Досліджено механізми динамічного розсіяння X-променів у випадку аномального проходження на окремих структурних дефектах 1 180 (дислокаціях, дислокаційних петлях і бар'єрах) у кремнії. Залежно від просторового розміщення дислокаційних петель і бар'єрів з урахуванням анізотропії та релаксаційних процесів на поверхні кристалу побудовано їх дифракційні зображення для випадку аномального проходження X-променів. Установлено механізми формування багатопелюсткових борманівських зображень дислокаційних петель та проведено їх зіставлення з експериментальними. Створено атлас найбільш характерних X-променевих зображень дефектів. Проаналізовано механізми формування дифракційних зображень дефектів (дислокацій, дислокаційних петель і бар'єрів) та їх вплив на відбивну здатність за умов переходу від тонкого (<$Emu roman t~ symbol Ы ~1> до товстого (<$Emu roman t~>>~10>) кристалу. Описано процеси, що відбуваються на межі розділу багатошарових нанорозмірних систем з квантовою ямою (КЯ) типу <$Eroman In sub x roman Ga sub {1~-~x } roman As sub {1~-~y } roman N sub y>. Знайдено концентрації та визначено основні напрямки дифузії атомів Ga та In у вирощених КЯ за наявності буферних шарів та залежно від температури підкладки.