В рамках моделі дифузійного транспорту через різкий асиметричний pn-перехід, фактор ідеальності якого покладається рівним одиниці, за допомогою звичайно використовуючих критеріїв для теоретичного опису напівпровідникових діодних структур одержані співвідношення для оцінки параметрів діодних сенсорів температури. Набір цих параметрів забезпечує або максимальну протяжність термометричної характеристики в область більш високих температур, або максимальну чутливість діодного сенсора температури. Для германієвих, кремнієвих, а також сенсорів на базі арсеніду галію визначено границі термометричних характеристик та температурні залежності чутливості. Статичні та динамічні опори обчислено для випадків максимальної протяжності термометричної характеристики і максимальної чутливості. Показано, що експериментально виміряні характеристики діодних сенсорів температури знаходяться всередині областей, що визначаються граничними характеристиками. Обговорюються шляхи подальшого вдосконалення діодних сенсорів температури.

Досліджено фотохромні властивості плівок гідрогелю полівінілового спирту з комплексами двовалентного кобальту з допуванням родаміну 6Ж. Проводилось спостереженння фотохромного ефекту при слабкій інтенсивності опромінення (10<^>-2 - 10<^>-1 Вт/см<^>2) та вивчена динаміка наведеного поглинання в плівках за інтенсивності опромінення від 10<^>0 до 10<^>5 Вт/см<^>2. Встановлено, що результатом впливу світла є підвищення поглинання в області 600 - 720 нм, в динаміці змін коефіцієнта пропускання присутня осциляційна складова. Амплітуда осциляцій з часом змінюється незначно, а тривалість постійно зростає. Після припинення опромінення прозорість відновлюється за 200 - 300 с. Відтворюваність посиленого фотохромного ефекту при багаторазовому опроміненні вказує на відсутність фотодеструкції і перспективність систем гідрогелю полівінілового спирту з комплексами хлориду Со(II) з барвником в якості матеріалу для фотохромних оптичних елементів плівкового типу, які забезпечують високий контраст в області 600 - 720 нм.

Теоретично вивчено вплив неоднорідного розподілу концентрації легуючих домішок в діодній структурі з p - n-переходом на термометричну характеристику діодного сенсора температури. Проведено аналітичний розрахунок вольт-амперної характеристики, яка визначає термометричну характеристику температурного сенсора. Для розрахунків використано модель p - n-переходу з одновимірним експоненціальним розподілом домішок в емітерній області діода за однорідного розподілу домішок у базі та домінуючим дифузійним механізмом транспорту неосновних носіїв у діодній структурі. Показано, що залежно від величини градієнта концентрації домішок обидві складові дифузійного струму неосновних носіїв, електронна та діркова компоненти струму можуть давати порівняний внесок у формування вольт-амперної характристики. Цим розглянута модель p - n-переходу істотно відрізняється від моделі ступінчастого (квазіоднорідного) розподілу домішок в асиметричному переході, для якої вольт-амперна характеристика повністю визначається односторонньою інжекцією неосновних носіїв у менш леговану область бази діода. Величина ефективного зсуву термометричної характеристики в температурному еквіваленті складає для кремнієвих сенсорів <$E symbol Ы 20> K. Досліджено залежності граничної температури <$E T sub m>, що обмежує протяжність термометричної характеристики в область високих температур, від величини робочого струму сенсора, концентрації домішок в базі та глибини залягання p - n-переходу.

Розглянута теоретична модель механізмів струмопереносу дозволяє пояснити експериментальну поведінку диференціальних характеристик (фактор ідеальності, диференціальний опір) в кремнієвому діодному сенсорі температури до та після опромінення. Немонотонні струмові залежності фактора ідеальності, що спостерігаються, добре описуються впливом генераційно-рекомбінаційної та дрейфової компонент струму на дифузійний струм неосновних носіїв. Розвинута модель дозволила визначити характеристичні часи життя неосновних носіїв у базі й області просторового заряду в сильно легованій діодній структурі. На підставі дослідження електрофізичних і метрологічних характеристик діодного сенсора температури визначено робочий режим, за умов якого вплив радіації на термометричні характеристики мінімальний.

This paper describes measurements of the velocity of electrons at electric fields up to 100 kV/cm in GaN/AlGaN heterostructures. In order to avoid the Joule heating effect, a pulse technique with a time sweep of 10 - 30 ns was used. The experimental results indicate that overheating of the 2DEG does not exceed 1000 K in this electric field range and drift velocity as high as ~ <$E 10 sup 7> cm/s was obtained. Additionally, the low frequency 1/f noise spectra measured for a different bias voltage are analyzed with respect to field-induced contribution of hopping conductivity in AlGaN barrier region.

A theory for the spontaneous emission of radiation for a Bloch electron traversing a single energy miniband of a superlattice (SL) in a cavity while undergoing scattering is presented. The Bloch electron is accelerated under the influence of superimposed constant external and internal inhomogeneous electric fields while radiating into a microcavity. The constant external terahertz spectral range. The quantum dynamics for the inhomogeneous field correction is obtained from a Wigner-Weisskopf-like long-time, time-dependent perturbation theory analysis based on the instantaneous eigenstates of the electric field-dependent Bloch Hamiltonian. It is shown that SE for the cavity-enhanced Bloch electron probability amplitude becomes damped and frequency shifted due to the perturbing inhomogeneity. The developed general quantum approach is applied to the case of elastic electron scattering due to SL interface roughness (SLIR). In the analysis, the interface roughness effects are separated into contributions from independent planar and cross-correlated neighboring planar interfaces; it is estimated that the crosscorrelated contribution to the SE relaxation rate is relatively small compared to the independent planar contribution. When analyzing the total emission power, it is shown that the degradation effects from SLIR can be more than compensated for by the enhancements derived from microcavity-based confinement tuning.

Вивчено вплив умов вирощування трубок з лейкосапфіра (марки молібдену, з якого виготовляються формообразователі; марки вихідної сировини; швидкості вирощування; конструкції екранування формоутворювачем і зростаючої труби) на міцність виготовлених із них ізоляторів.

Побудовано тривимірні твердотільні моделі інструментальних магазинів дискового типу (на 14 інструментів) і ланцюгового типу на 32 інструмента, змонтованих на бічній поверхні стійки верстата. Запропоновано 3D-модель автооператора з гідроциліндром, що реалізує автоматичну зміну інструменту. Сформований комплект моделей технологічного оснащення спільно з моделями інструментальних магазинів і автооператором надає цілісне уявлення про складність та особливості конструкторсько-технологічної підготовки процесів обробки на обробних центрах III і IV типорозмірів. Розроблено моделі та алгоритми параметричного моделювання базових елементів профільного різального інструменту. Використання вбудованого параметрізатора в модулі APM Graph надає можливість реалізувати більш простий підхід до створення моделей уніфікованих профілів інструменту, що прискорюють процес створення спеціалізованих прикладних бібліотек. Сформовано аналітичні моделі для визначення жорсткості формотворчих вузлів верстаті. Такий підхід є найбільш ефективним для типових схем двохопорних шпинделів, забезпечених різноманітним інструментальним оснащенням. На противагу загальноприйнятій процедурі, запропоновано аналітичні моделі (статичні формуляри), що забезпечують отримання експрес-оцінок оптимального співвідношення конструкторських параметрів шпиндельних вузлів. Такий підхід до дослідження викликаний тенденцією розширення технологічних можливостей обробних центрів, оснащених постійно змінною номенклатурою технологічної оснастки, що вдосконалюється. Поява нових видів допоміжного та різального інструменту повинно бути підкріплено методами й алгоритмами, що зв'язують етапи створення моделей конструкцій та оцінки їх працездатності за критерієм жорсткості. За умов верстатобудівної галузі, запропонований інструментарій спрямований на підвищення якості створення тривимірних моделей конструкцій, їх фотореалістичного зображення, швидку адаптацію до умов, що змінюються, та оперативну оцінку жорсткості формотворчих вузлів. Реалізація запропонованого інструментарію орієнтована на підвищення конкурентоспроможністі проектів, що розробляються.