Показано, что вольт-фарадные характеристики, имеющие участки крутого падения, в частности вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур GaAs, могут быть измерены при умеренно малых амплитудах переменного напряжения (порядка 100амВ) за счет проведения измерения на двух различных амплитудах. Данный вывод подтвержден результатами численного расчета кажущейся емкости эпитаксиальных структур GaAs.

Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характеристики тонкоплівкових структур GaAs, можуть бути виміряні за помірно малих амплітудах змінної напруги (порядку 100амВ) за рахунок проведення вимірювань на двох різних амплітудах. Цей висновок підтверджено результатами числового розрахунку позірної ємності епітаксіальних структур GaAs.

It is shown that capacitance-voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring ac voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures.

Получено соотношение, выражающее измеренную кажущуюся емкость полупроводниковой структуры через фактическую емкость и амплитуду измерительного переменного напряжения. С использованием этого соотношения показано, что вольт-фарадные характеристики, имеющие участки крутого падения, в частности вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур GaAs, можно измерять при умеренно малых амплитудах переменного напряжения (порядка 100 мВ) за счет проведения измерений на двух различных амплитудах. Данный вывод подтвержден результатами численного расчета кажущейся емкости ионно-имплантированных структур GaAs.