Побудовано аналітичні локальні розв'язки двовимірних задач про течію Стокса у клині та півплощині. Виявлено суттєву різницю між двома розв'язками.

Одержано явний вигляд і досліджено поведінку амплітуди та фази системи згасаючих стохастичних гармонічних осциляторів.

Досліджено задачу Коші для напів'явної системи звичайних диференціальних рівнянь. Одержано достатні умови існування аналітичних розв'язків задачі Коші навколо особливої точки.

За допомогою методів УФЕС, ОЕС та ДПЕ досліджено електронні властивості кристалічної Ge(111)c-<$E 2~times~8> та розупорядкованої іонами <$E roman Ar sup +> а-Ge(111) поверхонь, а також інтерфейсів на них з атомами Sb в діапазоні температур 20 - 400 C. Установлено складний характер зміни загину зон і роботи виходу залежно від ступеня покриття поверхонь атомами Sb та температури прогріву інтерфейсів. Запропоновано модель, що пояснює експериментальні дані.

Наведено нові експериментальні дані стосовно енергетично-частотних характеристик випромінювання, зумовленого перехідним ефектом у самофокусувальних середовищах. Спектральні компоненти, які виникають у результаті перехідного ефекту, зміщені на 150 <$E roman см sup -1> у стоксову область відносно частоти стимулюючого випромінювання і мають енергію <$E 10 sup -7~symbol Ш~10 sup -4> Дж у кюветах з толуолом довжиною до 40 см. Експериментальні дані підтверджують теоретичні розрахунки.

Представлено огляд основних числових методів, що найчастіше використовуються для рішення задач прикладної електродинаміки. На прикладі ближньопольової мікроскопії розглянуто їх особливості, переваги та недоліки.

Проведено оптичні дослідження плазмово-рідинної системи на базі електричного розряду в газовому каналі (ГК) з водяною стінкою для різних перерізів ГК. Визначено енергетичні характеристики даного типу розряду. Одержані значення температур заселення вказують на неізотермічність плазми в ГК з водяною стінкою.

Описано та порівняно різні методи вимірювання часу життя (ЧЖ) люмінесценції. Розглянуто часові та частотні методи оцінки ЧЖ. Запропоновано деякі модифікації класичних підходів до вимірювання. Модифіковані методи було вдало застосовано для виміру ЧЖ S-смуги спектра люмінесценції поруватого кремнію. Запропоновані схеми вимірювання спаду люмінесценції дозволяють створити чутливу та недорогу вимірювальну систему для вивчення кінетики люмінесценції нанокристалічних напівпровідників, що мають широкий динамічний діапазон ЧЖ люмінесценції.

Шляхом числового моделювання досліджено нелінійну взаємодію тонкого модульованого електронного пучка з неоднорідною плазмою. Виявлено ефекти генерації ленгмюрівських хвиль в області локального плазмового резонансу та утворення каверни іонної густини на профілі концентрації плазми.

Наведено критерії того, що неперервна на одновимірному багатовиді функція породжує динамічну систему, потужності орбіт якої обмежені у сукупності, та уточнено ці критерії для випадку диференційованої функції.

Побудовано контрприклад, який показує, що для опуклого наближення результат роботи 2 не може бути поширеним на класи Соболева.

За допомогою методів оптичної спектроскопії одержано радіальні профілі температури та електронної концентрації в плазмі електричної дуги між композиційними електродами на основі міді: Cu - W і Cu - Mo. У припущенні локальної термодинамічної рівноваги розраховано склад плазми електродугового розряду.

Одержано пряме експериментальне підтвердження зміни критичної густини струму за рахунок зовнішнього магнітного поля (МП). Показано, що керуючи полярністю та амплітудою струму, що протікає крізь контакт, можна підвищити критичну густину струму. Вивчено вплив захопленого МП на властивості джозефсонівського контакту.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.6

Рубрики:

Дифузія, самодифузія і внутрішнє тертя (в'язкість) в твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано спрощений метод для одержання приблизного виразу електронного струму у вакуумному діоді без розв'язання системи рівнянь руху, неперервності та Пуассона. Хід розв'язку дозволяє студентам краще зрозуміти фізичну сутність розглядуваних процесів.

Описано автоматизовану установку для безконтактного контролю результатів технологічних обробок (ТО) напівпровідникових пластин і фізичні основи її функціонування. Можливості установки базуються на вимірюваннях зарядового стану поверхні за допомогою методу контактної різниці потенціалів і дозволяють вимірювати величину дифузійної довжини неосновних носіїв заряду. На прикладі пластин кремнію, що пройшли технологічні етапи виробництва сонячних елементів, показано основні можливості установки та надано результати досліджень, що характеризують якість ТО.

Адсорбцію та обертання димера Bi над димерним рядом на поверхні Si(001) досліджено за допомогою розрахунків з перших принципів. Розраховано дві стабільні конфігурації димера Bi A та В типів. Димери Bi В типу є більш енергетично вигідними. Визначено різницю енергій між димерами в А та В конфігураціях, що склала 0,34 еВ. Визначено найвигідніший шлях обертання димера Bi та відповідний енергетичний бар'єр. Досліджено впив поля вістря СТМ і дефектів на бар'єр обертання димера Bi.

Запропоновано одержання вуглецевих наноструктур (ВНС) за допомогою методу ближньопольового оптичного хімічного осадження з газової фази молекул тетрахлористого вуглецю CCl4. В даному випадку процес фотодисоціації може відбуватися за нерезонансних умов завдяки властивостям взаємодії випромінювання та речовини в області ближнього поля. Одержано ВНС розмірами до 100 нм. Особливістю даного методу є те, що він дозволяє працювати з різними довжинами хвиль у різних газових середовищах для осадження різноманітних нанорозмірних матеріалів.

Розглянуто неголономні аналоги класичних точкових і лінійчатих багатовидів тривимірного евклідового простору. Всі аналоги побудовано за допомогою геометричного методу. Складено системи вихідних диференціальних рівнянь цих неголономних багатовидів.

Розглянуто явища нелінійної динаміки процесів переполяризації в сегнетоелектриках. Запропоновано відповідну модель. Теорію застосовано для розгляду розповсюдження імпульсу в одновимірній системі (струні). Показано, що в межах запропонованої моделі нелінійної взаємодії розповсюдження початково зосередженого імпульсу має тенденцію до солітоноподібної поведінки.