Досліджено умови утворення дисипативних модульованих структур вакансійної підсистеми в опромінюваному кубічному кристалі. Проведено числовий та аналітичний розрахунки енергетичних параметрів "деформаційної" та "електрохімічної" взаємодій вакансій у ГЦК-кристалі. З'ясовано їх поведінку поблизу та вдалині від центру (зокрема, на поверхні) першої Бріллюенової зони оберненого простору ГЦК-гратниці. Встановлено, що наномасштабний період модуляції структури в розподілі вакансій за спинодальним механізмом (закрита система) збільшується з температурою, що визначається ентропійним чинником, "електрохімічною" взаємодією вакансій та й пружніми властивостями ГЦК-кристалу. Виявлено, що у разі відкритої системи та відсутності зовнішніх флуктуацій швидкості генерації радіаційних точкових дефектів типу вакансій і внутрішніх флуктуацій неоднорідності в розміщенні їх стоків (дислокацій) за умов сталості густини дислокацій період трохи зменшується з підвищенням температури, що обумовлено "електрохімічною" взаємодією вакансій. Продемонстровано, що врахування (емпіричної) температурної залежності густини дислокацій призводить до збільшення періоду дисипативної модульованої структури з температурою, що зумовлено ентропійним фактором і "електрохімічною" взаємодією вакансій. Період надгратниці нанопор збільшується з температурою, оскільки визначається лише їх пружньою взаємодією. Кількісно показано, що з урахуванням зовнішніх флуктуацій ненульової швидкості генерації точкових дефектів температурний інтервал стаціонарного існування дисипативної модульованої структури у розподілі густини підсистеми вакансій у ГЦК-кристалі звужується.