Досліджено втрати в безоболонкових оптичних хвилеводах, обумовлених поверхневими неоднорідностями, що формуються в процесі виготовлення хвилеводів. Ці неоднорідності описано моделлю заморожених поверхневих капілярних хвиль. Перевірено відповідність теоретичної моделі шорсткості реальному рельєфу поверхні безоболонкового оптичного хвилеводу. Експериментальні результати узгоджено з теоретичними розрахунками; показано, що основним джерелом втрат є розсіяння на заморожених поверхневих капілярних хвилях.

Досліджено ріст надтонких плівок вісмуту до 15 атомарних шарів на атомарно чистій підкладці Ge(111)-c(2 <$E times> 8) при 300 К за допомогою методу надвисоковакуумної скануючої тунельної мікроскопії до та після відпалу при 450 К. Спостерігався такий діапазон морфологій вісмутового адсорбату: окремі атоми, двовимірні наноострівці, тривимірні нанокристали, мікрокристали, а також атомарно гладка плівка. Тривимірна (3D) наноструктуризація досягається в процесі росту плівки за сценарієм Вольмера - Вебера до 10 атомарних шарів. За подальшого росту від 10 до 15 атомарних шарів відбувається згладжування поверхні плівки. Після відпалу субмоношарових плівок спостерігалися окремі атоми Bi, вбудовані у зовнішній атомарний шар підкладки Ge(111), а також двовимірні острівці першого атомарного шару плівки (2D наноструктурування). Плівки більшої товщини зазнавали розрихлення внаслідок відпалу і складались із низки нано- та мікрокристалів вісмуту.

Реконструкція Si(001)-c(<$E 8~times~8>), що спостерігається в деяких випадках, є унікальним наноструктурованим станом поверхні Si(001). Він був одержаний внаслідок внесення домішок Cu в концентраціях нижче межі чутливості електронної спектроскопії. Детальні СТМ зображення демонструють, що в стані с(<$E 8~times~8>) поверхня не є атомарно гладкою, натомість складається із основних елементів, які належать двом послідовним атомним шарам. Цими елементами є епітаксійні аддимери Si в першому (поверхневому) шарі та подвійні димерні вакансії в другому (приповерхневому) шарі кремнієвого субстрату.

Описано новий оригінальний пристрій нанопозиціонування для застосування у скануючій зондовій мікроскопії. Пристрій складається з 4-х п'єзоелектричних приводів лінійного переміщення, що механічно комбінуються в переміщення зонду скануючого мікроскопу уздовж 3-х ортогональних осей у просторі. Така система є надкомпактною, сумісною із надвисоковакуумним обладнанням та не містить компонентів високої вартості. Попереднє тестування проводилося в скаунючому тунельному мікроскопі на поверхнях графіту (0001) у повітряному середовищі та германію (111) у надвисоковакуумному середовищі.

Реконструйована поверхня Ge(111) може легко переходити з основного стану з суперкоміркою c(2 x 8) у збурений стан 2 x 2 внаслідок близькості їх значень поверхневої вільної енергії. Ці дві реконструкції поверхні германію є достатньо вичерпно вивченими в попередніх роботах, проте нові структурні особливості можна знайти на межах між доменами c(2 x 8) і 2 x 2 із різноманітними орієнтаціями та латеральними зсувами. Наведено результати досліджень за допомогою методу сканувальної тунельної мікроскопії та запропоновано атомні моделі лінійних ланцюжків комірок 2 x 2 або c(2 x 8), а також адатомно-рестатомних групових вакансій, включаючи кутові ями з аналогічною геометрією як у випадку поверхні Si(111)-7 x 7.