Уперше оцінено стан здоров'я дітей, які народилися з вродженою циталомегаловірусною інфекцією (ВЦМВІ) та вродженою герпетичною інфекцією (ВГІ), шляхом вивчення частоти і структури захворювань, фізичного, нервово-психічного й психомоторного розвитку та обчислення коефіцієнта психомоторного розвитку (QD). Охарактеризовано різні клінічні форми ВЦМВІ та ВГІ на основі вивчення в катамнезі особливостей перебігу даних захворювань з урахуванням постнатальної патологічної контамінації верхніх дихальних шляхів та шлунково-кишкового тракту обстежених новонароджених. Уперше визначено особливості негативного впливу ВЦМВІ та ВГІ на частоту і структуру захворювань, фізичний, нервово-психічний і психомоторний розвиток дітей у ранньому віці методом комплексного оцінювання стану здоров'я, з урахуванням значимості основних факторів, що діють в анте-, пери- та постнатальному періодах. Уперше проаналізовано захворювання, фізичний та нервово-психічний розвиток серед дітей із ВЦМВІ та ВГІ з дітьми, які народилися без клінічних виявів даних захворювань. Запропоновано комплекс реабілітаційно-профілактичних заходів, спрямованих на зменшення частоти захворювань, порушень фізичного та нервово-психічного розвитку дітей із різними клінічними формами ВЦМВІ та ВГІ, спричинених асоціацією цитомегаловірусу, вірусу простого герпесу та патогенної бактеріальної флори.

Досліджено стан імунітету у дітей першого року життя з перинатальними гіпоксичними ураженнями центральної нервової системи (ПГУ ЦНС) залежно від тяжкості неврологічних порушень і рівня моторного розвитку. Вперше доведено, що у хворих з ПГУ ЦНС має місце відставання моторного віку від хронологічного та слабкий нормальний інтелектуальний розвиток (за даними коефіцієнта нервово-психічного розвитку QD). Встановлено вірогідний зв'язок між тяжкою вентрикулодилатацією третього шлуночка мозку (за даними нейросонографії), низьким рівнем моторного розвитку (за даними моторного коефіцієнта) і виникненням недостатності показників адаптивного клітинного і гуморального імунітету за ПГУ ЦНС. Виявлено високий індекс гострої захворюваності дітей у відновлюваному періоді хвороби. Науково обгрунтовано доцільність імунокорекції препаратами тимусу у дітей першого року життя з ПГУ ЦНС. Вивчено можливість індивідуального підбору in vitro імунокоригувальних препаратів. Доведено клінічну ефективність імунокорекції препаратами тимусу у ректальних супозиторіях і внутрішньом'язових ін'єкціях у дітей з ПГУ ЦНС. Запропоновано метод зниження індексу гострої захворюваності та розроблено клінічно-лабораторні показання для проведення імуномодулювальної терапії.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: Р733.627-52

Рубрики:

Хвороби центральної нервової системи у дітей

Шифр НБУВ: РА330088 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлена классификация матричных суперпотенциалов, которые соответствуют точно решаемым системам уравнений Шредингера. Рассмотрены суперпотенциалы вида <$E W sub k~=~kQ~+~P~+~1 over k R>, где k - параметр, P, Q и R - эрмитовые матрицы, зависящие от переменной x. Список трехмерных матричных суперпотенциалов приведен в явном виде.

Вивчено можливість опису еволюції електромагнітного поля за допомогою функції розподілу фотонів у фазовому просторі (в r,q-просторі). Локальна густина фотонів із заданим значенням імпульсу виражається через цю функцію, побудовану за аналогією з "загрубленим" оператором Манделя фотонної густини в конфігураційному просторі. Знайдено наближені власні функції та власні значення функції розподілу, що відповідають однофотонним локалізованим станам електромагнітного поля. Показано, що рух фотонів описується механікою Ньютона у тому випадку, коли "зовнішня сила", що діє на фотони, є плавною функцією просторових змінних. Показано також, що функцію розподілу у довільний момент часу можна виразити через початковий розподіл і фотонні траєкторії.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.331

Рубрики:

Фонони

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

The principle possibility of the growth of quantum dots (QD) PbTe on substrates BaF2 by hot-wall epitaxy upon a mismatch of the lattice periods under thermodynamically equilibrium conditions is demonstrated for the first time. The surface morphology is studied by atomic force microscopy. The main effects of the growth technological parameters and kinetic processes on the density, dimensions, and QD aspect ratio are examined.

We have investigated the influence of the average radius <$Er bar> and its dispersion <$EDELTA r bar> of the semiconductor quantum dots (QDs) used in luminescent solar concentrators (LSCs) on reabsorption. To minimize the detrimental reabsorption losses in LSCs, six semiconductors used to fabricate QDs with a wide range of their bulk band gap Eg0 have been considered, specifically: CdS (Eg0 = 2,42 eV), CdSe, (Eg0 = 1,67 eV), CdTe (Eg0 = 1,5 eV), InP (Eg0 = 1,27 eV), InAs (Eg0 = 0,355 eV), and PbSe (Eg0 = 0,27 eV). Altering <$Er bar> and <$EDELTA r bar>, we can determine the optimal size <$Er bar> for minimal reabsorption. As it was shown, decreasing the semiconductor bulk band gap from 2,42 down to 1,24 eV we can get such optimum QD size <$Er bar> that reabsorption reduces even below the combined experimental error in determination of the absorption coefficient and luminescence intensity. Further reduction of the gap Eg0, however, increases reabsorption at any values of r and <$EDELTA r>: for instance, for PbSe-based QDs of 1-nm radius and dispersion of 1 %, reabsorption reaches 54 %.

Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек (QD) с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах. Обнаружены особенности формирования однородной плотноупакованной бислойной пленки из квантовых точек CdSe/ZnS на поверхности водной субфазы методом Ленгмюра - Шефера и ее перенесение на тонкий слой поли(диоктилфлуорена). Проведено исследование и установлено влияние концентрации QD в коллоидном растворе на морфологию консолидированного слоя QD, помещенного на интерфейсе электронно- и дырочно-транспортных слоев, а также эффективность эмиссии электролюминесцентного устройства.

Covering of nanocrystals (NC) with a polyethylene glycol (PEG) envelop is a common way to increase their hydrophilicity, and compatibility with bio-systems, including increased retention time in the body. Colloidal semiconductor NC, also known as quantum dots (QD), particularly benefit from covering with PEG due to passivation of the inorganic core, while maintaining physical properties of the core. Despite many advantages of covering the surface with PEG, the covalent attachment of protein to hydroxyls of PEG is complicated. Here we propose a simple two-step approach for modification of PEG residues with subsequent covalent attachment of proteins. We were able to achieve specific NC targeting by means of attached protein as well as preserve their optical parameters (fluorescence intensity) in chemical reaction conditions. In the optimized protocol, ensuring removal of chemical byproducts by dialysis, we were able to omit the need for centrifugation (usually a limiting step due to particle size). The obtained NC-protein conjugate solutions contained 0,25x of initial unmodified NC amount, ensuring a low dilution of the sample. During all reactions the pH range was optimized to be between 6 to 8. The proposed approach can be easily modified for covalent targeting of different PEG-covered nanocomposites with proteins.

Heterostructure transistors with quantum dots (QD) are now very perspective devices because of their higher velocities of electrons in the channel. Simulation results for concentration and carrier velocity distributions depending on the QD size, concentration and location were presented in this paper. It is shown that presence of QD in the channel causes a significant increase of current. Also, QD location and concentration influence to the output characteristics of transistor was established.

Effect of post-growth thermal annealing within the temperature range 200 to 430 <$E symbol Р>C for 15 min on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot (QD) heterostructure was studied. Annealing at lower temperatures (<$E T sub roman ann~symbol Г~270~symbol Р>C) results in an increase by a factor of 2 - 3 of the intensity of two photoluminescence bands observed, the first being caused by excitonic transitions in QDs and the second one being connected with the defect complex including a column II vacancy. The effect is supposed to be caused by annealing of as-grown nonradiative defects. Annealing at higher temperatures (<$E T sub roman ann~>>~270~symbol Р>C) stimulates a decrease of the QD photoluminescence band intensity and up to 100 meV blue shift of its peak position. The former is explained by generation of extended defects and reduction of the QD density. The blue shift observed at 370 - 430 <$E symbol Р>C is ascribed to diffusion of cadmium from QDs that also results in reduction of the QD density. It is found that the energy of excitonic transitions in the wetting layer does not change upon annealing. Lower thermal stability of QDs as compared to that of the wetting layer has been explained by strain-enhanced lateral Cd/Zn interdiffusion via vacancies. The presence of column II vacancies in the wetting layer is proved by characteristics of defect-related PL band and its excitation spectra.

Мета роботи - показати, що G-функції Мейєра можна використовувати для знаходження в явному вигляді розв'язків рівнянь в частинних похідних, пов'язаних з деякими математичними моделями фізичних явищ, такими як, наприклад, рівняння Лапласа, рівняння дифузії й рівняння Шредінгера. Як правило, першим кроком у розв'язку таких рівнянь є використання методу розділення змінних для того, щоб звести їх до звичайних диференціальних рівняннях (ЗДР). Дуже часто це рівняння є випадком лінійного ЗДР, яке задовольняє G-функція і тому, правильно обравши її порядок m; n; p; q і параметри, можна знайти розв'язок ЗДР в явному вигляді. Проілюстровано цей підхід, пропонуючи такі рішення, як потенційна функція <$EPHI>, температурна функція T і хвильова функція <$EPSI>, всі з яких є видами симетричних добутків G-функцій Мейєра. Показано, що одна з трьох основних однолистних G-функцій Мейєра, а саме <$EG sub 0,2 sup 1,0>, зустрічається у всіх згаданих розв'язках.

Індекс рубрикатора НБУВ: В161.621

Рубрики:

Диференціальні рівняння математичної фізики

Шифр НБУВ: Ж14648 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

We study numerically the form of the critical line in the disorder - magnetic field phase diagram of the p - q network model, constructed to study the levitation of extended states at weak magnetic fields. We use oneparameter scaling, keeping either q (related to magnetic field) or p (related to energy) constant, to calculate two critical exponents, describing the divergence of the localization length in each case. The ratio of those two exponents defines the form of the critical line close to zero magnetic field.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.313 в641

Рубрики:

Магнітні властивості надпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

Побудовано математичну модель розподілу електростатичного потенціалу в поверхнево-бар'єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром квантових точок (КТ). Встановлено, що результуюче електричне поле в бар'єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром КТ визначається суперпозицією двох полів: електричного поля <$E roman {E Vec sub BS}>, створеного на межі контакту метал - n-напівпровідник з вбудованим шаром КТ та електричного поля <$E roman {E Vec sub QD}>, зумовленого на межі поділу КТ - напівпровідникова матриця з КТ. Показано, що потенціал уздовж напрямку розміщення КТ має осциляційний характер. Період осциляції визначається кроком розміщення КТ. У напрямку, перпендикулярному до межі контакту метал - легований n-типу напівпровідник з КТ, потенціал має спадний експоненційний характер.

In this paper, the modeling and analysis of single bi-layer Si-QD solar cell is addressed. The modeling of solar cell is done in MATLAB. The photo currents are calculated for various Si-QD diameters like 2,5, 3, 3,5 and 4 nm and SiO² barrier layer thicknesses like 2,5, 2 and 1,5 nm. It has been observed that with the Si-QD diameter, the photo-current increases. On the other hand, photo-current varies conversely with barrier layer thickness due low carrier tunneling probability through barrier.

Предмет и цель работы - исследование особенностей возбуждения первого высшего аксиально-несимметричного типа колебаний в открытом резонаторе, включенном в волноводную линию передачи. Для определения эффективности возбуждения высшего колебания в резонаторе с помощью высшей волны прямоугольного волновода используется коэффициент использования поверхности антенны. Коэффициент отражения от открытого резонатора определяется с помощью известного метода суммирования парциальных коэффициентов отражения от резонансной системы. Рассмотрена эффективность возбуждения первого высшего аксиально-несимметричного типа колебаний ТЕМ10q в открытом резонаторе, включенном в волноводную линию передачи, с помощью волны ТЕ20. Исследования проведены с учетом векторного характера электромагнитного поля. Показано, что при определенных размерах возбуждающего элемента связи эффективность возбуждения рабочего колебания составляет 0,867. При этом резонансная система обладает одночастотным откликом в широкой полосе частот. Благодаря этому она может быть применена для сложения мощностей отдельных источников колебаний. Поскольку такая резонансная система позволяет разделить функции согласования по полю и по связи, можно обеспечить любую наперед заданную связь источников с резонансным объемом. Для этого используются одномерные дифракционные решетки (случай Е-поляризации). Заключение: при согласованном возбуждении аксиально-несимметричных типов колебаний резонансная система обладает угловой и частотной селекцией спектра, что имеет большое практическое значение для сложения мощностей. С помощью одномерных дифракционных решеток (случай Е-поляризации), располагаемых в раскрывах элементов связи, можно согласовать активные элементы с резонансным объемом.

Вивчено модель Поттса із зовнішнім полем на дереві Келі порядку <$Ek~symbol У~2>. Ддя антиферомагнітної моделі Поттса із зовнішнім полем за <$Ek~symbol У~6> і <$Eq~symbol У~3> показано неєдиність слабко періодичної міри Гіббса, що не є періодичною. Також вивчено слабко періодичні міри Гіббса для моделі Поттса з нульовим зовнішнім полем. Доведено, що за деяких умов кількість таких мір може бути не меншою за 2<^>q - 2.

The total absorption coefficient in spherical GaN/AlxGa1-xN core-shell nanodots is theoretically investigated taking into account effective mass approximation. The influence of the nanosystem geometry upon the energy spectrum and transition energy <$Edelta roman E> associated to interlevel transitions is studied. We found that the energy transitions vary with the core-shell radius, and the peak position of the total absorption coefficient is greatly affected by changing of the shell radius. The possibility of tuning the resonant energies by using the geometric core shell effect of the spatial confinement can be useful in the optoelectronic devices applications. Also we observed that the magnitudes of the total absorption coefficient can be increased significatly compared traditional cases of QD, and the peaks are shifted to the lower energies.

На базі макроскопічної діелектричної неперервної моделі одержано та досліджено інтерфейсні оптичні пропагаторні (IO-PR) змішані фононні моди циліндричної квантової точки (QD) структури вюрциту квазінульової вимірності (Q0D). Надано аналітичні фононні стани IO-PR змішаних мод. Знайдено, що є два типи IO-PR змішаних фононних мод, а саме, <$E rho>-IO/z-PR змішані моди і z-IO/<$E rho>-PR змішані моди, що існують у квантових точках Q0D вюрциту. Кожна IO-PR мода має симетричну та антисиметричну форми. За допомогою стандартної процедури квантування одержано гамільтоніан Фрьоліха для взаємодії електрон-(IO-PR) змішані фонони. Продемонстровано також ортогональні співвідношення поляризаційних власних векторів для цих IO-PR змішаних мод. Числові обчислення для циліндричної QD вюрциту GaN зосереджуються на впливі квантового розміру на дисперсійні властивості IO-PR змішаних мод. Результати показують, що як радіально напрямлений розмір, так і аксіально напрямлений розмір мають великий вплив на дисперсійні частоти IO-PR змішаних фононних мод. Розглянуто обмеження властивостей дисперсійних кривих цих фононних мод.

Побудовано двовимірне узагальнення qd-алгоритму Рутисхаузера та встановлено умови існування такого алгоритму. Наведено деякі приклади аналітичних функцій, які зображаються регулярними двовимірними C-дробами з нерівнозначними змінними.