The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer <$E {roman In} sub x {roman Tl} sub 1-x roman I> semiconductor for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals synthesised within the different matrices is analysed. The mordenite-type <$E roman {Na sub 8 [Al sub 8 Si sub 40 O sub 96 ]~cdot~24H sub 2 O}> zeolite, beryl and porous silicon are used as matrices. As experimentally shown, the size-effects' influence affect the parameters of the band-to-band transitions and the genesis of exciton states in substitutional solid solution of <$E {roman In} sub x {roman Tl} sub 1-x roman I>.

For the first time, the fundamental optical functions of single crystals of layered indium bromide are calculated on the basis of polarization-dependent reflection spectra at the liquid helium temperature in the energy region of 2 - 30 eV. Features of the spectra of bulk and surface characteristic losses are examined, and the bulk and surface plasmon energies have been obtained. The identification of the genetic origin of the principal structures in the spectra is accomplished. The correlation between the energies of long-wave plasmons and the energies of reflectivity minimum has been determined.

Досліджено енергетичну структуру механічно вільних і затиснених одновісним тиском монокристалів RbKSO4. Установлено, що вершина валентної зони (ВЗ) локалізована в точці D зони Бріллюена [k = (0,5, 0,5, 0)], дно зони провідності (ДЗП) знаходиться в точці <$E GAMMA>, а найменша ширина прямої забороненої щілини <$E E sub roman g> є рівною 5,80 еВ. ДЗП сформовано в основному K s, Li p, Rb s і Rb p станами, гібридизованими з антизв'язуючими S p і O p станами. Визначено баричні коефіцієнти енергетичної зміни ВЗ, зони провідності та ширини забороненої зони <$E E sub roman g>.

Досліджено дозову залежність інтегральної інтенсивності спектрів термостимульованої люмінесценції нанокристалів твердих розчинів заміщення <$E {roman In} sub x {roman Tl} sub 1-x roman I>, синтезованих у порожнинах пористого кремнію, під час <$E gamma>-опромінення. Розглянуто механізми рекомбінаційних процесів і можливість практичного застосування одержаних структур як датчиків радіаційного опромінення.

Індекс рубрикатора НБУВ: К235.220.42 + К235.250.42

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження оптичних властивостей нових твердих розчинів InxTl1-xI в області концентрацій <$E0,4~symbol Г~x~symbol Г~0,7>. Подвійне променезаломлення виміряно для твердого розчину заміщення In_xTl_1-xI. Досліджено залежність двопроменезаломлення <$EDELTA n sub i> від концентрації йодиду талію. Розподіл діелектричної проникності <$Eepsilon (E)> розраховано з використанням методу псевдопотенціалу у межах теорії функціонала густини. Дійсна <$Eepsilon sub 1> і уявна <$Eepsilon sub 2> частини діелектричної проникності розраховано для поляризації E||a й E||b у діапазоні енергій фотонів від 0 до 14 еВ. Спектри показали виражену анізотропію між цими поляризаціями. Спектральні залежності двопроменезаломлення <$EDELTA n sub i> кристалів In_xTl_1-xI для різних кристалофізичних напрямків одержано на основі даних розрахунків. Експериментальні та теоретичні спектри двопроменезаломлення добре узгоджуються між собою.