Досліджено електронну структуру донорів азоту (N), його комплексів у 4H та 6H SiC n-типу, а також дефектів та їх кінетичних властивостей у напівізолювальну (HI) 4H і 6H SiC методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР), ехо-детектованого (ЕД) ЕПР, імпульсного подвійного електронного ядерного резонансу (ІПЕЯР) та фото ЕПР. Виявлено триплет ліній N з S = 1, віднесений до віддаленої пари, що утворюється між атомами N у квазікубічній та гексагональній позиції, пов'язаними між собою атомом кремнію <$E...>. Визначено параметри <$Eroman N г> у 4H SiC та константи квадропольної взаємодії для <$Eroman N к> та <$Eroman N г>. Визначено константи супернадтонкої взаємодії N з найближчим його оточенням. Виявлено процес довготривалої релаксації (ДР) нерівноважних носіїв, захоплених на дефектні та домішкові рівні у HI 4H SiC. Визначено кінетичні властивості домішок і дефектів, величини ймовірностей та типи електронних процесів, відповідальних за ДР. Встановлено електронні моделі дефектів, відповідальних за HI властивості 6H SiC.