасної (in situ) дії ультразвуку (УЗ). Як метод вивчення структурної досконалості імплантованих структур використано багатокристальну рентгенівську дифрактометрію. За допомогою методу мас-спектрометрії вторинних постіонізованих нейтральних частинок досліджено товщинні розподіли імплантованих домішок після термічного відпалу зразків і вплив на них УЗ-обробки. Показано, що імплантація <$E roman B sup +> у зразки Si призводить до збільшення механічних напружень у приповерхневій області пластини. Додаткова дія УЗ під час імплантації призводить не лише до деякого зменшення напружень, але й до зміни знака деформації, що викликано перерозподілом точкових дефектів, а також варіаціями їх розмірів. Відпал зразків за температури <$E T~=~800~symbol Ш~950~symbol Р roman C> призводить до релаксації напружень як у вихідних зразках, так і в імплантованих незалежно від типу іонів, а дія УЗ ще більше стимулює цей процес релаксації. Запропоновано фізичну модель виявлених ефектів.

Висвітлено питання теорії та практики запобігання окремим видам злочинів. Наведено кримінологічну характеристику організованої та корупційної злочинності. Розглянуто історію розвитку і генезис професійної та економічної злочинності. Досліджено особливості причин та умов рецидивної, насильницької, жіночої, екологічно необережної, пенітенціарної злочинності, заходи запобігання "фоновим явищам" і всім зазначеним злочинам, зокрема, скоєним неповнолітніми.

Исследованы вольтфарадные и шумовые характеристики фотоварикапов на основе кремния и германия. Создан макет приемного оптического модуля. Показана перспективность использования фотоварикапов в волоконно-оптических системах передачи информации.

Методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии и электронной микроскопии поперечных срезов изучены начальные стадии ионно-лучевого перемешивания и фазообразования в многослойных периодических композициях Mo/Si при облучении ионами аргона с энергией 175 кэВ. Установлено, что облучение приводит к уменьшению периода многослойной композиции, что является следствием увеличения толщины промежуточной силицидной фазы на межфазных границах раздела. Уменьшение периода и увеличение толщины промежуточной фазы на обеих межфазных границах раздела происходят линейно с дозой облучения. Средний химический состав промежуточной фазы соответствует отношению количества атомов Si и Mo как 4:1. Указанные особенности ионно-лучевого перемешивания на начальных стадиях облучения трактуются исходя из концепции перемешивания в субкаскадах атомных столкновений.

Описаны этиология, патогенез, клиника, диагностика и лечение наиболее часто встречающихся в кардиологических отделениях неотложных состояний: тахиаритмий, брадиаритмий, экстрасистолии, артериальной гипертензии, ишемической болезни сердца, инфаркта миокарда, наследственных заболеваний сердечно-сосудистой системы и др. Основное внимание уделено диагностике и неотложной терапии. Приводятся схемы оказания неотложной кардиологической помощи на догоспитальном и госпитальном этапах лечения, основанные как на личном опыте авторов, так и по результатам крупнейших контролируемых международных исследований.

Приведены результаты комплексных исследований кристаллического материала для солнечной энергетики разных производителей, в которых применены следующие методы: рентгеновская дифрактометрия (для изучения типа и концентрации дефектов), масс-спектроскопия (для определения концентрации легирующих и рекомбинационно-активных примесей), инфракрасная спектроскопия (для определения типа и связанного состояния кислорода), спектроскопия поверхностной фотоэдс и других фотоэффектов (для определения характеристик фоточувствительности солнечного материала), а также локальная спектроскопия комбинационного рассеяния (для определения механических напряжений и их пространственного распределения). Установлено, что образцы солнечного кремния разных производителей могут отличаться по фоточувствительности на порядки величин, несмотря на то, что их примесный состав отличается незначительно. Рассмотрены возможные причины, приводящие к деградации времени жизни неравновесных носителей заряда.

В Інституті фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України розроблено мобільну сонячну електростанцію на основі кремнієвих фотоперетворювачів сонячної енергії, яка вирізняється наявністю вбудованих акумуляторів з відповідною електронною схемою контролю, а також компактністю і високою механічною міцністю, що дозволяє використовувати її за екстремальних (польових) умов. Акумуляторна батарея дозволяє заряджати мобільні електронні пристрої в будь-який час, незалежно від умов освітленості.

Наведено результати досліджень взаємодії прискорених іонів з твердим тілом у разі in situ ультразвукової обробки. Запропоновано комбінований метод акустостимульованого іонно-променевого легування (синтезу) твердотільних мішеней надає змогу ефективно управляти перерозподілом радіаційних дефектів, які виникають під час взаємодії прискорених частинок з твердим тілом. Використання цього методу дозволяє впливати на швидкість протікання квазіхімічних реакцій в нанорозмірних структурах, стимулювати прискорення або уповільнення процесів масопереносу та змінювати умови формування, росту або розпаду фаз у твердотільних матрицях.