Досліджено формування підсистеми дефектів структури під час вирощування, легування, опромінення, термічного відпалу та його впливу на електричні властивості тонких напівпровідникових плівок сполук IV - VI зі структурою типу NaCl експериментальними, теоретичними та методами комп'ютерного моделювання процесів. Для моделювання методом молекулярної динаміки кристалів та їх дефектної підсистеми однозначно вибрано потенціал міжатомної взаємодії з використанням запропонованого безрозмірного параметра. Встановлено, що кластери бінарної сполуки з протилежно зарядженими йонами набувають структури типу NaCl. Розраховано рівновагові концентрації дефектів у плівках PbSe, <$Eroman {Pb sub {1-x} Sn sub x Te} >, PbTe:In і PbTe:Ga за апріорними сталими рівноваги квазіхімічних реакцій, взятих з зонної теорії. У межах моделі захоплення рухливих міжвузловинних атомів на пастки пояснено потокові залежності електричних властивостей в <$Ealpha>-опромінених полікристалічних плівках p-PbSe, досліджено температурні залежності електричних властивостей опромінених монокристалічних плівок n-PbSe. У наближенні теорії кінетики квазіхімічних реакцій визначено характерні часи й енергії активації процесів міграції дефектів під час ізотермічного відпалу на повітрі в полікристалічних плівках n-PbTe. За допомогою дифузійної кінетики пояснено неоднорідність розподілу концентрації дефектів в ізотермічно відпалених у вакуумі плівках p-PbS. Для обгрунтування розмірних ефектів запропоновано електротехнічну модель плівки.