Проведені комплексні рентгенодифракційні дослідження структурних змін і величин деформацій в приповерхневих шарах кристалу кремнію при імплантації іонів фосфору з енергією 180 КеВ і дозою порядка 10¹⁵ іон/см². Здійснено аналіз розмірів і концентрацій дислокаційних петель до і після відпалу. Побудовано експериментальні і теоретичні профілі розподілу напруг в імплантованих іонами фосфору приповерхневих шарах кремнію. На основі проведених досліджень виявлено поліруючу дію травлення іонами фосфору в атмосфері аргонної плазми і селективну в умовах тліючого високочастотного ртутного розряду. Визначені оптимальні значення прискорюючої напруги при іонному травленні структур Сd_1-xНg_xТе/СdТе.

Запропоновано механізм впливу природи стабілізаторів і дисперсійного середовища на стійкість високодисперсних систем СdТе. Встановлено вплив природи дисперсійного середовища та стабілізаторів на електрокінетичний потенціал мікрокристалів СdТе та стійкість високодисперсних систем на їх основі. Оптимізовано методики синтезу та постсинтетичної обробки колоїдних розчинів нанокристалів (НК) СdТе, що характеризуються високою інтенсивністю та стабільністю фотолюмінесценції. Запропоновано ефективні нетоксичні та відносно дешеві стабілізатори для одержння НК СdТе. Оптимізовано методику впровадження НК СdТе в полімерну матрицю желатину методом двоступеневої десольватації та розроблено методику одержання структур типу НК СdТе/НК желатину шляхом швидкої одноступеневої десольватації.

Наведено результати досліджень структури, морфології, електричних, фотоелектричних та оптичних властивостей напівпровідників Сd(Zп)Те за хімічної обробки та за дії наносекундних лазерних імпульсів. Визначено режими опромінення для оптимізації параметрів кристалів Сd(Zп)Те, розроблено технічні методи та технологічні прийоми обробки поверхні напівпровідників. Встановлено пороги плавлення й умови обробки за дії наносекундних імпульсів рубінового (λ = 694 нм) і YAG:Nd (λ = 532 нм) лазерів для індукованого травлення та полірування поверхні напівпровідників, підвищення однорідності поверхневого шару кристалів та модифікації його властивостей. Особливу увагу приділено розробці методу лазерно-індукованого твердофазного легування поверхневого шару високоомних кристалів CdТе р-подібного типу з використанням відносно товстої (300 - 400 нм) плівки легуючого елементу In, попередньо напиленої у вакуумі на поверхню зразка. Проаналізовано нетермічний механізм легування, який пов'язується з лазерно-стимульованою модифікацією точково-дефектної структури напівпровідника внаслідок виникнення високих напруг і тисків. Встановлено оптимальні умови нанесення контактів In та Аu, режими лазерно-індукованого легування поверхневої області кристалів CdТе індієм. Виготовлено експериментальні діоди In/СdТе/Аu з р-n переходом, що мають низький зворотній струм, є чутливими до рентгенівського та гамма випромінювання та можуть використовуватися як ядерні детектори. Розроблено термоелектричні стабілізатори (термохолодильники) для стабілізації температури, зокрема ядерних детекторів. Розроблено метод легування халькогенідних напівпровідникових матеріалів А₄В₆, що підвищує термоелектричну ефективність гілок термопарного елементу. Запропоновано спосіб одержання одноріднолегованих термоелектричних матеріалів з використання технології перемішування речовини під час синтезу.

Встановлено, що у кристалах CdTe:As та СdТе:Р в області насичення кадмієм основними точковими дефектами є дефекти заміщення в підгратці телуру, які зумовлюють значне зниження концентрації електронів та електропровідності у порівнянні з нелегованим матеріалом. З'ясовано, що за високих концентраціях домішки утворюються донорні дефекти, які посилюють компенсаційні процеси. Встановлено умови, за яких термообробкою за високої температури під тиском пари кадмію кристали CdTe:Sb можна перевести у високоомний стан з метою застосування в нелінійній оптиці. Виявлено, що за умов високотемпературної рівноваги дефектів ванадій і бісмут у CdTe заміщують кадмій у вузлах кристалічної гатки, що проявляється у зростанні концентрації електронів у порівнянні з нелегованим матеріалом.