Встановлено, що домінантним механізмом переносу заряду в фотодіодах, сформованих на епітаксійних шарах <$Eroman {Cd sub x Hg sub (1-x) Te} > (x = 0,28) за T = 78 K, є тунелювання через рекомбінаційні центри <$E E sub t = E sub v + 0,16> eB. Виявлено, що внаслідок дифузійного зсуву p-n переходу вглиб епітаксійного шару та досягнення цього переходу інтерфейсної межі з великою густиною дислокацій у фотодіодах <$Eroman {Cd sub x Hg sub (1-x) Te} > (x = 0,22) в інтервалі температур 78 - 110 K виникають тунельні струми вздовж дислокацій. Розраховано, збуджено й ідентифіковано хвилі Лемба в пластинах <$Eroman {Cd sub 0,2 Hg sub 0,8 Te} > та проведено оцінювання відносної ефективності їх збудження. Виявлено температурні піки коефіцієнта затухання ультразвуку релаксаційного типу в області температур 200 - 270 K і частот 10 - 55 МГц в <$Eroman {Cd sub 0,2 Hg sub 0,8 Te} >.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22-01

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: РА381300 Пошук видання у каталогах НБУВ