Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (9)Автореферати дисертацій (2)Реферативна база даних (20)Авторитетний файл імен осіб (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Євтух А$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Лепіх Я. І. 
Сучасні мікроелектронні датчики для інтелектуальних систем [Електронний ресурс] / Я. І. Лепіх, А. А. Євтух, В. О. Романов // Вісник Національної академії наук України. - 2013. - № 4. - С. 40-49. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2013_4_6
Розв'язано комплексну проблему створення мікроелектронних датчиків нового покоління на основі нових принципів, функціональних матеріалів і структур для забезпечення інтелектуальних систем первинним сигналом високої якості в режимі on-line та інтеграції їх в інтелектуальні системи широкого народногосподарського призначення.
Попередній перегляд:   Завантажити - 256.718 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Кизяк А. Ю. 
Формування нанопористих плівок Al2O3 [Електронний ресурс] / А. Ю. Кизяк, А. А. Євтух, О. В. Стеблова // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 4. - С. 83-92. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_4_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.797 Mb    Зміст випуску     Цитування
3.

Литовченко В. Г. 
Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії [Електронний ресурс] / В. Г. Литовченко, В. М. Насєка, А. А. Євтух // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 1. - С. 76-82. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_1_13
Розглянуто особливості гетерування рекомбінаційно-активних домішок у полікристалічному кремнії за допомогою методу, що включає послідовне формування шару пористого кремнію товщиною 0,5 - 2 мкм на зворотному боці кремнієвої пластини, осадження шару алюмінію товщиною 0,5 - 1 мкм і термічний відпал за температури 700 - 950 за Цельсієм протягом від 30 до 60 хв. Запропоновано модель гетерування даним методом, яка включає дифузію атомів заліза по двох найбільш імовірних незалежних каналах - в об'ємі пластини та по межах зерен. Із зіставлення результатів моделі з експериментальними даними встановлено, що 30 % атомів відгетерованої домішки дифундують прискорено по межах зерен, а 70 % - в об'ємі зерен.
Попередній перегляд:   Завантажити - 645.354 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Федоренко Л. Л. 
Лазерно-стимульовані фазові перетворення в тонких шарах SiOx та CNx–Ni [Електронний ресурс] / Л. Л. Федоренко, А. М. Прудніков, А. А. Євтух, А. П. Медвідь, О. В. Стеблова, П. А. Онуфрієв, А. А. Корчовий, В. С. Уваров // Фізико-хімічна механіка матеріалів. - 2018. - Т. 54, № 2. - С. 82-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PHKhMM_2018_54_2_12
Показано можливість лазерно-стимульованого фазового перетворення в тонких шарах SiOx аморфної нестехіометричної фази в нанокомпозитний шар з нанокристалами Si, вбудованими в оксидну матрицю кремнію. Формування Si-наночастинок у плівці SiOx відбувалося завдяки опроміненню наносекундними імпульсами Nd<^>+3:YAG лазера на основній довжині хвилі <$Elambda sub 1 ~=~1,064~mu m>, а також другій гармоніці <$Elambda sub 2 ~=~0,532~mu m>. Атомно-силовою мікроскопією (АСМ) та оптичними спектрами пропускання на поверхні виявлено наноструктуризацію у вигляді наночастинок Si з середніми розмірами від 5 до 85 nm. Розміри наночастинок та їх поверхневий розподіл залежать від інтенсивності I та довжини хвилі <$Elambda> лазера. Визначено механізм формування нанокристалів Si, зумовлений лазерним термоударом. За результатами досліджень АСМ зображень, комбінаційних спектрів та поляризаційно-модуляційної спектроскопії виявлено збільшення монокристалічної фази у плівці нанокомпозита CNx-Ni з одночасним зростанням розміру наночастинок CNx-Ni завдяки імпульсній лазерній дії. Запропоновано механізм лазерно-стимульованого зростання кристалізації плівки, який полягає в локальному відпалі оболонки CNx внаслідок лазерного розігріву металевого ядра Ni наночастинки CNx-Ni, а також більшій сублімації аморфної фази CNx-Ni завдяки нижчій температурі дисоціації аморфної фази оболонки CNx у порівнянні з кристалічною.
Попередній перегляд:   Завантажити - 897.028 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Сьомич М. І. 
Безпекові аспекти антикризового управління інноваційно орієнтованих підприємств та розвитку їх кадрового потенціалу в умовах економіки знань та сучас-ного правового забезпечення. [Електронний ресурс] / М. І. Сьомич, Н. Е. Ткаченко, М. В. Шкробот, А. І. Євтух // Актуальні проблеми інноваційної економіки та права. - 2023. - № 3. - С. 36-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/apie_2023_3_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 277.215 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського