Наведено результати дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Вивчено механізми переносу заряду у тонкоплівкових Au - CdTe діодах Шотткі на металевій підкладинці та CdS/CdTe гетероструктур на скляній підкладинці. Доведено, що вольт-амперні характеристики даних структур добре узгоджуються з теорією генерації-рекомбінації Саа - Нойса - Шоклі з урахуванням особливостей процесів у діоді Шотткі. Відзначено, що розходження експериментальної та теоретичної кривих за значних напруг зумовлене впливом надбар'єрного струму у межах дифузійного наближення. Проаналізовано значущість втрат, спричинених рекомбінацією в області просторового заряду та поверхневою рекомбінацією, на ефективність збирання заряду у фотовольтаїчній структурі, сформульовано вимоги до електропровідності матеріалу фотоперетворювача. Досліджено спектри чутливості фотовольтаїчних структур на основі CdTe. Проведено їх розрахунок на базі моделі, що враховує дрейфову та дифузійні складові струму, а також поверхневу рекомбінацію. Варіюванням параметрів матеріалу (концентрації некомпенсованих домішок і часу життя носіїв) пояснено експериментальні спектри фоточутливості діодних структур різного типу.