Визначено, що зміну параметрів малошумних НВЧ польових транзисторів з бар'єром Шотткі (ПТШ) у разі дії gamma-радіації ⁶⁰Со визначають процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. У діапазоні доз опромінення 10⁶ - 2 ^. 10⁷ P, внаслідок радіаційно-стимульованої релаксації внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах, спостерігається поліпшення параметрів транзисторів (зменшення коефіцієнта шуму, збільшення крутизни ВАХ, більш однорідний розподіл параметрів за пластиною). Дослідження впливу НВЧ випромінювання на параметри ПТШ показали, що зміна характеристик настає навіть за незначних термінів обробки. Внаслідок впливу НВЧ випромінювання збільшується висота бар'єра, а фактор ідеальності зменшується. Експериментально доведено, що, аналогічно випадку gamma-опромінювання, існує діапазон термінів обробки, у якому можливе поліпшення параметрів ПТШ.