Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) | Журнали та продовжувані видання (1) | Реферативна база даних (56) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Ащеулов А$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 33 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | 
Клименко В. А. Исследование клинической эффективности отечественного препарата урсодезоксихолевой кислоты в терапии больных муковисцидозом [Електронний ресурс] / В. А. Клименко, В. П. Кандыба, Е. В. Пасечник, Ю. В. Карпушенко, А. М. Ащеулов // Современная педиатрия. - 2013. - № 2. - С. 114-117. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Sped_2013_2_26 Цель работы - изучить состояние гепатобилиарной системы у пациентов с муковисцидозом (MB) и оценить клиническую эффективность препарата урсодезоксихолевой кислоты "Укрлив". Под наблюдением находилось 11 детей (1 девочка и 10 мальчиков) в возрасте от 2 лет 8 мес. до 16 лет. У всех детей диагностирована смешанная форма MB. Обследование проводилось двукратно - перед применением препарата "Укрлив" и через 8 недель терапии. Все дети получали базисную терапию MB в соответствии с современными протоколами, а также препарат "Укрлив" суспензию вечером, перед сном, в индивидуальной дозировке в течение 8-ми недель. Установлено, что у всех больных с MB развивается поражение гепатобилиарной системы. На фоне применения препарата "Укрлив" выявлена положительная клиническая динамика изменений гепатобилиарной системы. "Укрлив" в форме суспензии характеризуется высокой эффективностью и переносимостью у детей с MB. Холеретический, литолитический, противовоспалительный, иммуномодулирующий, антифибротический эффекты препарата "Укрлив" позволяют стабилизировать и улучшить состояние гепатобилиарной системы у детей с MB, что делает его применение патогенетически обоснованным. | |||
| 2. | 
Клименко В. А. Клинический случай синдрома Хейнера [Електронний ресурс] / В. А. Клименко, А. М. Ащеулов, Н. Т. Синдеева // Здоровье ребенка. - 2014. - № 5. - С. 130-133. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zd_2014_5_24 Представлено клиническое наблюдение ребенка с редкой нозологической формой - синдромом Хейнера. Синдром характеризуется преимущественным поражением легких, в патогенезе ведущей является гиперчувствительность к белкам коровьего молока. | |||
| 3. |
Клименко В. А. Клинический случай синдрома Хейнера [Електронний ресурс] / В. А. Клименко, А. М. Ащеулов, Н. Т. Синдеева // Здоровье ребенка. - 2014. - № 8. - С. 73-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zd_2014_8_17 Представлено клиническое наблюдение ребенка с редкой нозологической формой - синдромом Хейнера. Синдром характеризуется преимущественным поражением легких, в патогенезе ведущей является гиперчувствительность к белкам коровьего молока. | |||
| 4. | 
Ащеулов А. А. Особливості хімічного зв’язку телуру [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, О. М. Маник, Т. О. Маник, В. Р. Білинський-Слотило // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 2. - С. 389-395. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_2_22 | |||
| 5. |
Ащеулов А. А. Особливості структури хімічного зв’язку заліза [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, О. М. Маник, Т. О. Маник, В. Р. Білинський-Слотило // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 4. - С. 960-965. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_4_23 | |||
| 6. |
Ащеулов А. А. Особливості хімічного зв’язку FeSe та FeTe [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, О. М. Маник, Т. О. Маник, А. Й. Савчук, В. Р. Білинський-Слотило // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 1. - С. 136-141. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_1_22 | |||
| 7. | 
Ащеулов А. А. Устройство для бесконтактного экспресс-измерения параметров термоэлектрических материалов [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, И. А. Бучковский, И. С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2015. - № 4. - С. 42-46. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2015_4_9 Показана возможность применения вихретокового метода для бесконтактного определения основных параметров термоэлектрических материалов, таких как эффективность, коэффициенты термоэдс, электропроводности и теплопроводности. Приведена схема установки, реализующей данный метод, а также результаты проведенных экспериментальных исследований.Показано можливість застосування вихрострумового методу для безконтактного вимірювання основних параметрів термоелектричних матеріалів, таких як ефективність, коефіцієнти термоелектрорушійної сили, електропровідності та теплопровідності. Наведено схему установки, що реалізує цей метод, а також результати проведених експериментальних досліджень.The paper presents an original method for contactless express measurement of parameters of thermoelectric materials. The presence of a combination of AC and DC magnetic fields in the gap of the oscillating circuit, where the monitored sample of the thermoelectric material is located, leads — due to Ampère force — to delamination of geometric regions of the occurrence of half-cycles of Foucault current. This in turn causes the appearance of additional heat losses in the oscillating circuit causedby Peltier effect. Computer modeling of these processes with the use of the software package ComsolFenlab 3.3 allowed determining the nature and magnitude of the electric currents in oscillating circuit, the range of operating frequencies, and the ratio of amplitudes of the variable and fixed components of the magnetic field. These components eventually cause a certain temperature difference along the controlled sample, which difference is proportional to the thermoelectric figure of merit Z of the material. The basic expressions are obtained for determining the value of the Seebeck coefficient a, thermal conductivity χ, electrical conductivity σ and thermoelectric figure of merit Z. A description is given to the design of the device for contactless express measurement of parameters of thermoelectric materials based on Bi—Te—Se—Sb solid solutions. Its distinctive feature is the ability to determine the symmetric and asymmetric components of the electric conductivity of the material values. Theactual error in parameter measurement in this case is 2%. | |||
| 8. |
Ащеулов А. А. Анизотропные термоэлектрические координатно-чувствительные линейки [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, И. В. Гуцул // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2006. - № 2. - С. 39-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2006_2_10 | |||
| 9. |
Ащеулов А. А. Особенности технологии изготовления анизотропных термоэлектрических модулей [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, И. В. Гуцул, Н. К. Воронка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1998. - № 1. - С. 32-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_1998_1_13 | |||
| 10. |
Ащеулов А. А. Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, А. В. Галочкин, И. С. Романюк, С. Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2016. - № 2-3. - С. 3-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2016_2-3_3 Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In2Hg3Te6 с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования электрических параметров этих фотодиодных структур показали, что высота потенциального барьера составляет 0,41 эВ, а величина обратного темнового тока не превышает 4 мкА. Созданные устройства сохраняют свою работоспособность при дозах гамма-облучения 2 108 бэр.Наведено конструкцію і технологію виготовлення структури фотодіода Шотткі на основі підкладки з радіаційно-стійкого кристала n-In2Hg3Te6 з бар'єрним шаром з Cr, що характеризується фотовідповіддю в області 0,6—1,6 мкм за максимальної чутливості.Ge, Si, InGaAs, GaInAsP photodiodes are used as optical radiation receivers and function in a spectral range of transparency of quartz fiberglass. For the optical systems operated in the increased radioactivity the photodetectors’ application on In2Hg3Te6 crystal base characterized by a photosensitivity in the spectral range of 0,5-1,6 mm and also by increased radiation resistance to alpha, beta and gamma radiation is most acceptable. Schottky photodiode structure was designed on the base of this semiconductor formed by a modified floating zone recrystallization technique where the sedimentation effect was leveled. It consists of n-In2Hg3Te6 substrate and deposited by cathode sputtering Cr barrier layer of thickness within a range 10-11 nm choice ofCr is determined by its optimal optical, electric and adhesive features in high quality radiation-resistant photodiode structures manufacturing. Indium and nichrome are used as ohmic contacts. The barrier structures have the contact area of 1,13 mm2 withphoto response of 0,6-1,6 mm at the maximal sensitivity 0,43 A/W on the wavelength l,55 mm. Reverse dark current of these structures do not exceed 4 mA at the bias of 1 V (T=295 K), and the potential barrier height is equal to 0,41 eV. The tests of radiation resistance of these structures demonstrated their ability to function at doses of 2•108 rem without evident parameters changes. This allows using them in practical aims in the conditions of high radiation. | |||
| 11. | 
Ащеулов А. А. Дослідження впливу певних комбінацій електричного та магнітного полів на властивості напівпровідникових приладів [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, Ю. Г. Добровольський, І. С. Романюк // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 29. - С. 173-176. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_29_30 | |||
| 12. |
Ащеулов А. А. Оптимізація параметрів кремнієвих епітаксійних структур для забезпечення радіаційної стійкості фотодіодів на їх основі [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, Ю. Г. Добровольський, В. М. Годованюк // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 30. - С. 170-174. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_30_34 | |||
| 13. |
Махній В. П. Люмінесцентні властивості кристалів ZnSe:Yb з модифікованою поверхнею [Електронний ресурс] / В. П. Махній, О. В. Кінзерська, І. М. Сенко, А. А. Ащеулов // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2014. - Т. 3, Вип. 1. - С. 112-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2014_3_1_22 | |||
| 14. |
Гуцул І. В. Електрорушійна сила і вольт-ватна чутливість анізотропного оптикотермоелемента при опромінюванні бокової грані [Електронний ресурс] / І. В. Гуцул, А. А. Ащеулов, В. І. Гуцул // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2002. - Вип. 132. - С. 70-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2002_132_12 | |||
| 15. |
Ащеулов А. А. Особливості технології і використання матеріалів із CdSb [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, І. В. Гуцул, В. А. Безулик, І. М. Раренко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2002. - Вип. 132. - С. 79-86. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2002_132_14 | |||
| 16. |
Добровольський Ю. Г. Аналіз темнового струму фотодіодів, опрацьованих комбінацією електричного та магнітного полів [Електронний ресурс] / Ю. Г. Добровольський, А. А. Ащеулов // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 50. - С. 108-109. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_50_37 | |||
| 17. |
Годованюк В. М. Високонадійний кремнієвий p-i-n фотодіод [Електронний ресурс] / В. М. Годованюк, Ю. Г. Добровольський, А. А. Ащеулов // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 66. - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_66_4 | |||
| 18. |
Ащеулов А. А. Пристрій для отримання монокристалів твердих розчинів на основі телуриду вісмуту [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, І. С. Романюк, Л. І. Простебі, Ю. Г. Добровольський // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 66. - С. 39-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_66_12 | |||
| 19. |
Ащеулов А. А. Особливості виготовлення удосконалених термоелектричних модулів на основі телуриду вісмуту [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, І. С. Романюк, Л. І. Простебі, Ю. Г. Добровольський, С. А. Вітрюк // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2000. - Вип. 79. - С. 92-94. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2000_79_27 | |||
| 20. |
Гуцул І. В. Поперечна термоерс і вольт-ватна чутливість анізотропного оптикоелемента у випадку термостатування його бокових граней [Електронний ресурс] / І. В. Гуцул, А. А. Ащеулов // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2000. - Вип. 92. - С. 5-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2000_92_3 | |||
| ||||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |