Розглянуто сучасні й перспективні надшвидкодіючі прилади електроніки: польові транзистори із затвором Шотткі, гетеробіполярні транзистори, транзистори з високою рухливістю електронів. Приділено увагу потужним НВЧ-транзисторам, резонансно-тунельним діодам і приладам, що містять в активній ділянці нові матеріали (графен, нанотрубки). Описано моделі перенесення заряду на макрорівні без урахування квантових ефектів (рівняння Больцмана, релаксаційні рівняння збереження, метод Монте-Карло) і з урахуванням ефектів розмірного квантування (метод обвідної хвильової функції). Надано опис матеріалів, які використовуються у галузі надвисоких частот, та ефектів перенесення гарячих електронів, що спостерігаються в сильному електричному полі за зменшення характерних розмірів приладів.