Описано оптоелектронні властивості нових оптичних датчиків метал - ізолятор - кремній (МІК). Шар, збагачений оксидом кремнію, використовується як ізолятор. Розглянуто випадок, коли напруга зміщення не є достатньою для струму, що протікає через шар кремнію, збагаченого оксидом. Датчик представляє конденсатор МІК, фотоелектричні властивості якого досліджено та числово описано. Це вказує на те, що ступенева напруга зміщення датчика діє в двох квазірівноважних методах. Перехід між цими методами викликає практичний інтерес. У першій операційній моді, фотогенеровані неосновні носії зберігаються в потенціалі кремнію, збагаченому оксидом, на поверхні поділу. Збереження заряду відбувається у разі зміни, що наступає через застосовану напругу зміщення, тому інверсний заряд інжектується в кремнієву підкладку та спостерігається пік зсуву за струмом. Амплітуда цього піку перевищує надмірне значення фотоструму в стадії збереження. Внутрішній коефіцієнт розширення струму перевищує значення <$E 10 sup 4>, тому досліджувані датчики мають внутрішнє розширення електричного сигналу й їх можна використовувати для слабкої оптичної сигнальної реєстрації. Числова модель вказує на присутність інверсії та областей збіднення в напівпровіднику, а також враховує витік через збагачений оксидом кремній. Проведено моделювання для експериментальних вхідних параметрів і показано добре узгодження з експериментальними результатами.

A physicotechnical fundamental of the multilayer photoluminescent media development has been considered. The quantum yield and relaxation time of luminescence were found as most significant values of the recording material. Organic pyrazoline dyes were adopted due to their appropriable characteristics. Possibility of the further luminescent material parameters increase while performance dye molecules in the white nanostructured zeolite matrix by components mixing and laser annealing was proposed. Experimental results with 60 % of quantum yield gain and relaxation time quadruple decrease was obtained. Using the received materials in plotting the identification luminescent elements based on the optical disc cover procedure has been determined.

З'ясовано міграційні настрої студентів Національного університету "Львівська політехніка". Розглянуто проблеми інтелектуальної міграції у сучасному суспільстві, її вплив на суспільний розвиток через здійснення своїх функцій, які виражають її сутність і властивості як соціального явища. Охарактеризовано соціальні механізми та мотивацію процесів міграції, що визначають динаміку міграційних процесів у сучасному світі. Досліджено управлінський аспект захищеності трудових мігрантів і збереження їх інтелектуального потенціалу. Вивчено сучасні міграційні процеси в Іспанії. Узагальнено досвід Норвегії щодо механізмів інтеграції високоосвічених іммігрантів. Обгрунтовано причини та наслідки інтелектуальної еміграції в Україні. Проаналізовано українські реалії та перспективи "відтік мізків" або мандруючих вчених.

Описано різні види обслуговування у шкільних бібліотечних системах. Види обслуговування залежать від ролі бібліотеки та від організаційних потреб малих, середніх і великих систем районного, регіонального і національного рівнів. Розглянуто складові друкованих підручників, а також електронну версію Системної політики і практики, що розробляється у даний час. Особливу увагу приділено різним видам матеріалів, необхідним у тому чи іншому середовищі. Проаналізовано методи підготовки матеріалів, які максимально відповідають вимогам практичних працівників.

освещены различные виды обслуживания в школьных библиотечных системах. Виды обслуживания зависят от роли библиотеки и от организационных потребностей малых, средних и больших систем районного, регионального и национального уровня. Рассмотрены составляющие печатных учебников, а также электронную версию Системной политики и практики, разрабатываемых в настоящее время. Особое внимание уделено различным видам материалов, необходимых в той или иной среде. Проанализированы методы подготовки материалов, максимально отвечающих требованиям практических работников.

This presentation is designed to investigate the various kinds of services that are needed in school library systems. It will relate to the leadership style and organizational needs for small, medium and large systems at district, regional or state levels. The content will address some of the components of the print versions of Handbooks and the electronic versions of System Policies and Practices that are currently models in the field. Special attention will be given to the kinds of materials that are appropriate for each media. Methods of developing the materials to gain maximum commitment from the field workers will be addressed. Samples of various kinds of handbooks and guides will be exhibited. Participants will be invited to share their observations on the processes under discussion.

An infinite dielectric wire grating in free space is known to possess very higher resonances at the frequencies close to the Rayleigh anomalies. Still a practical implementation of such a resonator may require its embedding in a dielectric slab. In this paper, it is shown that this can bring additional improvement of the Q-factors. A dielectric slab with a symmetrically embedded dielectric-wire grating is investigated under the normal incidence of plane waves. Accurate numerical solutions are derived for the E- and H-polarization cases. Associated eigenvalue problems are solved for the realvalued lasing frequencies and the threshold values of material gain.

The magnetic moment and magnetization in GaAs/Ga_0,84In_0,16As/GaAs heterostructures with Mn deluted in GaAs cover layers and with atomically controlled Mn delta-layer thicknesses near GaInAs-quantum well (~ 3 nm) in temperature range T = 1,8 - 300 K in magnetic field up to 50 kOe have been investigated. The mass magnetization all of the samples of GaAs/Ga_0,84In_0,16As/GaAs with Mn increases with the increasing of the magnetic field that pointed out on the presence of low-dimensional ferromagnetism in the manganese depletion layer of GaAs based structures. It has been estimated the manganese content threshold at which the ferromagnetic ordering was found.

Processing in Memory (PIM) is a computing paradigm that promises enormous gain in processing speed by eradicating latencies in the typical von Neumann architecture. It has gained popularity owing to its throughput by embedding storage and computation of data in a single unit. We portray implementation of Akers array architecture endowed with PIM computation using Quantum-dot Cellular Automata (QCA). We present the proof of concept of PIM with its realization in the QCA designer paradigm. We illustrate implementation of Ex-OR gate with the help of QCA based Akers Array and put forth many interesting potential possibilities.

Розглянуто напружені GaInAsSb-GaSb і InAsSb-InAsP структури на квантоворозмірних шарах з довжиною хвилі випромінювання у середньому інфрачервоному діапазоні. З урахуванням кулонівського тяжіння, що з'являється в результаті інжекції носіїв, з'ясовано можливість лазерного випромінювання за кімнатної температури у структурах на основі GaSb з гетеромежею другого типу. У структурах на основі InAs, зрощених методом MOVPE, може мати місце упорядковане наведене зменшення забороненої зони, що призводить до зміни гетеромежі другого типу на перший. Розраховані оптичні переходи з застосуванням ефекту упорядкування відповідають наведеним раніше результатам, а також проведеним вимірюванням фотолюмінесцентного спектра. Обидва явища мають враховуватися під час створення нових Sb-вміщуючих квантоворозмірних структур з випромінюванням у середньому ІЧ-діапазоні.

Рассмотрены напряженные GaInAsSb-GaSb и InAsSb-InAsP структуры на квантоворазмерных слоях с длиной волны излучения в среднем инфракрасном диапазоне. В результате инжекции носителей возникает кулоновское притяжение, поэтому возможно лазерное излучение при комнатной температуре в структурах на основе GaSb с гетерограницей второго типа. В структурах на основе InAS, выращенных методом MOVPE, может иметь место упорядоченное наведенное уменьшение запрещенной зоны, что приводит к изменению гетерограницы второго типа на первый. Рассчитанные оптические переходы с использованием эффектов упорядочения соответствуют ранее приведенным результатам и проведенным измерениям фотолюминесцентного спектра. Оба явления должны быть приняты во внимание при создании новых Sb-содержащих квантоворазмерных структур с излучением в среднем ИК-диапазоне.

We report the study of compressively strained GaInAsSb-GaSb and InAsSb/InAsP multi-quantum wells for emission in the mid-infrared region. Taking into account the Coulomb attraction, induced by carrier injection, we explain why room temperature lasing is possible in the GaSb-based structures, which have a type-II band alignment. In InAs-based structures grown by MOVPE, ordering induced band gap reduction could be present, what changes the theoretically type-II to a type-I band aligment. Calculated optical transitions, using ordering effect, agree with the reported data and our photoluminescence measurements. These two effects, coulombic attraction and ordering effect, must be taken into account for the design of new Sb-based mid-infrared MQW emittingstructures.

Band gap is an important property in designing single-walled carbon nanotube (SWCNT) for nanoelectronic devices. Thus paper describes the impact of SWCNT band gaps on the performance of a ballistic carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) using the 2D numerical simulator. The results demonstrate that with the reduction in SWCNT band gap the performance parameters such as transconductance, out-put conductance, Ion/Ioff current ratio, gain, and carrier injection velocity enhanced while the short channel effects subthreshold slope and dram-induced barrier lowering get suppressed. The enhanced device performance and reduced short channel effects of CNTFET with the reduction in SWCNT band gaps signifying that the CNTFET Is a suitable nanoelectromc device for amplification purposes, low power analog and digital circuits, high-speed and low power applications.

Mechanochemically prepared nanopowder of selenium-free kesterite Cu2ZnSnS4 (CZTS) in combination with n-type semiconductors, i.e., CdS, ZnO and TiO2, was tested in planar and bulk-heterojunction solar cells. The samples have been studied by macroscopic current-voltage (I - V) measurements and Kelvin-probe atomic-force microscopy (KPFM). KPFM images taken under light illumination showed the distribution of the potential across the surface, with negative potential on the n-type semiconductor domains and positive potential on the CZTS domains, which indicated charge separation at the interface of the counterparts. The best result was found for the CdS-CZTS composition, which showed a potential difference between the domains up to 250 mV. These results were compared with the planar heterojunctions of CdS/CZTS and TiO2/CZTS, where CZTS nanopowder was pressed/deposited directly onto the surface of films of the corresponding n-type semiconductors. Again, I - V characteristics showed that cells based on CdS/CZTS heterojunctions have the best performance, with a photovoltage up to 200 mV and photocurrent densities up to 0,1 mA/cm<^>2. However, the carrier generation was found to occur mainly in the CdS semiconductor, while CZTS showed no photo-response and served as the hole-transporting layer only. It is concluded that sensitization of the kesterite powder obtained by mechanochemical method is necessary to improve the performance of the corresponding solar cells.

Проведено моделювання профілю підсилення на основі вимушеного комбінаційного розсіювання (ВКР) у волокнах DCF і TrueWaveRS<191> з багатьма коливальними модами. Використано 4 набори стандартних функцій розподілу: Гауса, Лоренца, їх поєднання, функції фононного осцилятора. Застосування процедури нелінійної апроксимації профілю ВКР підсилення за алгоритмом Левенберга-Марквардта дозволяє одержати розрахований ВКР спектр практично ідентичний експериментальному. Показано, що для волокна з компенсованою дисперсією (DCF) середньоквадратична похибка апроксимації реальних профілів підсилення не перевищує допустимий рівень <$E5~cdot~10 sup 3> для кількості гаусових спектральних компонент від 7-ми до 10-ти.

Noise parameters of fiber Raman amplifiers are appeared in practice essentially better top theoretical limits and the amplifier noise performance is the subject of intensive investigations now. The experimental results on the amplified spontaneous emission (ASE) observation in the single mode fiber span using the backward pumped distributed FRA are presented in the report. Our measurements and quantity analysis show that physical principles of formation of the FRA optical noise with the counter pumping lead to very small gain coefficients and it almost correspond to spontaneous Raman properties in the silica fibers. Raman gain nonlinearity is the reason to reduce the real FRA noise figure much below the established 3 dB limit. Our analysis of experimental data on ASE measurements in silica fibers allows us to get the information about the nature of formation mechanism of the noise parameters in the practical FRA.

Nonlinearity of the stimulated Raman scattering process in single-mode fibers is the creation basis of the new class of modern photonic devices such as fiber Raman lasers and fiber Raman amplifiers. The quantitative analysis of the gain start conditions and the Raman laser threshold in the single mode fibers from the viewpoint of the strong gain description of active laser materials have been made in this work. It has been shown that the absolute transparency regime for optical transmission in fibers and Raman laser threshold for a monochrome signal wave can be directly obtained from the standard coupled equations using only fundamental fiber parameters. Limiting condition when material of fiber core starts transformation from the natural state with attenuation of the Stokes wave to the state in which the Stokes wave is amplified due to the pumping power may be expressed in a simple analytical form. The numerical data of laser threshold as a function of the wavelength and the examples of gain bandwidth determination for several widespread Raman fibers have been presented.

The design model for development of optical fiber Raman amplifiers with the multiwavelength pumping scheme is proposed in this work. Our simulation based on the oscillator theory and spectroscopic model for the analysis of the Raman gain spectrum. Introducing the oscillatory lineshape functions gives the possibility for simple describing the wavelength dependence of Raman gain in optical fibers and it is very useful for the estimation of the gain bandwidth, Raman laser conditions, noise perfomance, and amplification processes in the Raman amplifiers. Modeling results are obtained without traditional solving the complicated system of coupled equations. The concept of an actual band based on the lineshape function is useful for the design of fiber Raman amplifiers with multiple wavelength pumping. Model validity is confirmed by the experimental measurements of amplified spontaneous emission in silica fiber. Proposed modeling allows us to analyze the fiber Raman amplifier with combined multiwavelength pumping source for the extension of amplification bandwidth to L-band, which has the broad bandwidth over 80 nm and low gain ripple less than 0,5 dB. The proposed spectroscopic model can be further extended for the analysis of the complex spontaneous Raman scattering spectra with other doping materials.

In this study we investigated numerically the effect of aluminum concentration, temperature and well width on optical gain GaN/Al_xGa_1-xN quantum well lasers, taken into account effective mass approximation. The numerical results clearly show that the increasing of well width, and decreasing of temperature and aluminum concentration, the optical gain increases.

Мета роботи - дослідити наслідки введення рибофлавіну in ovo на розвиток ембріонів курчат та показники їх продуктивності. Визначено його вплив у великих дозах (0, 300, 1,500 і 3,000 мкг/яйце n = 1,200 яєць курчат-бройлерів лінії Росс 308) на виведення курчат (0 чи 6 день інкубації) і їх ріст під час вигодовування. Доведено, що введення рибофлавіну до початку інкубації спричинило зростання загибелі ембріонів на ранніх стадіях ембріогенезу. Використання 3,000 мкг/яйце рибофлавіну знизило показники відгодівлі. Підсумовуючи наведені дані, припущено, що введення рибофлавіну in ovo впливає на вивід курчат і деякі аспекти метаболізму. Необхідні подальші дослідження, щоб пояснити роль рибофлавіну у ембріогенезі курчат.

Measurements of the electrical response of granular Sn-Ge thin films below the superconducting transition temperature are reported. Addition of an external noise to the magnetic field applied to the sample is found to increase the sample voltage response to a small externally applied ac signal. The gain coefficient for this signal as well as the signal-to-noise ratio displays clear maxima at particular noise levels. We interpret these observations as a stochastic resonance in the percolative Josephson media that occurs close to the percolation threshold.

Purpose. To improve the safety performance at the night driving, this paper researches new car anti-blooming method. Methodology. According to the characteristics of the color space transformation, the YUV and IHS algorithms were used to dispose visible light image and infrared image, and extract visible light image luminance component and infrared image information by wavelet transform to obtain the new luminance component. Then, the disposed image undergone inverse transformation and fusion disposing to gain new image, and give the detail calculation and disposing function. Findings. The results of the car headlights image gathering at night and image processing show that the visible light and infrared image fusion processing algorithms can eliminate anti-blooming phenomenon and retain the image details, which can effectively weaken the anti-blooming effect. Originality. The color space transform and wavelet fusion algorithm, IHS and wavelet transform fusion algorithm can better improve the image spectral distortion of car headlights at night, at the same time, YUV transform and wavelet transform fusion algorithm can obtain better edge information. This method is a new technology in the car research field. Practical value. The proposed algorithm can be applied to automobile safe driving, and has a high application value.

Мета роботи - оцінити ефективність інтермітентної теплої кров'яної кардіоплегії з додаванням Mg<^>2+ у пацієнтів, які перенесли операцію із застосуванням штучного кровообігу. Дослідження проведено у двох групах пацієнтів, які не мали значущих відмінностей в передопераційних клінічних умовах. У 1-й групі (контрольній) інтермітентну холодову кристалоїдно-кров'яну кардіоплегію (8 - 10 <$E symbol Р>C) проводили кожні 20 хв, ректальна температура знижувалася до (30,0 +- 1,5) <$E symbol Р>C. У 2-й групі (група дослідження) температуру підтримували на рівні (35,5 +- 1,1) <$E symbol Р>C із застосуванням теплої кров'яної кардіоплегії відповідно до протоколу A. Calafiore (1995) та S. Casalino і співавт. (2008), зміненим нами шляхом додавання сульфату магнію у всіх дозах кардіоплегії і продовження терміну ішемії до 25 хв. Досліджено частоту спонтанного відновлення серцевого ритму, появу змін на ЕКГ, частоту застосування кардіоверсії після реперфузії, потребу в інотропних препаратах протягом перших двох днів після втручання, рівні MB-КФК, тропоніну I і трансаміназ, тривалість перебування у відділенні інтенсивної терапії. Висновки: інтермітентна тепла кров'яна кардіоплегія з додаванням Mg<^>2+ забезпечує безпечне продовження терміну ішемії між реперфузіями до 25 хв і позитивно впливає на деякі клінічні та біохімічні показники хворих у ранній післяопераційний період.

Oxidation resistance is an important characteristic of heat-resistant steels. The effects of aluminium and silicon on the oxidation resistance of heat-resistant Cr - Ni steel are studied by analyses of scanning electron microscope and x-ray diffraction. For heat-resistant 0Cr23Ni12 steel, the oxidation resistance transferred from weak oxidation resistance to the strong one when amount of aluminium and silicon is added more than 3 % and 2 % in weight, respectively. The composition of oxide scales is the decisive factor to affect the oxidation resistance of heat-resistant steels. The compounded scales of Cr2O3, <$E alpha - roman {Al sub 2 O sub 3}>, SiO2 and Fe(Ni)Cr2O4, with flat and compact structure, fine and even grains, possess complete oxidation resistance at 1200 <$E symbol Р>C, but it became poor without <$E alpha - roman {Al sub 2 O sub 3}> or SiO2. The developed heat-resistant 0Cr23Ni12Al3Si2 steel has excellent oxidation resistance property. Its oxidation weight gain rate is only 0,081 g/(<$E roman {m sup 2~cdot~h}>), reaching the complete oxidation resistance level.