Теоретично та експериментально досліджено епітаксійні плівки Hg_{1 - x}Cd_xTe з градієнтом складу та діодні структури на їх основі. Показано можливість визначення величини градієнта (внутрішнього електричного поля) і вигляду залежності ширини забороненої зони від товщини плівки з вимірів оптичного пропускання. Досліджено трансформацію спектрів фотоструму в епітаксійних шарах Hg_{1 - x}Cd_xTe та фотодіодах на їх основі, спричинену градієнтом складу. Досліджено темновий струм і спектри шуму в фотодіодах у випадку нульового та малих зворотних зміщень U <= 0,1 В. Доведено, що 1/f шум корелює з тунельним струмом через глибокі дефектні стани в забороненій зоні.