Установлено, що домінуючий механізм процесів фазоутворення на поверхні Cu, GaAs, ZnSe в атмосфері хлору, стимульованих впливом ультрафіолетового випромінювання пов'язаний з двома розділеними у часі основними процесами: взаємодією вихідних шарів монохлоридів MeCl (Me: Ga, Zn, Cu) з фотозбудженим атомарним хлором та дифузією <$Eroman Me sup +> з об'єму до поверхні. Виявлено наявність областей прискореної дифузії в місцях виходу меж зерен на поверхню, що обумовлено високими коефіцієнтом поверхневої дифузії хлору та надвисоким коефіцієнтом дифузії <$Eroman Me sup +> за межами зерен. Досліджено залежність квантового виходу фотореакції від тиску активного газу, температури підкладки, часу експозиції та енергії фотонів. Запропоновано шляхи покращання просторової селективності фотореакцій. Установлено, що внаслідок високої квантової ефективності та просторової селективності такі реакції можуть використовуватися як один з технологічних етапів у процесі виготовлення виробів мікроелектроніки.