Показано, що непараболічність дисперсійного співвідношення у кристалах із структурою вюрциту та халькопіриту приводить до змін залежностей термодинамічних функцій. В області низьких температур змінюється величина та характер залежностей концентрації дірок валентних підзон. Встановлено, що нижня спін-відщеплена зона Г ₇ ⁺ кристалів р-CdSe практично не впливає на величини сумарних концентрацій та рухливостей дірок, тоді як внесок зони Г ₇ ^- у ці величини помітний та зростає зі збільшенням температури. Зазначено, що у кристалах p-CuInSe ₂ врахування в теоретичних розрахунках лінійного за k доданка в законі дисперсії носіїв Е(k) приводить до ізотропії компонент тензора термоЕРС. Для верхніх Г ₆ ^- та Г ₇ ⁺ валентних зон p-CuInSe ₂ оцінено величини коефіцієнтів C _A,B і компонент ефективних мас носіїв m _+,ІІ ^A,B,C у всіх трьох валентних нідзонах даного напівпровідника, які приводять до задовільного узгодження розрахункових і дослідних температурних залежностей кінетичних коефіцієнтів.