З розвитком мереж зв'язку розвивалися й удосконалювалися структури мереж. Сьогодні перспективний розвиток телефонних мереж усіх рівнів їєрархії передбачає дослідження структур для їх побудови. Мета роботи - побудова й аналіз ефективності найбпоширеніших структур телефонних мереж загального користування згідно з визначеними критеріями ефективності; дослідити найпоширеніші структури телефонних мереж і побудувати їх на конкретній території з урахуванням вихідних даних і методів розташування вузлів; обгрунтувати параметри ефективності телефонних мереж; розрахувати вибрані параметри для побудованих структур і провести кількісний та якісний аналіз одержаних результатів. Актуальність цієї роботи пояснюється як відсутністю в літературі кількісного дослідження параметрів ефективності телефонних мереж із різними структурами, так і потребами практики, пов'язаними з широким застосуванням різних структур мереж зв'язку.

Розглянуто числове розв'язування задачі Коші для рівняння Клейна - Гордона у двозв'язній плоскій області. Зважаючи на некоректність цієї лінійної оберненої задачі, використано альтернуючий метод, який має регуляризуючі властивості. Це призводить до розв'язування 2-х мішаних крайових задач на кожній ітерації. Ці мішані задачі наближено розв'язуються за методом граничних інтегральних рівнянь. Наведено результати числових експериментів.

Означено геометричну міру змішаності квантоваго стану як мінімальну відстань Гільберта - Шмідта між змішаним станом і набором чистих станів. Отримано явний вираз для геометричної міри змішаності. Цікавим є те, що цей вираз відповідає квадрату евклідової відстані між змішаним і чистим станами у просторі власних значень матриці густини. Як приклад, обчислено геометричну міру змішаності станів спіна 1/2.

Вивчено характеристики квантової еволюції, такі як кривизна та кручення. Кривизна показує відхилення вектора стану під час квантової еволюції від геодезичної лінії. Кручення визначає відхилення вектора стану від площини еволюції (двовимірний підпростір) у заданий момент часу.

Індекс рубрикатора НБУВ: Д59(45УКР)0

Рубрики:

Регіональна геологія

Шифр НБУВ: Ж14153 Пошук видання у каталогах НБУВ 

We report a study of the electron tunneling transport in point-contact junctions formed by a sharp Ag tip and two different highly correlated oxides, namely, a magnetoresistive manganite <$E roman {La sub 0,66 Ca sub 0,34 MnO sub 3}> and a superconducting cuprate <$E roman {LaBa sub 2 Cu sub 3 O} sub {7~-~x}>. Strong chemical modifications of the oxide surface (supposedly, oxygen ion displacements) caused by applying high voltages to the junctions have been observed. This effect is believed to be responsible for an enormous growth of inelastic tunneling processes across a transition region that reveals itself in an overall "V"-shaped conductance background, with a strong temperature impact. The mechanism of the inelastic scattering is ascribed to charge transmission across magnetically active interfaces between two electrodes forming the junction. To support the latter statement, we have fabricated planar junctions between Cr and Ag films with an antiferromagnetic chromium oxide <$E roman {Cr sub 2 O sub 3}> as a potential barrier and at high-bias voltages have found an identical conductance trend with a similar temperature effect.

Індекс рубрикатора НБУВ: З882-01

Рубрики:

Телефонний зв'язок

Шифр НБУВ: Ж43601 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

Reflection of electromagnetic waves with the 1,5 <$E mu>m length from a metallic grating (silver) with rectangular groove profile was analyzed using the method of coupled waves. Appearance of the waveguide effect in a dielectric film and, accordingly, of electromagnetic field resonance is a necessary condition of resonance absorption at presence of dielectric thin film on the grating. The electromagnetic field resonance phenomenon confirms a dependence of reflection on the wavelength, which is described by the Lorenz function. When the film is absent, strong absorption is possible at appearance of the waveguide effect between both grating metallic vertical walls. Due to plasma resonance, both the waveguide effect and, accordingly, high absorption arise at any distance between metallic walls of grating (slot width) for TM polarized waves. For this polarization in the slot of 0,478 <$E mu>m width filled with dielectric with permittivity <$E epsilon~=~9>, the two waveguide modes propagate. That fact is confirmed by a dependence of reflection logarithm on the grating depth. For TE polarized waves in the slot of 0,378 <$E mu>m width, the waveguide effect is possible on one mode only. The spectral dependence of reflection for TE polarized waves is well described by the Lorenz function, and due to excitation of two waveguide modes some deviation from this function is observed for TM polarized waves. The dependence of the reflection index on the grating depth completely agrees with the constant of waveguide mode propagation in the grating slot.