Досліджено зв'язок між основними коефіцієнтами параметрів опромінення та термодинамічних умов, які визначають властивості тонких плівок <$Eroman ZrO sub 2>, утворених імпульсним лазером на різних підкладинках без подальшого відпаду. Вивчено структурні, електричні й оптичні властивості вирощених плівок як функції температури опромінення підкладинки й атмосферного тиску фону. На підставі одержаних результатів розроблено метод виготовлення систем тонких плівок для використання в приладах мікроелектроніки, розроблених на основі плівок <$Eroman ZrO sub 2>. Визначено основні властивості виготовлених систем.

The main aim of this research was to explore a relationships between main factors of deposition parameters and thermodynamical conditions, which determine the properties of ZrO2 thin films prepared by reactive pulsed laser deposition (RPLD) on different substrates without the stage of post-deposition annealing. The structural, electrical and optical properties of grown films were investigated as a function of substrate deposition temperature and pressure of background gas atmosphere. On the basis of obtained results we have developed the method of manufacturing of thin films systems for application in microelectronic devices, which have been constructed on the base of ZrO2 films. Besides, the main properties of manufactured systems have been measured

Зазначено, що у процесі виготовлення наноструктур надзвичайно важливим питанням є подолання принципових обмежень існуючих технологій під час їх формування та розробка нових методів для виготовлення таких наноструктур. Оскільки співвідношення вартість/ефективність є основною ринковою перепоною для поступу нанотехнологій і створення майбутньої елементної бази наноелектроніки, розроблено ефективну, дешеву та конкурентоздатну технологію, що дозволить виготовляти наноструктури на основі тонких плівок напівпровідникових сполук <$E roman {A sup II B sup VI}>. Представлено основні досягнення в формуванні наноструктур і проблеми, пов'язані з виготовленням таких наноструктур на основі тонких плівок напівпровідникових сполук <$E roman {A sup II B sup VI}>, вирощених за допомогою методу імпульсного лазерного напилення.

Проаналізовано розвиток ідей вищої освіти від античності до сучасності в класичному традиційному університеті. Описано основні моделі університетської освіти, які розкривають поступальний розвиток "ідеї університету". Викладено моделі реакції суспільства на процеси глобалізації, інтернаціоналізації та соціально-економічні умови. Особливу увагу приділено проблемам Болонського процесу та реалізації його ідей в Україні та Росії.

Проанализировано развитие идей высшего образования от античности до современности в классическом традиционном университете. Описаны основные модели университетского образования, раскрывающие поступательное развитие "идеи университета". Изложены модели реакции общества на процессы глобализации, интернационализации и социально-экономические условия. Особое внимание уделено проблемам Болонского процесса и реализации его идей в Украине и России.

Одержано прямі та обернені теореми наближення <$E 2 pi>-періодичних функцій операторами Тейлора - Абеля - Пуассона в інтегральній метриці.

Описано 2 маловідомих факти і події з історії досліджень гравітаційних хвиль в Україні. Перший з них стосується періоду життя Натана Розена в Києві та його наукової діяльності в Інституті фізики Академії наук УPCP у 1936 - 1938 рр. У той час він опублікував кілька праць, які сприяли створенню сучасних теорій в області гравітації та квантової фізики. Ці роботи, зокрема "Плоскополяризовані хвилі в загальній теорії відносності", були видані в журналі "Українські фізичні записки", до якого не було тоді широкого доступу. Цитовано також деякі листи із переписки Н. Розена і А. Ейнштейна в цей період. Другий коментар пов'язаний з історією експериментальних досліджень гравітаційних хвиль, які були ініційовані в 1970-х рр. у Києві академіком АН УРСР О. З. Петровим в Інституті теоретичної фізики АН УРСР. Стисло описано історію створення детектора високочастотних гравітаційних хвиль (антени веберівського типу), а також результати, одержані групою дослідників під керівництвом К. А. Пірагаса.

Гіперкальційурія є основним літогенним порушенням обміну речовин за наявності кальцієвого нефролітіазу, що проявляється багатогранними порушеннями метаболічних факторів ризику рецидивного розвитку сечокам'яної хвороби і різними видами гіперкальційурії. Причинами гіперкальційурії можуть бути порушення функції травного тракту, нирок, гормональні порушення та їх дисбаланс у регуляції метаболізму кісткової тканини, порушення обміну вітаміну D, вроджених генних патологій та аліментарних чинників. Розрізняють 6 основних видів гіперкальційурії і різних станів, що спричиняють виникнення гіперкальційурії (онкозахворювапня тощо). Для проведення метафілактики кальційоксалатного нефролітіазу необхідно чітко диференціювати види гіперкальційурії і вибір адекватного лікування. У Увагу приділено абсорбтивній гіперкальційурії I, II, III та IV типів, ренальній, резорбтивній ГК і канальцієвому ацидозу, наведено схеми метафілактики і результати трирічної метафілактики кальційоксалатного нефролітіазу.