На підставі вимірювань намагніченості надпровідних кристалів фулеріду K₃C₆₀ виконано дослідження температурної залежності густини критичного струму J_c(T) в цих матеріалах. Згідно даних про ac-сприйнятливість, в найбільш досконалих кристалах не спостерігається гранулярність для надпровідних потоків і, з цієї точки зору, їх можна розглядати як монокристали. Проведено порівняння результатів по J_c, які отримані для K₃C₆₀, з результатами для інших кристалічних і порошкоподібних сполук A_xB_yC₆₀. Детально обговорено можливу гранулярність кристалів та її вплив на J_c. Визначено лінію необоротності для монокристала K₃C₆₀.

Вивчено кутові та частотні залежності спектра ЕПР монокристала KTm(MoO₄)₂ за гелійової температури. Встановлено, що ця сполука належить до дуже анізотропних парамагнетиків. Визначено g-фактори (g_x = 0,3 +- 0,2; g_y = 13,9 +- 0,1) основного стану і кут розвороту локальних вісей в площині ac (theta = +- (7,6 +- 1) °) для двох парамагнітних центрів іона Tm³⁺.

Визначено інтервал значень зовнішнього поля H, в якому існує змішаний стан з заданою індукцією B в монокристалі високотемпературного надпровідника YBa₂Cu₃O_x для випадку H, перпендикулярного c. З цією метою в інтервалі температур 70 - 84 К вивчено польові залежності вкладу mu_upsilon в динамічну магнітну проникність mu'_ac від індукованого слабким змінним полем коливального руху вихорів, який в полі H зазнає гістерезисну поведінку. Показано, що природа гістерезиса mu_upsilon(H) може бути пояснена в термінах взаємодії вихорової гратки з поверхнею і обумовлена існуванням гістерезиса B(H) внаслідок виявлення поверхневого бар'єра. Петлі гістерезиса mu_upsilon(H), які відповідають різним температурам, описуються універсальною залежністю у зведених координатах. Зроблені оцінки, а також порівняння теорії з експериментом виявили сильне пригнічення поверхневого бар'єра у реальному монокристалі YBaCuO в порівнянні з очікуваним для ідеальної поверхні. Внаслідок цього нижня гілка гістерезиса mu_upsilon(H), яка відповідає збільшенню поля H, стає близькою до рівноважної залежності mu_upsilon(H), а поверхневий бар'єр істотно впливає лише на поведінку mu_upsilon(H) у процесі зменшення поля, тобто на вихід вихорів із надпровідника.

В магнитных полях H << H_c2, где для описания свойств сверхпроводников II рода обычно используется лондоновское приближение, при вычислении колебательного вклада mu nu(H) в динамическую магнитную проницаемость mu'_ac проведен учет пространственного изменения параметра порядка. Проанализированы особенности поведения аналитических зависимостей mu nu(H) для случая, когда вихри совершают малые колебания вблизи своих положений равновесия, отвечающих термодинамически равновесной вихревой решетке. Показано, что учет эффекта подавления параметра порядка в сердцевинах вихрей приводит к существенным отличиям в поведении mu nu(H) по сравнению с аналогичной зависимостью, полученной в лондоновском приближении. Установлено, что главной причиной этих отличий является изменение формы той эффективной потенциальной ямы, в которой происходит колебательное движение приповерхностных вихрей.