Проаналізовано методи вирощування мікро- та нанорозмірних ниткоподібних кристалів (НПК) Si, Ge та їх твердих розчинів (ТР). Наведено результати дослідження електропровідності, магнето- та п'єзоопору, коефіцієнта Зеєбека НПК Si, Ge та <$Eroman {Si sub 1 - x~ Ge sub x}> у широкому інтервалі температур за впливу сильних магнетних полів і деформацій, для створення сенсорів механічних і теплових величин на їх основі. Розкрито конструктивні особливості та методи покращання вимірювальних характеристик сенсорів механічних і теплових величин на основі НПК кремнію, германію та ТР <$Eroman {Si sub 1 - x~ Ge sub x}>.

Проанализированы методы выращивания микро- и наноразмерных нитеобразных кристаллов (НОК) Si, Ge и их твердых растворов (ТР). Приведены результаты исследования электропроводимости, магнето- и пьезосопротивления, коэффициента Зеебека НОК Si, Ge и <$Eroman {Si sub 1 - x~ Ge sub x}> в широком интервале температур при влиянии сильных магнетических полей и деформаций, для создания сенсоров механических и тепловых величин на их основе. Раскрыты конструктивные особенности и методы улучшения измеряемых характеристик сенсоров механических и тепловых величин на основе НОК кремния, германия и ТР <$Eroman {Si sub 1 - x~ Ge sub x}>.