Renormalization of the low-energy part of the electron spectrum due to confined (L) and interface (I) phonons in spherical QD embedded into the external semiconductor medium is investigated totally taking into account the configurational interaction by the example of beta-HgS/CdS nanogeterosystem. It is shown that a shift of the ground electron level due to the interaction between the electron and L- and I-phonons within all states of discrete and continuous spectra almost does not depend on the QD size. Its magnitude is close to a ground level shift in the massive crystal creating QD. Exited electron levels with energy E_nl (l > 0) are splitted into l + 1 components, whose energy is characterized by its own magnitude of the total energy shift DELTA^nlm depending on | m |. DELTA^nlm values monotonously increase at the bigger nanogeterosystem radius and saturate for big QD sizes. Electron levels with quantum numbers n, l > 0 do not interact with the ground level and electron levels with n_i, l_i for which l_i < l.

Повідомлено про підвищення ефективності екситонної люмінесценції квантових точок CdSSe, синтезованих у боросилікатній скляній матриці, й оброблених після цього в низькотемпературній високочастотній водневій плазмі. Одержані результати свідчать про зменшення кількості поверхневих рівнів, через які відбувається ефективна безвипромінювальна рекомбінація носіїв заряду.

За допомогою методу спектроскопії КРС досліджено одношарові та багатошарові структури з самоорганізованими наноострівцями Si1-xGex. В острівцях обох типів структур визначено величини компонентного складу та пружної деформації. Для багатошарових структур одержано спектр розсіювання на згортках акустичних фононів і зіставлено частоти експериментально одержаних смуг з теоретично розрахованими спектрами.

Досліджено пакетовані генератори дифракційного випромінювання (ГДВ) з двома видами відкритих резонаторів (ВР): лінійним (дводзеркальним) і кільцевим (тридзеркальним), частково розташованих зовні вакуумного простору. Показано, що в разі збудження основного типу коливання (ТЕМ00q) у ГДВ з дводзеркальним напівсиметричним ВР електронний потік взаємодіє з полем стоячої хвилі, фронт якої паралельний до площини плоского дзеркала, а дифракційне випромінювання (ДВ) обумовлене вздовж восі ВР. У ГДВ з кільцевим ВР електронний потік взаємодіє з полем хвилі, що біжить, і розповсюджується по замкненій траєкторії вздовж восей тридзеркального ВР, тобто під дзеркальними кутами до поверхні дзеркала, в будь-якому напрямку. Залежно від швидкості електронів напрямок ДВ буде під одним із дзеркальних кутів вздовж восей ВР. Внаслідок збудження вищого типу коливання (наприклад, ТЕМ01q) в ГДВ з напівсиметричним ВР маємо похиле падіння хвиль на площину гратки, тобто існує в цьому разі дві "синхронні" гармоніки та залежно від швидкості електронів напрямок ДВ буде під будь-яким дзеркальним кутом до восі цього резонатора.

Уперше побудовано теорію спектра і хвильових функцій домішкового електрона у сферичних квантових точках (КТ) у середовищі з різною ефективною масою та величинами діелектричної проникливості у різних середовищах. Отримано точні розв'язки рівняння Шредінгера, що добре узгоджуються з експериментальними даними спектрів локалізованого домішкового екситона у малих квантових точок CdS, вміщених в силікатне скло, а також описують спектр електрона, який взаємодіє з донорною домішкою, розташованою в центрі квантової точки довільних розмірів. Показано, що за досить великого радіусу квантової точки енергетичний спектр електрона асимптотично наближається до воднеподібного

The theory of the spectrum and wave functions of the impurity electron in spherical quantum dot (QD) with the different effective masses and dielectric constants in different media is developed for the first time. The exact solutions of Shrodinger equation correlate well with the experimental data for the localized impurity exciton in small quantum dots CdS embedded into silicate glass and also describe the spectrum of electron interacting with the donor impurity embedded into the center of quantum dot with arbitrary sizes. At is shown that for the rather big radius of the quantum dot the electron energy spectrum asymptotically limits to the hydrog enlike

Предложено регулярное правило построения оптимальных систем ДЧ-сигналов, без повторения частот, над произвольными расширенными полями Галуа GF(q), с параметрами: N = q - 1 - длина сигнала; J = q - мощность оптимальной системы дискретных частотных сигналов; M = q - количество частот для формирования оптимальных систем ДЧ-сигналов.

Досліджено стан імунітету у дітей першого року життя з перинатальними гіпоксичними ураженнями центральної нервової системи (ПГУ ЦНС) залежно від тяжкості неврологічних порушень і рівня моторного розвитку. Вперше доведено, що у хворих з ПГУ ЦНС має місце відставання моторного віку від хронологічного та слабкий нормальний інтелектуальний розвиток (за даними коефіцієнта нервово-психічного розвитку QD). Встановлено вірогідний зв'язок між тяжкою вентрикулодилатацією третього шлуночка мозку (за даними нейросонографії), низьким рівнем моторного розвитку (за даними моторного коефіцієнта) і виникненням недостатності показників адаптивного клітинного і гуморального імунітету за ПГУ ЦНС. Виявлено високий індекс гострої захворюваності дітей у відновлюваному періоді хвороби. Науково обгрунтовано доцільність імунокорекції препаратами тимусу у дітей першого року життя з ПГУ ЦНС. Вивчено можливість індивідуального підбору in vitro імунокоригувальних препаратів. Доведено клінічну ефективність імунокорекції препаратами тимусу у ректальних супозиторіях і внутрішньом'язових ін'єкціях у дітей з ПГУ ЦНС. Запропоновано метод зниження індексу гострої захворюваності та розроблено клінічно-лабораторні показання для проведення імуномодулювальної терапії.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: Р733.627-52

Рубрики:

Хвороби центральної нервової системи у дітей

Шифр НБУВ: РА330088 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The principle possibility of the growth of quantum dots (QD) PbTe on substrates BaF2 by hot-wall epitaxy upon a mismatch of the lattice periods under thermodynamically equilibrium conditions is demonstrated for the first time. The surface morphology is studied by atomic force microscopy. The main effects of the growth technological parameters and kinetic processes on the density, dimensions, and QD aspect ratio are examined.

Приведены результаты наблюдения за развитием в течение первого года жизни 184-х детей от матерей с осложненным течением беременности (ОТБ) (фетоплацентарная недостаточность, гестозы, угроза прерывания беременности). Обследование детей проводили в возрасте 1-го месяца и в 1 год жизни с углубленным изучением нарушений со стороны нервной системы. Определен уровень нервно-психического развития (НПР) детей с дополнительным расчетом коэффициента развития (QD), при помощи анкет ITQ и EITQ у обследованных изучены особенности их поведения. Результаты исследования показали, что у 69-ти детей от матерей с ОТБ, у которых в возрасте 1-го года отмечено отставание в освоении возрастных психомоторных навыков и умений (<$E 90~>>~roman QD~>>~80>), зарегистрированы негативные характеристики поведения (аритмичность, негативные показатели адаптивности, приятия и интенсивности). Выявленные особенности поведения формировались у детей, в семьях которых чаще, чем в группе сравнения, определялись нарушения в уходе за ними. Отмечено, что недооценка в семье состояния здоровья детей, рожденных от матерей с ОТБ, и недостатки в уходе за ними могут способствовать снижению адаптивности поведенческих реакций и приводить к более медленным срокам их НПР, что может утяжелять у них течение перинатального поражения ЦНС.

An original iterative procedure has been developed to obtain the energy spectrum of neutral and charged excitons (positive and negative trions) in spherical semiconductor quantum dots (QD) imbedded into a dielectric material. Numerical calculations are made using the effective mass approximation and Hartree-Fock method. A combined effect of heterointerface polarization (image force potential) and finite band-off-sets on the energy spectrum of excitons and trions in QDs is considered for the first time. It is shown that binding energies of excitons and trions in such QDs can be substantially larger than those in bulk semiconductors due to spatial and "dielectric" confinement effects.

For a semiconductor quantum dot (QD), the contributions made to the exciton energy spectrum by the electron and hole kinetic energies, the energy of Coulomb interaction between them, and the energy of their polarization interaction with the spherical interface between the QD and the dielectric medium have been analyzed.

Наведено метод розрахунку поперечної арматури у згинаних залізобетонних елементах, який побудований на експериментальній основі та грунтується на диференціальній залежності теорії згину - dM/dx = Q. Розраховано поперечну арматуру на приріст згинального моменту <$E DELTA M> за постійного кута нахилу розрахункового перерізу - <$E 45 symbol Р> до поздовжньої осі балки. Невідповідність зміни розтягуючого зусилля в поздовжній арматурі та епюри згинальних моментів ураховано коефіцієнтом зміщення епюри моментів V.

Побудовано нові моделі квантового осцилятора. Як і у випадку q-осцилятора Біденгарна - Макфарлейна, ці моделі зв'язані з q-багаточленами Ерміта. Оператори положення й імпульсу в цих моделях є підходящими операторами представлень квантової алгебри suq(1, 1). Як і в стандартному квантовому гармонічному осциляторі, оператори положення й імпульсу мають неперервні прості спектри. Ці спектри покривають скінченний інтервал дійсної осі, що залежить від значення q. Власні функції цих операторів знайдено в явному вигляді. На противагу випадку q-осцилятора Біденгарна - Макфарлейна оператори положення та імпульсу Q і P у цих моделях задовольняють квантово-механічні співвідношення [H, Q] = -iP і [H, P] = iQ.

The electron energy spectrum in a quantum dot (QD) with smooth dependences of the quasiparticle potential energy and the effective mass at the interface between semiconductor media is calculated in the effective mass approximation. It is shown that the electron energy corrections due to the tailing of the interface are nonmonotonous functions of the QD radius, the increasing of which brings to the rapid increasing of shifts, reaching their maxima, and slowly decreasing for the QDs of big sizes. The calculations prove that the relative corrections for the different electron energy levels in a spherical QD are placed closer to each other with increase in the radius. The growth of the parameter of interface tailing leads to the proportional increase in the corrections to electron energy spectra. Numerical calculations are performed for HgS/CdS and <$E roman GaAs "/" {roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As> QDs, all dependences being qualitatively similar.

Розглянуто теоретико-множинний підхід до нерозділювальної декомпозиції бульових функцій від n змінних різних форм задання, що грунтується на методі p,q-розбиття кон'юнктермів і понятті декомпозиційних клонів. Описано два шляхи пошуку нерозділювальної функційної декомпозиції. Сформульовано теореми про нерозділювальну декомпозицію повних і частинних функцій, а також їх систем. Запропонований підхід проілюстровано на прикладах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В123

Рубрики:

Логічні числення. Числення висловлювань і предикатів

Шифр НБУВ: Ж29144 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

Heterostructure transistors with quantum dots (QD) are now very perspective devices because of their higher velocities of electrons in the channel. Simulation results for concentration and carrier velocity distributions depending on the QD size, concentration and location were presented in this paper. It is shown that presence of QD in the channel causes a significant increase of current. Also, QD location and concentration influence to the output characteristics of transistor was established.

Effect of post-growth thermal annealing within the temperature range 200 to 430 <$E symbol Р>C for 15 min on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot (QD) heterostructure was studied. Annealing at lower temperatures (<$E T sub roman ann~symbol Г~270~symbol Р>C) results in an increase by a factor of 2 - 3 of the intensity of two photoluminescence bands observed, the first being caused by excitonic transitions in QDs and the second one being connected with the defect complex including a column II vacancy. The effect is supposed to be caused by annealing of as-grown nonradiative defects. Annealing at higher temperatures (<$E T sub roman ann~>>~270~symbol Р>C) stimulates a decrease of the QD photoluminescence band intensity and up to 100 meV blue shift of its peak position. The former is explained by generation of extended defects and reduction of the QD density. The blue shift observed at 370 - 430 <$E symbol Р>C is ascribed to diffusion of cadmium from QDs that also results in reduction of the QD density. It is found that the energy of excitonic transitions in the wetting layer does not change upon annealing. Lower thermal stability of QDs as compared to that of the wetting layer has been explained by strain-enhanced lateral Cd/Zn interdiffusion via vacancies. The presence of column II vacancies in the wetting layer is proved by characteristics of defect-related PL band and its excitation spectra.