Розглянуто теоретичні положення та розроблено практичні рекоменадції щодо забезпечення економічної безпеки експортної діяльності промислового підприємства, проаналізовано її сучасний стан в Україні. Визначено особливості здійснення підготовчого, організаційного, виконавчого етапів даного виду діяльності. Проведено семантичний аналіз й обгрунтовано визначення поняття "економічна безпека підприємства". Розроблено концепцію й інформаційно-аналітичну базу забезпечення економічної безпеки експортної діяльності підприємства, виявлено загрози її здійсненню та розроблено їх класифікацію. Запропоновнао підхід до оцінювання економічної безпеки кожного етапу експортної діяльності підприємства. Доведено, що за умов деструктивного впливу загроз економічній безпеці ефективним інструментом розробки та вибору стратегії є сценарний підхід. На підставі BEAR-методу сценарного планування визначено стратегії та заходи для забезпечення економічної безпеки на кожному етапі експортної діяльності промислового підприємства. Проведено апробацію результатів наукового дослідження на базі машинобудівних підприємств Луганщини.

Досліджено процеси дефектоутворення в кремнії, структурах і приладах на основі кремнію, встановлено механізми трансформації вихідних дефектів у процесах легування і окиснення кремнію. Запропоновано й експериментально підтверджено механізм утворення двох областей, що розташовані на різних глибинах від поверхні та містять дефекти, які утворюються за іонного легування пластин кремнію. Встановлено механізм зміцнення кристалів p-кремнію, що містять фонову домішку кисню, яка преципітує на дислокаціях. Показано, що шаруватість пластин монокристалічного кремнію є першопричиною виникнення дефектів упаковки в окиснених пластинах. Описано й експериментально підтверджено механізм трансформації мікродефектів у дефекти упаковки внаслідок окиснення пластин кремнію. Побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму та квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП для різної густини дислокацій. Визначено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму та квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП у разі зростання густини дислокацій. Ппоказано, що відбір p-i-n-ФП за S-подібністю ВАХ може бути використаний для виявлення фотоприймачів, які містять області розупорядкування у вигляді полікристалічного кремнію.

Розглянуто теоретичні та практичні аспекти здійснення зовнішньоекономічної діяльності (ЗЕД), досліджено засади її регулювання на державному рівні. Встановлено принципи, інструменти та форми реалізації ЗЕД на рівні підприємства. Висвітлено основи управління ЗЕД за актуальними функціональними напрямами, зокрема, забезпечення економічної безпеки ЗЕД та управління витратами в процесі здійснення ЗЕД. З метою практичної підготовки наведено перелік питань, тем рефератів до кожного розділу, ситуаційні та тестові завдання.

Рассмотрены теоретические и практические аспекты осуществления внешнеэкономической деятельности (ВЭД), исследованы принципы ее регулирования на государственном уровне. Определены принципы, инструменты и формы реализации ВЭД на уровне предприятия. Изложены основы управления ВЭД по актуальным функциональным направлениям, в частности, обеспечения экономической безопасности ВЭД и управления затратами при осуществлении ВЭД. С целью практической подготовки приведен перечень вопросов, тем рефератов к каждому разделу, ситуационные и тестовые задания.

Наведено базові засади теорії управлінського консультування, що дає системне уявлення про його категорії, процес, методологію, рольову природу. Досліджено особливості управлінського консультування за актуальними сферами підприємницької діяльності (консультування з маркетингу, зовнішньоекономічної діяльності, безпеки експортної діяльності підприємств, управління змінами). Сутність і зміст процесу маркетингового консультування подано через його базові положення, завдання, методи та способи. Встановлено основні напрями взаємодії зовнішніх консультантів і з службами маркетингу. Наведено теоретичні положення маркетингового консультування, що підкріплюються та супроводжуються конкретними прикладами з діяльності вітчизняних підприємств.

За допомогою сучасних методів дослідження вивчено чинники, що впливають на величину порога пластичної механічної напруги (ВПВМН) у напівпровідниковому кремнії. Встановлено, що на ВПВМН у кремнії разом із відомими чинниками (моделі Франка - Ріда та Александера - Хаасена) впливають також такі чинники як механічні напруження, локалізовані в районі ядер структурних дефектів, на межах сусідніх блоків і шарів кремнію, та локалізовані в районі знаходження макродефектів типу дендритів і двійникових ламелей.

Показано роль пластичної деформації в процесі одержання шарів наноструктурованого кремнію (НСК). Процес одержання НСК полягає в тому, що на поверхні кремнієвої пластини вирощуються шари окислу кремнію різної товщини з подальшим їх видаленням та обробкою в хімічних травниках до появи бездефектного острівкового кремнію, що має фотолюмінесцентні властивості, притаманні нанокремнію. Наведено спектри інтенсивності фотолюмінесценції нанокремнію для різної товщини вирощеного оксиду кремнію. Розглянуто різні механізми зсуву максимуму інтенсивності спектра фотолюмінесценції в короткохвильову область спектра.

Наведено та обгрунтовано особливості існування такого явища, як ринкова привабливість підприємства, до яких віднесено: неможливість існування абсолютно від'ємної ринкової привабливості; присутність негативного ефекту; врахування вимог потенційних партнерів; плідна взаємодія з потенційними партнерами; симбіоз фінансово-економічних і психологічних оцінок діяльності; врахування перспектив розвитку підприємства. Зазначені особливості покладено в основу подальшого формування змістовної картини поняття "ринкова привабливість підприємства" та встановлення її ознак, структури та чинників.

Досліджено механізми формування нанокремнію за допомогою новог методу неелектролітичного травлення поверхні в розчинах HF:H₂O₂:H₂O, за різних концентрацій компонентів. Показано залежність властивостей і топології поверхні одержаних наноструктур від кількісного співвідношення травника та окислювача в розчині.