Викладено уявлення про частотні залежності комплексної діелектричної проникності однорідних діелектриків та формальні моделі, які застосовуються для їх аналізу. Охарактеризовано сучасний стан вивченості діелектричних властивостей гетерогенних двокомпонентних діелектриків. Подано відомості про механізми електропереносу через міжкристалітні потенціальні бар'єри в неоднорідних структурах та методи моделювання їх вольтамперних характеристик. Подано теоретичні уявлення про діелектричні властивості неоднорідних діелектриків із напівпровідниковими включеннями та фізичні основи діелектричної релаксаційної спектроскопії як методу дослідження локалізованих електронних станів у неоднорідних структурах.