Викладено основні властивості напівпровідників, зонну модель напівпровідників, механізми й типи електропровідності. Наведено класифікацію електричних переходів у напівпровідниках, розглянуто фізичні процеси утворення гомо- та гетеропереходів. Увагу приділено електронно-дірковому переходу. Розглянуто різні класи напівпровідникових діодів, принцип дії яких грунтується на різних властивостях p-n переходу. Розглянуто основні параметри та характеристики діодів і їх залежності від зовнішніх факторів. Обгрунтовано принцип дії та основні параметри біполярних транзисторів і тиристорів, наведено різновиди приладів. Акцентовано увагу на польових транзисторах з керувальним p-n переходом і транзистором зі структурою метал - діелектрик - напівпровідник. Показано вплив короткоканальних ефектів і масштабування транзисторів, а також деякі різновиди транзисторів. Описано тенденції розвитку нових приладів твердотільної електроніки, принцип дії та фізичні процеси, пов'язані з нанорозмірними та квантовими ефектами. Подано інформацію про оптоелектронні прилади різного призначення: фотодетектори, світлодіоди і перетворювачі світлової енергії в електричну.