Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Знайдено в інших БД: | Наукова періодика України (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Eidelman K$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
||||
| 1. | Eidelman K. B. Influence of order of double step implantation of 64Zn+ and 16O+ ions into Si on formation of zinc-containing nanoparticles / K. B. Eidelman, K. D. Shcherbachev, N. Yu. Tabachkova, A. V. Goryachev, D. M. Migunov, D. A. Dronova // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4. - С. 04028-1-04028-3. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. This paper presents the research the formation of zinc-containing nanoparticles (NPs) in Si (001) after double-step hot implantation of 64Zn+ and 16O+ ions. High-resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM) and X-ray Diffraction (XRD) methods were used to study a crystal structure of the samples. Depth profiles of implanted impurity atoms were measured by Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS). Zn NPs with a size of 3 up to 50 nm were found in the implanted samples. Zinc-containing NPs with the size of 5 - 10 nm were found in the surface layer of as-implanted Si substrates. The effect of the order of implantation on structural defects and the impurity atoms depth profiles is established. Індекс рубрикатора НБУВ: К390.1-1 + В371.211 + В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ  Повний текст Наукова періодика України
| |||
 |
| Відділ інформаційно-комунікаційних технологій |
 Пам`ятка користувача |