Поверхнево-активні катіони (А⁺) у водному середовищі при pH 1,0 і надлишку фосфорновольфрамової кислоти утворюють сполуки складу A₃[PW₁₂O₄₀], а при pH 4,5 - кислі солі A_nH_{7 - n}[PW₁₁O₃₉] ^. xH₂O, що мають наноперіодичну структуру. Параметри структури суттєво залежать як від природи ПАР, так і від типу гетерополііона.

З метою вірного вибору компонентів електрохемілюмінесцентних (ЕХЛ) елементів та їх параметрів, а також для отримання інформації про розподіл іон-радикальних форм люмінофору й емітера ЕХЛ між електродами, досліджено дифузійну кінетику процесів масопереносу електрогенерованих часток А⁺ й А^- для моделі плоско-паралельної комірки, що має довжину d, і в якій створено умови для дифузійно-контрольованих процесів гетерогенного та гомогенного переносу заряду. Отримано аналітичні рішення для розв'язуваних математичних моделей.

С целью правильного выбора компонентов электрохемилюминесцентных (ЭХЛ) элементов и их параметров, а также для получения информации о распределении ион-радикальных форм люминофора и эмиттера ЭХЛ в пространстве между электродами, была исследована диффузионная кинетика процессов массопереноса электрогенерированных частиц А<^M>+ и А<^M>- на модели плоско-параллельной ячейки протяженностью d, в которой созданы условия для протекания диффузионно-контролируемых процессов гетерогенного и гомогенного процессов переноса заряда. Приведены аналитические решения для описанных математических моделей.

Diffusion kinetics of the processes of the electrogenerated particles A+ and A- mass-transfer was studied using the planar-parallel d-length cell under the diffusion-controlled conditions for the heterogeneous and homogeneous charge transfer with the aim to chose property the electrochemiluminescent (ECL)-elements and their parameters, and to obtain information about a distribution of ion-radical forms of luminophor and emitters of ECL. Analytical approaches for the some mathematical models are presented.

Розглянуто проблематику завадостійкості апаратури користувачів супутникових радіонавігаційних систем (СРНС), побудованої на принципах адаптивного заглушування активних завад в зоні застосування СРНС відповідальними користувачами (авіація, морський флот, силові структури та ін.). Стосовно до особливостей сигналів СРНС та умов їх прийому за наявності завад запропоновано алгоритм двохетапного адаптивного заглушування завад (алгоритм "адаптив-адаптив", або А²), який забезпечує значну економію технічних і пограмних засобів (у деяких випадках до двох порядків) у порівнянні з алгоритмом повністю адаптивних антенних решіток.

Встановлено фазові рівноваги в системах Ga(In, Tl)-S(Se, Te)-O(N), досліджено механічні й електрохімічні властивості, дефектну структуру монокристалів A ^IIIB ^VI та їх залежність від тиску, температури та наводнювання. Методами комбінаційного розсіяння світла й аналізу констант рівноваги хімічних реакцій досліджено кінетику формування манодротин і нанотрубок окислів індію та галію. Одержано нанокристали моноселепіду галію методами колоїдної хімії з застосуванням традиційного модифікованого металоорганічного та безмегалоорганічного синтезу, описано їх оптичні та структурні особливості, запропоновано механізми утворення наночастинок, визначено їх морфологію та фізичні параметри. Кількісно і якісно проаналізовано адсорбційні процеси на сколах монокристалів А ^IIIВ ^VI, одержаних у надвисокому вакуумі і на повітрі, зокрема, показано існування на надвисоковакумних сколах монокристала In ₄Se ₃ надструктури кластерів з середнім діаметром 20 нм та їх впорядкування. Встановлено об'ємний та поверхневий фазовий склад телуридів галію і індію за термічного окиснення, а також температури їх існування. Показано, що за окиснення на поверхні GaTe утворюється мережа організованих нанодротів, а у випадку телуридів індію - масиви мікро- та нанокристалічних блоків. Показано, що пасивація молекулярним пучком селеніду галію надвисоковакуумного сколу In ₄Se ₃ супроводжується перебудовою поверхні кристалу, відпал приводить до протікання інтерфейсної реакції з утворенням Ga ₂Se ₃ та наноострівків металічного індію, що є актуальним з погляду інженерії металічних нанооб'єктів.

Методами оптичної спектроскопії досліджено прояви розмірних, композиційних і структурних трансформацій у нанокристалах типу А ²В ⁶, вкраплених у діелектричні матриці, під дією температури, тиску, опромінення рентгенівським випромінюванням і високоенергетичними електронами. Показано, що за дифузійно обмеженого росту в боросилікатному склі більш інтенсивна термообробка веде до виштовхування міноритарного халькогену з нанокристалів CdS _1-xSe _x у матрицю. Одержано й ідентифіковано ряди четвірних нанокристалів Cd _1-yZn _yS _1-xSe _x та CdS _1-x-yЦSe _xTe _y (відповідно двомодовий та тримодовий тип композиційної трансформації фононного спектра). Встановлено умови осадження селену чи телуру у формі молекулярних кластерів Se ₂ або Te ₂ та утворень більшого розміру як альтернативи формуванню в боросилікатному склі нанокристалів типу А ²В ⁶. Для наноструктур "ядро-оболонка" CdSe/HgSe і CdSe/AgА ₂Se показано зв'язок немонотонного гасіння смуг фотолюмінесценції з переходом від утворення домішкових центрів рекомбінації до формування оболонки. Встановлено, що радіаційно індуковані зміни у спектрі поглинання обумовлені іонізацією нанокристалів CdS _1-xSe _x за рахунок захоплення ними електронів, за умов цього дірки захоплюються пастками у боросилікатному склі.

Одержано залежності інтенсивності міжзонного інфрачервоного випромінювання від величини направленої пружньої деформації для різних рівнів збудження в вузькощілинних напівпровідниках (ВН) на прикладі InSb. Встановлено домінуючі механізми рекомбінації. Доведено суттєве (багатократне) підвищення квантового виходу міжзонного ЇЧ випромінювання у ВН InSb за умов пружно-деформованого стану, що пов'язано з пригніченням міжзонної Оже рекомбінації. Запропоновано та підтверджено експериментальними деформаційними дослідженнями на InSb модель багатофононного захоплення носіїв заряду глибокими центрами. Визначено типи центрів захвату. Показано, що явище дислокаційної фотолюмінесценції (ДФЛ) є загальною характеристикою для напівпровідників групи А ²В ⁶ - халькогенідів кадмію. Визначено дві принципово відмінні серії випромінювальних смуг ДФЛ і одержано їх основні характеристики в Сd(Те, Sе, S). Встановлено відповідність кожної з випромінювальних серій ДФЛ у напівпровідниках типу А ²В ⁶ певному типу дефектів. Визначено механізми дефектоутворення під час низькотемпературного руху дислокацій та визначено принаймні три типи дефектів, які виникають за цього: безпосередньо дислокації, метастабільні ланцюгові структури вакансій (або міжвузлів) і глибокі центри, притаманні вихідному кристалу.

Розроблено методи дослідження ядерного квадрупольного резонансу (ЯКР) для оцінювання якості кристалічної структури напівпровідникових сполук типу А³В⁶ та їх застосування в сенсорах твердотільної електроніки. Використано метод імпульсного дослідження ЯКР з Фур'є перетворенням для дослідження та контролю шаруватих кристалів GaSe, InSe. Удосконалено типову методику стаціонарного дослідження резонансу з метою її застосування у термометрії ЯКР. Розроблено чутливий метод дослідження поширення ультразвуку в шаруватих матеріалах типу А³В⁶ для визначення пружних властивостей та структурної досконалості вихідних монокристалів. Досліджено методом ЯКР вплив технологічних режимів термічної обробки монокристалів InSe з метою оптимізації фотоелектричних параметрів гетеропереходів. Вивчено залежності спектрів ЯКР в GaSe та InSe від температури, тиску та магнітного поля з метою застосування моноселенідів, як сенсорів даних параметрів.

Вперше досліджено та проаналізовано люмінесцентні властивості та електронну будову нелегованих кристалів KZr₂(PO₄)₃, K₂BiZr(PO₄)₃, А^IВ^III(MoO₄)₂ (А¹ = Li, Na; В^III = Аl, Fe, Y), LiВі(MoO₄)₂, КВі(MoO₄)₂, К₅Ві(MoO₄)₄ та К₂Ві(РO₄)(MoO₄). Вперше досліджено та проаналізовано люмінесцентні властивості кристалів К₃Bi₅(PO₄)₆, легованих іонами рідкісноземельних елементів. Вперше визначено ширини заборонених зон досліджуваних кристалів фосфатів і молібдатів. Запропоновано механізми УФ та видимої люмінесценції в кристалах ZrP₂O₇ та KZr₂(PO₄)₃. Виділено роль вісмуту та молібдатних груп в формуванні смуг люмінесценції та збудження в подвійних Ві-вмісних молібдатах і фосфато-молібдаті К₂Ві(PO₄)(MoO₄). Показано роль вакансій кисню в процесах фотолюмінесценції досліджених сполук. Показано можливість використання сполуки NaAl(MoO₄)₂, легованої іонами Сr³⁺ як матеріалу люмінесцентного нанотермометра.