Представлено нову методику і технологію виготовлення зразків для ПЕМ, яка уможливлює підготувати зразок завтовшки до 20 нм, оточений об'ємним матеріалом і втілений у нього. Головна перевага системи полягає в малій товщині шару пошкоджень, спричинених іонним обробленням (менше 2 нм), в малому часі оброблення (1 - 2 години), в моніторингу зразка під час іонного фрезерування (топографія і товщина зразка) і у великій площі, що обробляється (5 - 30 мкм вздовж області, яка являє інтерес). Виконано порівняння декількох типів робочої речовини для іонних джерел, наведено схеми або креслення ключових вузлів пристрою.