Дисертацію присвячено дослідженню оптичних та електричних властивостей монокристалів ZnS_xSe_{1 - x} з різноманітними домішками, гетероепітаксійних структур ZnSe/GaAs (100) та квантово-розмірних структур типу одиночна квантова яма - ZnS - ZnSe - ZnS/GaAs (100) та надгратки - ZnS/ZnSe/GaAs (100). Проаналізовано процеси переносу заряду під час фотолюмінесценції (ФЛ) у кристалах ZnS : Al, Cr, Fe, вивчено зміни в спектрах електронного парамагнітного резонансу та ФЛ пластично деформованих кристалів ZnS : Eu; ZnS : Al, Cr, Fe; ZnS : Al, Cr, Fe, Cu. Досліджено вплив термообробок на тип провідності кристалів ZnS_xSe_{1 - x}. Проведено комплексні дослідження фізичних процесів, які відбуваються під час зрощування гетероепітаксійних структур ZnSe/GaAs (100) методами газофазної епітаксії, фотостимульованої (ФГФЕ) та рентгеностимульованої. Розглянуто можливості поліпшення кристалічної якості та коригування оптичних властивостей епітаксійних шарів ZnSe на підкладках GaAs (100) шляхом впливу на поверхню синтезованого напівпровідникового шару м'якого рентгенівського випромінювання та високого гідростатичного тиску. Наведено нові експериментальні результати щодо зміни екситонних спектрів ФЛ та спектрів відбиття в епітаксійних плівках ZnSe на підкладках GaAs (100) із різною товщиною шару та характером внутрішніх деформаційних напружень. Вперше методом ФГФЕ на підкладках GaAs (100) зрощено квантово-розмірні структури типу одиночна квантова яма та надгратки на підставі сульфіду і селеніду цинку, а також досліджено їх оптичні характеристики.