Cd1-xZnxSe films with different zinc content were deposited by electron beam evaporation technique onto glass substrates for the application of solid-state photovoltaic devices. The structural, surface morphological and optical properties of Cd1-xZnxSe films have been studied in the present work. The host material, Cd1-xZnxSe, have been prepared by the physical vapor deposition method of electron beam evaporation technique (PVD:EBE) under a pressure of <$E1~times~10 sup -5> mbar. The X-ray diffractogram indicates that these alloy films are polycrystalline in nature, hexagonal structure with strong preferential orientation of the crystallites along (002) direction. Linear variation of lattice constant with composition (x) is observed. The optical properties shows that the band gap (Eg) values varies from 2,08 to 2,64 eV as zinc content varies from 0,2 to 0,8. The surface morphological studies show the very small, fine and hardly distinguishable grains smeared all over the surface. It is observed that the grain size is decreasing with increasing zinc content.

In this work, we have investigated theoretically the propagation characteristics of TM plasmons in a cylindrical wave-guide structure of a lateral antiferromagnetic - non magnetic superlattices (LANS) bounded by a metal. We derived the Eigenmodes equation and study the dispersion properties of transverse magnetic (TM) plasmons which propagate on the waveguide. We found that, backward TM plasmons can be tuned by adjusting the thickness of the waveguide to small reduced radius. We also found that the plasmons turn from backward to forward when the bounded material is vacuum. We also illustrated the dependence of the wave index nx on the magnetic fraction f1 of (LANS). Larger propagation lengths of TM plasmons are realized at small reduced radius and less magnetic material in LANS. The energy flow on the waveguide is also analyzed. We studied the dependence of the power flow on the electric permittivity of the metal <$Eepsilon sub m>. More forward plasmons are observed by increasing <$Eepsilon sub m>.

In order to achieve both driver and display capability for a number of display devices, TFT has attracted attention, model calculations are therefore presented for the grain boundary barrier height, in a polysilicon TFT considering the charge neutrality between the intrinsic free carriers and the grain boundary trap states. The formation of the potential barrier at a grain boundary is considered due to the trapping of carriers at the localized grain boundary trap states. The trapped charges, influenced by the gate bias voltage and the trapping states density, in turn, have been taken to deplete free carriers near the grain boundary in a device such as polysilicon TFT. The present predictions reveal that the barrier height diversely depends on the gate source voltage (VGS) of a TFT along with other crystal parameter. Finally to obtain the transconductance, the contributions of transverse and longitudinal grain boundary resistances are incorporated in the I - V characteristics of a TFT. For all values of grain size, the transconductance of the device is seen to increase initially with the gate voltage (VGS) which finally appears to be saturated. The dependence of the transconductance on grain size and drain voltage has been thoroughly explored. Good agreement with experimental results is achieved.

Electrical, structural and surface morphological properties of iron hexadecachloro phthalocyanine thin films deposited onto glass substrates are studied as a function of post deposition annealing temperature in air. Organic semiconductors are extensively used in optical and electronic devices such as organic photovoltaic solar cells (OSC), thin film transistors (OTFT) and organic light emitting diodes (OLED). Metal phthalocyanines are one of the most promising candidates to be used in the fabrication of such devices. A No of phthalocyanines have been extensively studied. But not much work have been carried out in Cl16FePc thin films. Basic characteristics of Cl16FePc are not reported in literature. Hexadecacholoro phthalocyanines have attracted interest as possible n-type organic semiconductor with high electron mobility and good stability characteristics. In the present work we investigate the activation energy of the Cl16FePc thin films as a function of air annealing temperature. We also report the film structure and surface morphology by X-ray diffraction (XRD) and Scanning electron microscopy (SEM).

In nanotechnology research, allotropes of carbon like Graphene, Fullerene (Buckyball) and Carbon nanotubes are widely used due to their remarkable properties. Electrical and mechanical properties of those allotropes vary with their molecular geometry. This paper is specially based on modeling and simulation of graphene in order to calculate energy band structure in k space with varying the C - C bond length and C - C transfer energy. Significant changes have been observed in the energy band structure of graphene due to variation in C - C bond length and C - C transfer energy. In particular, this paper focuses over the electronic structure of graphene within the frame work of tight binding approximation. It has been reported that conduction and valence states in graphene only meet at two points in k-space and that dispersion around these special points is conical.

Програму SCAPS розроблено з метою моделювання та вивчення властивостей фотонних приладів. Досліджено важливі регульовані конструктивні параметри, що впливають на характеристики сонячних елементів з гетеропереходом, зокрема, робочу температуру. Відмічено, що вольтамперні характеристики (ВАХ) зростають зі збільшенням температури T. У дослідженні вивчено вплив товщини кожного шару на властивості сонячного елементу. Також було визначено, що ВАХ зростають зі збільшенням p-шару. На числовому прикладі, шар поглинання 3 мкм - CdS шар 0,05 мкм, ZnO шар 0,1 мкм, є найкращими параметрами для заданої концентрації домішки. Якщо змінити оптимальне значення, то ефективністи може досягати 17,72 % з FF 83,88 %, Voc = 0,725 B, Jsc = 29,07 мА/см<^>2 за 300 К. В цьому випадку можна одержати оптимальні параметри для досягнення найкращих характеристик цього типу фотоелементів і порівняти з характеристиками елементів CIGS (мідь - індій - диселенід галій).

Предложена неравновесная термодинамическая модель, описывающая поведение ультратонкой пленки смазочного материала, зажатого между 2-мя атомарно-гладкими твердыми поверхностями. В качестве параметра порядка выбран избыточный объем, значение которого увеличивается с плавлением и последующим разжижением смазки. Показано, что на поведение смазки критическое влияние оказывает нормальная компонента внешнего давления, действуйщего на трущиеся поверхности. Записана полная система кинетических уравнений, в которой управляющими параметрами являются относительная скорость сдвига трущихся поверхностей, их температура, а также внешнее нормальное давление. Построена фазовая диаграмма с областями различных режимов трения.

Освещены общие принципы формирования пучков электронов в статических электрических и магнитных полях. Рассмотрены традиционные, а также новые перспективные разработки электронно-оптических и магнитных систем. Проанализированы вопросы фокусировки и транспортировки пучков заряженных частиц на уровне современных технологий, а также рассмотрены теоретические и экспериментальные методы исследования их параметров.

Получены соотношения для параметров траектории электрона и определена величина индукции магнитного поля в области ионизационной камеры, при которой обеспечивается прохождение электронного пучка через пространство ионизационной камеры без его уширения.

Запропоновано розрахункову модель електричних характеристик сонячного елемента, яка надає змогу встановити залежності його електричних характеристик від зовнішніх умов, температури і сонячної інсоляції, а також від змінювання параметрів моделі діоду, послідовного та шунтуючого опорів. Розрахунки виконано за допомогою пакету Мatlab.

Проанализированы физические процессы, протекающие при формировании ультракоротких электромагнитных кластеров в мультигармонических параметрических лазерах на свободных электронах. Выяснены условия, необходимые для формирования таких кластеров. Изучены 2 варианта формирования, которые различаются спектрами электромагнитного сигнала на входе в систему и спектрами мультигармонического магнитного поля накачки. Продемонстрирована возможность формирования ультракоротких кластеров электромагнитного поля в системах типа мультигармонические параметрические лазеры на свободных электронах.

Здійснено огляд сучасного стану теоретичних та експериментальних робіт, що досліджують властивості (переважно оптичні) композитних наноструктур з металевими елементами, а також суцільних малих металевих кластерів. Описано як традиційні нанооболонки та металеві нанотрубки, так і більш складні наносистеми, одержані у останні роки - т.з. нанорис (еліпсоїдальні нанооболонки), нанояйця та наночаші (нанооболонки з неконцентричним ядром), а також багатошарові нанооболонки - т.з. наноматрьошки. Наведено опис специфічних оптичних властивостей цих наносистем, описано існуючі підходи до вивчення цих властивостей. Також описано основні аспекти технічних застосувань композитних наноструктур з металевими елементами.

Проведено експериментальні та теоретичні дослідження спектральних характеристик молекули резазурину. Порівняння результатів експериментальних і теоретичних досліджень надало змогу виявити, що спектр поглинання у видимій області формується квантовими переходами між електронними станами молекули, а також електронно-коливальною взаємодією. Запропоновано метод одержання теоретичних результатів з контролем симетрії молекули. Це надало змогу одержати повністю узгоджені теоретичні й експериментальні результати як за положенням, так і за величиною коефіцієнта екстинкції та виявити природу всіх квантових переходів і коливальних частот. Показано, що смуги поглинання у видимій області спектра формуються за участі повносиметричних коливань молекули, серед яких найбільшою участю виділяються коливання з частотами в області 478 см<^>-1, 1467 см<^>-1, а також групою коливальних частот в області 1800 - 2000 см<^>-1, які виявились меншими за знайдені теоретично для основного стану молекули, оскільки під час збудження молекули ступінь розпушування зв'язків, відповідальних за вказані коливання, зростає.

С помощью методов просвечивайщей электронной микроскопии (ПЭМ) с электронной дифракцией и рентгендифракционного анализа изучены структурные особенности наноразмерного магнетита Fe3O4, синтезированного с участием полимерных матриц (полисахарид хитозан и др.). На основании полученных комплексных данных выявлено выраженное влияние полисахаридной матрицы на ингибирование роста и стабилизацию размеров наночастичек магнетита. При этом направленное уменьшение размеров наночастиц Fe3O4 сопровождается увеличением дефектности кристаллической решетки и уменьшением размеров элементарной ячейки. Показана эффективность взаимодополняющего использования ПЭМ с электронной дифракцией и рентгендифракционных методов определения параметров структуры и субструктуры при исследованиях наноразмерных частиц магнетита, синтезированных в полисахаридной матрице.

Аустенітні нержавіючі сплави широко використовуються як конструкційний матеріал внутрішніх вузлів реактора звичайної води (РЗВ), так як мають відносно високу міцність, пластичність і тріщиностійкість. Напружене корозійне розтріскування у разі опромінення (НОКР) - головний процес деградації, який вражає внутрішні вузли РЗВ, які опромінюються. Розглянуто існуючі дані щодо властивостей аустенітних сплавів після опромінення протонами з метою оцінки впливу ключових параметрів, таких, як елементний склад матеріалу, доза опромінення на чутливість цих матеріалів до НОКР за умов роботи РЗВ. Обговорено важливість деформаційної наноструктури та змін енергії дефекту пакування (ЕДП) матеріалу для чутливості до НОКР. Результати показали, що чутливість сплавів до НОКР зростає з збільшенням дози опромінення і зменшенням ЕДП. НОКР має схильність зароджуватись в локальностях, де ковзаючі дислокаційні канали перетинають границі зерен. Локалізована деформація, яка створюється ковзанням межі зерна завдяки взаємодії ковзаючих каналів і границь зерен, ймовірно є першопричиною зародження тріщини. Це може відігравати ключову роль в основному механізмі НОКР вузлів РЗВ.

[Fe(tFe) nm/Cu (tCu) nm]N multilayer films were prepared using pulsed-current electrodeposition method. The role of the pulsed-current deposition and Fe and Cu layer thicknesses on the magnetic properties was investigated. The microstructure of the multilayer films is dependent on the thicknesses of both the Fe and Cu layers. The saturation magnetization of the multilayers strongly correlated with the crystalline structure of Fe at the interface of Fe and Cu layers.

The paper discusses changes in the phase-shift angle and capacity Cp depending on the frequency of alternating current of (Co45Fe45Zr10)x(Al2O3)(100-x) nanocomposites characterized by the metallic phase content of x = 38,2 at.%. The tested samples have been produced in the argon and oxygen atmosphere by means of ion-beam sputtering of two targets made of the CoFeZr alloy and strips of the Al2O3 dielectric. Samples have been tested before and after their annealing at the temperature T and frequency f. Dependences of the phase-shift angle <$ETHETA>(T, f) and capacity Cp(T, f) have been determined for temperatures of the 77 - 373 K range and frequency values ranging from 50 to 10<^>6 Hz. For the tested samples of the x = 38,2 at. % content it has been found that at high annealing temperatures the phase-shift angle is << 0 within the low-frequency area, while at high frequency values >> 0. The analysis has shown that in the samples studied the series connection of capacity and noncoil-like inductance can be realized. Capacitive properties of LC circuit with і <$E90~symbol Г~THETA sub L ~<<~0 symbol Р> are presented at low frequencies and its inductive properties with <$E0 symbol Р~symbol Г~THETA sub H ~<<~90 symbol Р> become apparent at high frequencies.

Computer system architecture essentially influences the comfort of our everyday living. Developmental transition from electromechanical relays to vacuum tubes, from transistors to integrated circuits has significantly changed technological standards for the architecture of computer systems. Contemporary information technologies offer huge potential concerning miniaturization of electronic circuits. Presently, a modern integrated circuit includes over a billion of transistors, each of them smaller than 100 nm. Stepping beyond the symbolic 100 nm limit means that with the onset of the 21 century we have entered a new scientific area that is an era of nanotechnologies. Along with the reduction of transistor dimensions their operation speed and efficiency grow. However, the hitherto observed developmental path of classical electronics with its focus on the miniaturization of transistors and memory cells seems arriving at the limits of technological possibilities because of technical problems as well as physical limitations related to the appearance of new nano-scale phenomena as e.g. quantum effects.

Using a positive semidefinite operator technique we deduced exact ground states for a modified diamond chain described by a non-integrable Hubbard model with on-site repulsion. Our results are valid for arbitrary length of the chain and strength of the Hubbard interaction. For the analyzed parameter space region of the quasi 1D chain structure we found that two flat bands are present in the bare band structure of the system, both for zero and for a fixed value of magnetic field. We obtained ground states of nonmagnetic and ferromagnetic insulator type and studied their physical properties.

In this study, two cobalt based catalyst samples were prepared on titania and titania nanotubes supports using the deposition precipitation method. Their structural configurations were characterized and compared using BET, and TRP analyses. The BET analysis showed that the surface area of TiO2 is much higher than that of TNT which was due to their structural differences. Analyses of the results obtained revealed that the surface area of the 10 % Co/TNT catalyst sample is higher than that of the 10 % Co/TiO2. The TPR analysis showed that it is much easier to reduce 10 % Co/TiO2, than 10 % Co/TNT. This is attributed to be due to the fact that the cobalt particles were adsorbed on the surface of the TiO2, and formed covalent bonds with TNT. Therefore reduction temperature was higher with TNT than TiO2. The investigation of structural changes of these catalysts when they were coated with carbon, using chemical vapour deposition method was also conducted. The catalyst prepared on TNT support showed better properties in terms of average pore diameter, pore volume and surface area than the catalyst sample prepared on TiO2 support when the two samples were exposed to carbon environment for the same period of time.