Проаналізовано два підходи до теоретичного опису дисоціативного прилипання електронів: метод оператора проекції Фешбаха і метод R-матриці. Отримано теоретичні результати для кількох дво- та багатоатомних молекул у газовій фазі. Розширено напівемпіричну теорію R-матриці для опису дисоціативного прилипання до кластерів і молекул у конденсованій фазі. Результати розрахунків добре узгоджуються з експериментальними даними.

Проаналізовано роль далекодіючих дипольних і поляризаційних взаємодій у зіткненнях електронів з молекулами в субміліелектронвольтному діапазоні. Ці взаємодії можуть підтримувати слабо зв'язані чи віртуальні стани, що веде до сильного зростання перерізів для непружного розсіювання. Поляризаційна взаємодія може також посилювати прилипання електронів до молекул. Проаналізовано просту модель захоплення електрона деякими молекулами.