Досліджено дефектні стани, створювані залишковими домішками та дефектами гратки, їх взаємодію між собою і з екситонами, а також вплив цієї взаємодії на енергетичну структуру напівізолювального спеціально нелегованого арсеніду галію. Експериментально показано, що в напівізолювальному GaAs спостерігається значна взаємодія дефектних станів (домішок між собою та з дефектами гратки, домішок з вільними екситонами). Визначено роль домішки вуглецю в утворенні дивакансій галію. Отримано залежність між концентрацією вуглецю і концентрацією дивакансій галію та запропоновано модель, що пояснює цю залежність. Доведено, що смуга випромінювання з положенням максимуму h nu = 1,5133 eВ зумовлена випромінювальною анігіляцією екситонів, зв'язаних із дрібними іонізованими донорами D⁺. Встановлено вплив термообробки кристалів напівізолювального GaAs за 900 ° C протягом 20 - 90 хв на домішковий склад досліджуваних зразків, зокрема, підвищення концентрації акцепторів і немонотонну зміну концентрації донорів. Запропоновано безконтактний експресний метод визначення кількісного вмісту вуглецю, цинку та кремнію в напівізолювальному GaAs.