Розроблено методи створення та прогнозування характеристик сенсорів теплових величин для широкого інтервалу температур на основі ниткуватих кристалів (НК) твердого розчину <$E{ roman Si} sub {1~-~x } { roman Ge} sub x> (x = 0,01 - 0,1) p-типу провідності, легованих домішками , , до концентрації з діелектричного боку переходу метал - діелектрик. Наведено результати досліджень терморезистивних і термоелектричних властивостей НК <$E{ roman Si} sub {1~-~x } { roman Ge} sub x> в інтервалі низьких і підвищених температур під дією деформування та магнітного поля, визначено механізми транспорту носіїв заряду в широкому інтервалі температур і степенів легування напівпровідника. Проведено дослідження магнітних властивостей НК і дестабілізувального впливу зовнішніх магнітних полів на термометричні характеристики НК <$E{ roman Si} sub {1~-~x } {roman Ge} sub x>. Розраховано основні термоелектричні та термометичні параметри НК й обгрунтовано можливості їх використання у сенсорах теплових величин для кріогенних і підвищених температур. На базі НК <$E{ roman Si} sub {1~-~x } { roman Ge} sub x> створено високочутливі малоінерційні сенсори температури та різниці температур для інтервалів кріогенних (20 - 120 К) і підвищених (300 - 550 К) температур, а також визначення працездатності за умов дії достатньо сильних зовнішніх магнітних полів.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З322-5

Рубрики:

Вимірювання температури (термометрія)

Шифр НБУВ: РА362734